한국경제

... 수퍼컴퓨터용 고성능 그래픽카드(GPU)에도 이 규칙을 적용했다. 미 상무부는 중국에서 메모리 반도체를 생산하는 외국 기업에 대해서는 건별로 별도 심사를 거쳐 FDDR을 적용할 계획인 것으로 전해졌다. 한국 기업 가운데서는 삼성전자가 중국에 낸드플래시 생산공장과 반도체 후공정 공장을, SK하이닉스는 D램 공장, 후공정 공장, 낸드(NAND) 공장 등을 각각 운영하고 있다. 이들 기업이 중국공장의 설비의 유지나 업그레이드에 필요한 제조 설비를 중국에 반입할 경우 일정 기준 이상일 ...

SK하이닉스가 세계최초로 개발한 현존 최고층인 238단 낸드 플래시로 기존 최고층(232단) 낸드플래시를 개발한 미국 마이크론을 넘어섰다. 2022년 8월 3일 SK하이닉스가 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2022'에서 신제품을 공개했으며 2023년 상반기 양산을 시작할 예정이다. 2020년 12월 176단 낸드를 개발한 지 1년7개월 만에 차세대 기술개발에 성공한 것으로 이번 238단은 단수가 높아진 것은 물론, 세계 ...

... 28나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m)급 이하 미세공정에는 투자할 수 없는 내용의 약정을 미 상무부 장관과 맺게 된다. 메모리 반도체 부문의 중국 투자 제한 범위도 미 상무부 장관이 정할 방침이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 중국에서 낸드플래시 같은 메모리반도체만 생산하고 있다. 법안이 시행되면 미국 내 반도체 투자를 약속한 삼성전자를 비롯해 인텔, 대만 TSMC 등이 수혜 대상이 될 것으로 예상된다. 특히 200억달러를 투자해 오하이오주에 반도체 공장을 건설하겠다고 ...

인텔이 2019년 4월 선보인 옵테인 메모리는 D램처럼 속도가 빠르면서 전원이 꺼져도 정보가 사라지지 않는 낸드플래시의 장점을 갖춰 퍼시스턴트(persistent·지속 가능한) 메모리로 불린다. 2019년 9월 16일(현지시간) 오라클은 자사의 신형 데이터 서버인 엑사데이터 X8M에 옵테인DC퍼시스턴트 메모리를 채택한다고 발표했다.D램, 낸드플래시와 같은 메모리 반도체가 대규모로 장착되는 데이터센터 서버에 옵테인 메모리가 적용된 적은 없었다. 오라클과 ...

삼성전자가 2019년 1월 30일 발표한 모바일 내장 메모리 장치. 5세대 512기가비트(Gb) 낸드플래시를 16단 적층하고 고성능 컨트롤러를 결합해 기존 제품과 동일한 크기에서 메모리 저장용량을 두 배 키웠다. 전 세계에서 1TB급 모바일 내장 메모리가 나온 것은 이번이 처음이다. 삼성전자는 2015년 1월 기존 제품과 규격이 전혀 다른 모바일용 메모리인 'eUFS 2.0'을 128GB급 용량으로 선보인 후 4년 만에 메모리 용량을 8배 키웠다. ...

... 이상 빠른 속도로, 모바일 기기에 저장한 데이터를 PC(eUFS 3.0 → NVMe SSD 기준)로 전송시 Full HD급 영화 1편(3.7GB)을 3초 안에 보낼 수 있다. 삼성전자의 512GB eUFS3.0은 5세대 512Gb V낸드를 8단으로 적층하고 고성능 컨트롤러를 탑재해 이같은 성능을 구현했다. 또 연속쓰기 속도도 410MB/s로 기존 eUFS 2.1 제품보다 1.5배 이상 높였고, 임의 읽기·쓰기 속도도 최대 1.3배 빠른 6만3000·6만8000 IO...

셀(cell) 작동을 관장하는 주변부 회로인 페리를 데이터 저장 영역인 셀 아래에 배치해 공간 효율을 높이는 기술. 아파트 옥외 주차장을 지하주차장으로 구조를 편경해 공간효율을 극대화하는 것에 비유할 수 있다. 옥외 주차장 대신 지하 주차장을 지으면 건물 구조가 단순해지는 원리다. SK하이닉스가 2018년 10월말 96단4D낸드플래시를 개발할때 세계최초로 PUC기술을 적용했다.

K하이닉스는 2018년 10월말 세계 최초로 CTF(charge trap flash) 구조에 PUC(peri under cell) 기술을 결합하여 개발한 96단 512기가비트(Gb) TLC(3비트 단위로 데이터 저장) 4D 낸드. 기존 3D 낸드와 비교해 한 단계 진화했다는 의미로 '4D'라는 이름을 붙였다. 3D 낸드는 메모리반도체업계의 패러다임을 바꾼 제품이다. 셀을 평면(2D)으로 배치하는 과정에서 집적도의 한계에 직면하자 이를 수직으로 쌓아 ...

... 8개에서 16개로 늘어나면서 각 단위당 전하량이 절반수준으로 낮아져 제품의 성능과 속도를 유지하는데 기술적 난이도가 높다. 삼성전자가 2018년 8월 7일 4비트 낸드플래시를 기반으로 하는 4테라바이트급 QLC SATA SSD를 양산하기 시작했다고 밝혔다. QLC기술을 기반으로 하는 낸드플래시로 만들어진 세계첫 SSD제품이다. 삼성전자는 4세대(64단) 1Tb 4비트 V낸드 칩 32개를 이용해 업계 최대인 4TB SSD를 만들었고, 기존 고성능 3비트 ...

데이터가 저장되는 3D셀을 96단 쌓아 올린 5세대 3D 낸드. 삼성전자가 2018년 5월부터 평택 공장에서 양산을 시작했으며 6월부터 이를 기반으로 한 SSD의 양산을 시작했다. 96단 3D낸드플래시는 기존 64단 3D 낸드 ... 30% 줄었다. 칩 하나에 1Tb(테라비트)까지 담을 수 있다. 최대 512Gb(기가비트)를 저장했던 64단 3D 낸드 대비 2배 가까이 많은 데이터를 저장할 수 있다. 단수는 1.5배가량 늘었지만 전체 칩의 높이는 20% 올라가는 ...