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... 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램 개발에 성공했다”면서 “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년(2025년) 부터 제품을 공급해 메모리 반도체시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 발표했다. SK 하이닉스는 2025년에 1c D램을 양산할 계획이다. 삼성전자도 1c D램 개발에 박차를 가하고 있으며, 2024년 말까지 1c D램을 기반으로 한 HBM4 제품을 테스트하고 2025년 부터 1c D램 양산을 시작할 예정이다.

... 있는 핵심 기술로 주목받고 있다. CNT 펠리클의 또 다른 장점은 뛰어난 내구성이다. 차세대 하이-NA EUV 장비에서 요구되는 600W 이상의 고출력에도 견딜 수 있어, 기존 펠리클의 한계를 극복할 수 있을 것으로 보인다. 2024년 10월 삼성전자는 에프에스티와 공동 개발한 CNT 펠리클이 94% 이상의 EUV 투과율을 달성했다고 발표했다. 이는 기존 펠리클보다 5~6% 높은 수치로, 2nm 이하 공정에서 큰 성능 향상을 가져올 것으로 기대된다

... 성과급으로 지급하는 제도. 이전에는 PS(Profit Sharing)으로 불렸으며 매년 1회 지급되는 성과급으로, 소속 회사의 연간 경영 실적이 목표를 초과 달성했을 때 초과 이익의 20% 한도 내에서 연봉의 최대 50%까지 지급된다. 삼성전자, SK하이닉스, LG디스플레이 등 국내 대기업에서 주로 시행되고 있으며, 기업의 경영 성과에 따라 지급 여부와 규모가 결정된다. 예를 들어, 삼성전자는 매년 1월 말경 OPI를 지급하는데, 2023년에는 반도체 사업부(DS)가 ...

... 노선으로 구성된다. GTX A 노선: 경기도 파주 운정에서 서울역을 거쳐 동탄까지 연결되는 43.6km구간이다. 2018년 12월 착공해 2024년 수서에서 동탄까지 부분 개통이 됐고, 2025년 전 구간이 개통된다. 2028년에 삼성역이 연결될 예정이다. 개통시 경기 고양 일산에서 서울 삼성동까지 이동 시간이 현재 80분에서 20분으로 단축될 것으로 보인다. GTX B 노선: 인천 송도에서 서울 용산, 경기 남양주 마석까지 연결한다. 2030년 개통을 목표로 한다. ...

... 젊은 층 사이에서 인기를 끌고 있다. '경제적 자유를 얻어 조기 은퇴한다'는 이른바 파이어족 바람이 불면서 나타난 현상이다. 월 분배금을 통한 용돈벌이 사례를 SNS 등을 통해 공유하는 투자자가 급증했다. 미래에셋증권, NH투자증권, 삼성증권, 하나증권, 신한투자증권 등 5개 증권사를 통해 국내 월 배당형 ETF를 보유한 투자자 중 71.7%가 40대 이하로 나타났다. 월 배당형 ETF가 인기를 끌자 자산운용사는 고배당 주식을 편입하는 단순한 구조의 상품에서 벗어나 ...

... 최초의 무선 라디오 방송(1906년), 최초의 텔레비전 공개 시연(1926년), 최초의 반도체 집적회로(1958년) 등 역사에 족적을 남긴 과학기술들이 선정되어왔다. 2023년 말까지 200개 넘는 마일스톤이 등재됐지만 미국·유럽·일본 같은 기술 강국이 90% 이상을 차지하고 있다. 2024년 6월 13일 SK텔레콤이 한국전자통신연구원(ETRI), 삼성전자, LG전자와 함께 한 CDMA 대규모 상용화가 국내 기업 최초의 IEEE 마일스톤에 선정됐다.

삼성전자, 현대차, 기아 등 대기업들이 해외 법인에서 벌어들인 돈을 본사 배당 형태로 한국으로 들여오는 것을 말한다. 2023년 국내 기업의 자본 리쇼어링 규모는 435억5천만달러(약 59조원)로 2022년 144억1천만달러의 3배 이상이 됐다. 2024년 5월 7일 정부는 국내 기업이 해외에서 벌어들인 돈을 국내로 들여오는 자본 리쇼어링을 통해 국내에 투자하는 경우에도 유턴 투자로 인정하는 방안을 검토·추진할 계획"이라고 밝혔다. 현재 정부는 기업이 ...

... 기술로, 고대역폭메모리(HBM)와 같이 CPU나 GPU 등 기능이 다른 반도체를 수직으로 연결할 수 있다. 또한, AP에 필요한 메모리도 적층할 수 있어 AP와 메모리 간의 간격이 줄어들고, 신호 전달 속도를 높일 수 있다. 삼성전자는 2나노미터(nm) 공정에 하이브리드 본딩 기술을 적용하여 3D 적층 구조의 AP 기술을 확보할 계획이다. 이를 통해 현재 4마이크로미터(μm) 수준의 입출력 단자 간격을 절반 수준인 2마이크로미터(μm) 이하로 줄일 계획이며, ...

... 출발한 미국의 제재가 중국의 '테크 독립'을 자극했다는 분석도 나온다. AI 선두업체인 화웨이, 바이두, 텐센트의 2023년 연구개발(R&D) 투자액 합계는 2496억위안(약 47조5000억원)으로 한국의 'AI 빅3'로 꼽히는 삼성전자와 LG전자, 네이버의 합산 투자액(34조원)을 압도한다. 미국의 제재에도 불구하고 SMIC는 화웨이 최신 스마트폰과 데이터센터에 들어갈 5나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m)급 칩 양산을 준비 중이고, BYD는 유럽과 신흥국을 공략해 ...

... 흐르는 통로인 채널을 수직으로 세우고 이를 스위치 역할을 하는 게이트로 감싸는 기술이다. 기존 2D D램은 트랜지스터의 채널이 수평으로 형성되어 있어 전류가 옆으로 새는 누설 전류가 발생하고, 이로 인해 데이터 저장 용량이 제한되는 문제가 있었다. VCT를 활용하면 채널을 수직으로 세워 누설 전류를 줄이고, 데이터 저장 용량을 늘릴 수 있다. 삼성전자는 2025년 VCT(수직 채널 트랜지스터) 기술을 활용한 초기 버전 3D D램을 선보일 계획이다.