한국경제

D램, 플래시 메모리 등 다양한 형태의 메모리 와 비메모리를 하나의 칩에 결합시킨 것. D램의 고용량과 S램의 고속도, 플래시 메모리의 비휘발성과 논리형 반도체 (일종의 인공지능 형 반도체)의 일부 특성 및 장점까지 갖춘 차세대 신개념 반도체다.

셀 하나당 3 비트의 정보를 저장할 수 있는 차세대 낸드 플래시 기술로 하이닉스가 2008년 6월 세계최초로 개발했다. 하나의 낸드 플래시에는 수백억 개의 메모리 셀로 구성되어 있는데, 이 메모리 셀 하나당 1비트의 정보를 ... SLC(Single Level Cell)라고 부른다. 현재 일반적으로 상용화된 MLC(Multi Level Cell) 기술은 메모리 셀 하나당 2 비트의 정보를 저장할 수 있으며, 이처럼 셀당 저장 용량이 늘어나면 필요한 셀의 개수가 절반으로 줄어들어 ...

2007년 10월 삼성전자가 30나노 64기가비트(Gb) 낸드플래시 메모리 를 개발하면서 처음 사용한 기술. SaDPT는 60나노 선폭으로 두번 코팅 공정을 해서 30나노를 구현하는 기존 방식(DPT)으로는 제품 양산이 어려운 점을 극복하기 위해 단 한차례만 코팅 공정을 거친 뒤 산화막을 중간에 넣고 깎아내는 방식으로 이중 회로 패턴을 형성해 30나노를 구현해 낸 신기술이다.

기존 원낸드 (OneNAND)의 고성능을 그대로 유지하면서 두 종류의 낸드플래시인 싱글레벨셀(SLC)과 멀티레벨셀(MLC)을 하나의 칩에 구현한 것으로 2007년 3월 삼성전자가 처음으로 선보였다. 기존 원낸드의 고성능을 그대로 ... SLC의 고성능과 MLC의 저비용 고용량 장점을 통합한 퓨전 반도체 다. 플렉스-원낸드는 삼성전자의 1호 퓨전메모리 원낸드와 2호인 원디램 에 이어 개발한 세 번째 퓨전 반도체다. 이 제품은 모바일기기 업체들이 휴대폰마다 다르게 ...

전원이 끊어진 상태에서도 정보를 유지하고 있어 전원이 공급되면 다시 저장된 정보를 사용할 수 있는 기억 매체. CD, 읽기용 기억 장치(ROM), 하드 디스크 와 플래쉬 디스크(flash disks) 등이 이에 속한다.

플래시 메모리 칩처럼 전원이 꺼지더라도 저장한 정보를 살릴 수 있으며 플래시 메모리 와 램의 빠른 동작특성 등의 장점을 모두 갖춘 메모리 반도체 를 말한다. PCM은 플래시메모리와 램의 기존 노어 플래시 및 낸드 플래시보다 저전력으로 빠르게 읽기, 쓰기를 할 수 있으며 램의 일반적인 특성인 비트 가변성도 갖추고 있다. PCM을 탑재하면 램의 소비를 줄여, 메모리 시스템의 비용과 전력소모를 획기적으로 낮출 수 있다.

삼성전자가 2006년 9월 발표한 반도체 . 머리카락의 3천분의 1에 불과한 40나노 공정을 사용해 개발한 것으로 32기가 메모리 용량은 세계 인구 65억명의 5배인 328억개의 메모리 기본 소자가 엄지 손톱만한 크기에 집적돼있다. 노래 8천곡을 저장할 수 있는 용량이다.

낸드플래시, S램, 로직을 하나의 칩에 집적한 반도체 . 메모리 와 로직을 하나의 칩에 집적해 시스템 사양에 적합한 소프트까지 제공해주는 퓨전 메모리 의 일종으로, 휴대전화에 주로 쓰이는 노어플래시 를 대체할 것으로 ... 10MB의 쓰기 속도와 낸드보다 4배 빠른 초당 108MB의 읽기 속도를 구현해 실시간 읽기·쓰기를 할 수 있으며 지우기도 고속으로 처리할 수 있다. 삼성전자가 2004년 1기가 비트급 원낸드 퓨전 메모리를 개발한 바 있다.

... 데이터의 저장 및 삭제가 자유롭다. 시스템반도체가 데이터를 우선 인식하거나 연산하면, 단기 저장장치인 D램을 거쳐 낸드플래시에 저장된다. 플래쉬메모리는 내부방식에 따라 NOR 형과 NAND형으로 나누는데, NOR형이란 셀이 병렬로 연결된 ... 직렬로 연결돼 있는 구조다. 낸드플래쉬메모리는 USB 드라이브 , 디지털 카메라나 MP3 등에 쓰이는 메모리카드 등이 있다. 한편 노어플래쉬메모리는 MMC카드나 Compact flash 메모리에 쓰인다. NAND형은 NOR형에 ...

전기를 흘려주면 자석처럼 플러스와 마이너스 전극을 띠게 되는 '' 강유전체 ''란 물질을 소재로 만든 메모리 반도체 다. D램의 정보 저장 기능, S램의 빠른 정보 처리 속도, 플래시 메모리 의 정보 보존 기능 등의 장점을 두루 갖추고 있다. 미국의 램트론사가 지난 95년 세계 최초로 64Kb 제품을 양산했으며 삼성전자는 2002년 32Mb 제품을 개발한 상태다. D램과 플래시 메모리를 이을 차세대 메모리로 급부상하고 있다.