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D램 대신 낸드플래시 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술로 수직 적층해, 대역폭과 저장 용량을 동시에 극대화한 차세대 메모리다. 플래시 기술이 NAND 계열임을 강조해 '고대역폭 낸드플래시'로도 불린다. AI 시대, 특히 챗GPT, 제미나이(Gemini)와 같은 멀티모달 거대언어모델(LLM)의 학습과 추론에는 이미지·영상 등 방대한 데이터를 빠르고 안정적으로 처리할 수 있는 메모리 기술이 필수다. 기존 낸드플래시는 ...

삼성과 마이크론이 주도한 차세대 모바일 메모리. LPDDR5X는 기존 LPDDR5보다 더 빠르고 효율적인 모바일용 저전력 고성능 D램 규격이다. 2021년 7월, 국제 반도체 표준화기구 JEDEC이 LPDDR5X를 포함한 새로운 메모리 표준(JESD209‑5B)을 발표했고, 같은 해 11월, 삼성전자가 14나노 기반 16Gb LPDDR5X 개발에 성공했다고 공식 발표했다. 이후 2024년 하반기, 삼성전자는 본격적인 양산에 들어갔고, 마이크론은 2025년 ...

1c D램은 10나노미터(nm) 중반의 회로 선폭을 가진 6세대 D램을 뜻한다. 1c D 램의 c는 10나노미터(nm) 급 D 램의 세대를 나타내는 알파벳으로 이전 세대인 1b D램(5세대)보다 미세한 공정으로 제작되며, 성능은 ... “세계 최초로 10nm(나노미터, 10억분의 1m)급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램 개발에 성공했다”면서 “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년(2025년) 부터 제품을 공급해 메모리 반도체시장의 ...

... 확정한 6세대 HBM 규격으로, 핀당 최대 6.4Gbps의 데이터 전송 속도를 지원한다. 인터페이스 폭은 전 세대인 HBM3E의 두 배로 확대돼, 전체 대역폭이 크게 늘어난 것이 특징이다. HBM4는 12층에서 최대 16층까지 D램 칩을 적층할 수 있다. 층당 24Gb와 32Gb 용량을 제공해 최대 64GB 이상의 대용량 메모리 구현이 가능하다. ◇ 산업 현황 = SK하이닉스는 2025년 3월 세계 최초로 12층 HBM4 샘플을 주요 고객사에 공급했다. 같은 ...

3D D램은 데이터 저장 공간인 셀을 지금처럼 수평으로 배치하는 게 아니라 수직으로 쌓아 단위 면적당 용량을 세 배 키운 제품으로 3차원 D램이라고도 한다. 대용량 데이터를 빠르게 처리할 수 있어 '인공지능(AI) 시대 게임체인저'로 불린다. 삼성전자는 2024년 3월26~28일 미국에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘(MEMCON) 2024'에서 3D D램 개발 로드맵을 발표했다. 3D D램은 D램 내부에 있는 셀을 수직으로 쌓은 한 개의 D램이라는 ...

삼성전자가 업계 최초로 개발한 36GB(기가바이트) 용량의 5세대 HBM(High Bandwidth Memory), 즉 HBM3E 12H(12단 적층) D램을 지칭한다. 2024년 2월 27일 개발 성공을 발표했다. 이 기술은 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술을 통해 12단까지 적층하여, 업계에서 가장 큰 용량인 36GB HBM3E를 실현하였다. HBM3E 12H는 초당 최대 1,280GB의 ...

삼성전자가 개발중인 차세대 고효울 D램으로 입출력단자(I/O)를 늘려 기존 모바일용 D램 대비 데이터 처리 용량(대역폭)을 높인 제품이다. 프로세서에 가깝게 배치해 활용하면 일반 D램 대비 전력 효율이 70% 정도 향상되어 확장현실(XR) 기기 등에 적용될 전망이다. 2024년 4분기부터 양산을 시작할 계획이다.

... 전송한다. 두 가지 비트를 모두 사용하여 데이터를 전송하기 때문에 클록 신호의 한쪽 에지만을 사용하여 데이터를 전송하는 SDR 메모리에 비해 DDR 메모리가 훨씬 속도가 빠르다. DDR 메모리는 컴퓨터, 노트북, 스마트폰, 태블릿 등의 그래픽 카드, 네트워크 카드 등에 사용된다. 2000년 DDR D램이 표준으로 확정된 뒤 20년간 DDR2, DDR3, DDR4 순으로 D램 규격이 발전해왔으며 2020년에는 최신 D램 표준인 DDR5까지 나왔다.

2023년 9월 1일 삼성전자가 개발 성공을 발표한 D램. 12나노급 기술을 사용한 것으로 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다. 1983년 64Kb(킬로 비트) D램을 개발한 삼성전자는 2023년 32Gb D램 개발로 40년만에 D램의 용량을 50만배 늘리는 성과를 거뒀다. 삼성전자는 2023년 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한데 이어, 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공하며 D램 미세 공정 경쟁에서 ...

... 과정을 책임지는 것. 삼성전자 파운드리사업부가 2023년초 반도체 턴키 서비스를 시작했다. 삼성전자 파운드리사업부가 팹리스(반도체 설계전문 기업)의 중앙처리장치(CPU) 같은 시스템반도체를 생산하고, 여기에 삼성전자의 대표 상품인 고성능 D램을 묶어 포장(패키징)하는 등 '원스톱 서비스'를 제공하는 것이다. 2023년 8월 현재 메모리 반도체를 아우르는 턴키 서비스를 제공할 수 있는 회사는 삼성전자뿐이다. 인텔은 CPU 생산과 파운드리·패키징 사업을 하고, TSMC는 ...