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17나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 공정을 적용한 모바일 D램으로 삼성전자가 세계최초로 2018년 7월부터 양산을 시작했다. 17㎚ D램은 현재 스마트폰에 주로 사용하는 23㎚ D램과 비교해 동작 속도와 생산성이 두 배 이상 ... 비교하면 소비전력량은 10% 적고 두께는 20% 얇다. 똑같은 배터리로 더 오래 작동하면서도 더 얇은 스마트폰을 생산할 수 있게 된 것이다. 17㎚ D램은 2019년 상반기 판매될 '갤럭시 S10(가칭)'에 처음으로 적용된다.

... 2018년 7월 17일 세계최초로 개발했다고 발표한 최신 반도체. 기존의 플래그십 스마트폰에 탑재된 모바일 D램(LPDDR4X, 4,266Mb/s)보다 1.5배 빠른 6400Mb/s의 동작 속도를 구현한 제품으로 이는 1초에 ... 영화(3.7GB) 약 14편 용량인 51.2GB의 데이터를 전송할 수 있는 속도다. 신제품은 1.1V에서 6400Mb/s로 동작하는 제품과 1.05V에서 5500Mb/s로 동작하는 2개 라인업으로 구성해 차세대 스마트폰과 자동차용 시스템 ...

... 열린 전자정보통신산업대전에서 처음 공개됐다. 웨어러블 메모리는 AP(애플리케이션 프로세서)와 낸드플래시, 모바일D램 등을 하나의 패키지로 묶은 것이다. AP와 낸드를 같은 패키지 안에 묶었기에 ePoP(embedded Package ... 몸집이 줄어든 공간만큼 배터리 용량을 키우거나, 아니면 더 얇고 가벼운 제품을 만들 수 있다. 삼성은 웨어러블 메모리 패키지를 2014년 9월 출시한 스마트워치 신제품 기어S에 탑재한 것을 시작으로 제품 공급을 늘릴 계획이다.

자기적 성질을 이용한 차세대 메모리 로 D램과 낸드플래시의 장점을 고루 갖춘 메모리 솔루션이다. 커패시터에 전자를 가둬서 0과 1의 신호로 데이터 를 보관하는 DRAM과 달리 STT-램은 자기터널접합(MTJ, magnetic ... 0과 1로 데이터를 저장한다. 전력 공급 없이도 정보를 보관할 수 있고 반복 기록 및 재생이 거의 무한하며 속도 S램 수준의 초고속 동작이 가능하며 기존 메모리들보다 소비 전력이 낮다. STT램은 기술적, 물리적 한계로 여겨지고 있는 ...

D램, 플래시 메모리 등 다양한 형태의 메모리 와 비메모리를 하나의 칩에 결합시킨 것. D램의 고용량과 S램의 고속도, 플래시 메모리의 비휘발성과 논리형 반도체 (일종의 인공지능 형 반도체)의 일부 특성 및 장점까지 갖춘 차세대 신개념 반도체다.

낸드플래시, S램, 로직을 하나의 칩에 집적한 반도체 . 메모리 와 로직을 하나의 칩에 집적해 시스템 사양에 적합한 소프트까지 제공해주는 퓨전 메모리 의 일종으로, 휴대전화에 주로 쓰이는 노어플래시 를 대체할 것으로 기대된다. 1기가 원낸드 는 2개의 고속 S램을 버퍼 메모리로 활용, 노어보다 67배 빠른 초당 10MB의 쓰기 속도와 낸드보다 4배 빠른 초당 108MB의 읽기 속도를 구현해 실시간 읽기·쓰기를 할 수 있으며 지우기도 ...

전기를 흘려주면 자석처럼 플러스와 마이너스 전극을 띠게 되는 '' 강유전체 ''란 물질을 소재로 만든 메모리 반도체 다. D램의 정보 저장 기능, S램의 빠른 정보 처리 속도, 플래시 메모리 의 정보 보존 기능 등의 장점을 두루 갖추고 있다. 미국의 램트론사가 지난 95년 세계 최초로 64Kb 제품을 양산했으며 삼성전자는 2002년 32Mb 제품을 개발한 상태다. D램과 플래시 메모리를 이을 차세대 메모리로 급부상하고 있다.

여러 종류의 메모리 칩을 1개의 패키지 에 쌓아올린 다중칩으로 응용 제품에 따라 필요한 메모리를 조합, 다양한 기능을 구현하며 휴대폰 등 모바일기기의 공간 효율화에도 크게 기여할 수 있는 메모리 반도체 를 말한다. 휴대폰 등 모바일 기기에 주로 사용되며 기존에 낸드 노어 플래시, D램, S램, U t램 등이 각각 사용되던 것을 하나의 패키지로 복합화한 것이기 때문에 휴대폰의 다기능 소형화 추세에 맞춰 시장이 급성장하고 있다.

D램의 용량과 S램의 속도, 플래시 메모리 의 정보보존 기능 등 특성을 결합한 비휘발성 메모리 로 기존의 메모리 반도체 보다 동작 전압이 낮고 정보 기록 속도가 1천배 이상 빨라진 제품이라고 현대전자는 설명했다. 저전압 저전력 동작이 가능해 휴대형 기기의 대체 메모리로 활용하는데 적합한 제품이다.