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금성사, 새 IC제조기술 개발...국내처음
...소)이 개발한 이 공정은 기존의 방 법과는 달리 개별소자간 격리를 위해 Up-Down Isolation을 적용하고 종래의 불순물 주입법인 확산공정이 이온 주입법으로 대체됨에 따라 열공정을 축소하 여 각 소자간의 수직/수평면의 폭을 줄여 Cell의 크기를 종래에 비해 36-50% 정도 감소시킬수 있게 되었다. 또한 이 공정은 Cell의 크기가 작아짐에 따라 내전압 특성이 감소되는 단점 을 보완하여 내전압 특성을 종전과 같이 15V정도로 ...
한국경제 | 1989.02.09 00:00