한국경제

... 위해 IMEI를 이통사에 등록, 통신 서비스를 이용할 수 없도록 제한해 '블랙리스트'란 명칭이 붙었다. '단말기 자급제' 또는 '단말기 자유이용제'라는 이름으로도 불린다. 블랙리스트 제도는 따라서 휴대폰 안에 장착돼 있는 메모리 카드로 가입자정보를 담은 유심칩(USIM·범용가입자인증모듈) 하나만 있으면 휴대폰을 자유롭게 사용할 수 있다. 휴대폰 매장이나 인터넷 , 이동통신 대리점, 마트 등서 휴대폰을 사 기존에 사용하던 휴대폰의 유심칩을 꺼내 끼우면 ...

메모리 칩을 기판에 탑재할 때 금속선(와이어)를 이용하는 기존의 방식대신 범프 볼(Bump Ball)을 이용해 기판에 직접 융착시키는 기술. 기존 제품에 비해 소형화, 경량화가 가능하고 열적 안정성이 뛰어나고 전류 인가율이 높으며 반응 속도 또한 빨라지게 된다.

메모리 데이터 전송 시 일시적으로 발생할 수 있는 에러의 감지·수정기능이다.

D램을 입체적으로 쌓아 자료 처리 능력을 높이는 기술로, 기존 반도체 보다 성능은 뛰어난 반면 소비전력은 70%까지 줄일 수 있다. 현재 D램의 주류인 DDR3를 대체할 것으로 예상된다.

산화물에 가하는 전압에 의해 전류가 흐르는 통로가 생성되고 없어짐에 따른 재료의 저항 변화를 이용해 정보를 저장하는 메모리 . 2011년 7월 삼성전자는 낸드플래시보다 데이터 처리속도가 1000배 빠른 R램 기술을 개발했으며 2016년부터 양산할 계획이다.

D램과 낸드플래시의 특성을 모두 가지고 있어 전력이 끊겨도 데이터 가 사라지지 않는 차세대 메모리 이다. STT-M램은 D램과 구조가 비슷하지만 커패시터 대신 복잡한 구조의 자성층을 형성시키는 메모리다. 이 자성체가 돌면서 빠른 속도로 전자를 이동시킨다. 기술적 한계로 여겨지는 10 나노미터 (㎚) 이하에서도 집적이 가능하며 처리 속도가 빠르고 전력 소모가 적다는 장점이 있다. 2011년 7월 하이닉스와 도시바가 2014년 M램 양산을 ...

1992년 미국의 반도체 설계 전문업체인 램버스 사가 개발한 것으로 초고속 데이터베이스 전송용 메모리 제품을 말한다. 램버스D램의 데이터 전송속도는 초당 500MB로 기존의 범용 16메가 D램의 초당 전송속도인 20MB보다 월등히 빠른 것이다. 특히 그래픽 전송에서 탁월한 성능을 발휘해 고속 동화상처리에 적합하다.

통상 메모리 반도체 에 쓰이는 실리콘 기반 트랜지스터 에서 실리콘을 탄소나노튜브 로 대체한 것.탄소나노튜브는 탄소 원자가 육각형 형태를 이루고 원통 형태로 말려 있는 것으로 전기 및 열전도도와 강도가 뛰어난 신소재다. 탄소나노튜브 트랜지스터 개념은 10여년 전부터 나왔으며 최근 각국이 활발히 연구 중이다.

대량의 데이터 를 실시간으로 분석해 의사결정을 지원하는 상시 인텔리전스도 메가트렌드 가운데 하나로 꼽혔다. 글로벌 비즈니스 소프트웨어 기업인 SAP는 SSD(솔리드 스테이트 드라이브 ) 등 메모리 형 저장장치에 기업 정보를 입력하고,이를 실시간으로 분석하는 ''인메모리 기술''을 미래 핵심 성장동력으로 삼고 있다.

나노선은 트랜지스터 , 메모리 , 화학감지용 센서 등 다양한 분야에 활용되는 소재이다. VLS는 나노선 성장에 이용하는 방식으로 액체와 기체를 만나게 해 자연적으로 고체를 형성하도록 하는 방식으로 나노선을 성장시키며 주로 고온에서 이뤄진다.