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    쿼드 레벨 셀 플래시 메모리 [quad-level cell flash memory] 경제용어사전

    하나의 셀에 4비트의 데이터를 저장할 수 있는 낸드(NAND) 플래시 메모리 기술의 한 유형. 이는 셀당 1비트의 데이터를 저장하는 SLC(Single-Level Cell), 2비트를 저장하는 MLC(Multi-Level Cell), 3비트를 저장하는 TLC(Triple-Level Cell)와 비교하여 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. 데이터 밀도가 높아지면서 저장 용량 당 비용이 낮아져 보다 보다 경제적이다. QLC 기술은 높은 데이터 밀도와 ...

    플래시 메모리 서밋 [Flash Memory Summit] 경제용어사전

    매년 8월경 미국 캘리포니아 산타클라라에서 개최되는 세계 최대 규모의 낸드낸드 기반의 스토리지(저장장치) 산업 컨퍼런스이다. 낸드 플래시 메모리와 관련된 최신 기술, 시장 동향, 제품 혁신 등을 다루기 위해 2006년에 처음으로 개최된 이후, 플래시 메모리 관련 최신 기술과 시장 동향을 공유하는 주요 플랫폼으로 자리 잡았다. 이 행사에서 업계 선도 기업과 스타트업들이 참여하여 활발한 교류와 네트워킹이 이루어진다.

    해외직접생산품규칙 [Foreign Direct Product Rules] 경제용어사전

    ... 수퍼컴퓨터용 고성능 그래픽카드(GPU)에도 이 규칙을 적용했다. 미 상무부는 중국에서 메모리 반도체를 생산하는 외국 기업에 대해서는 건별로 별도 심사를 거쳐 FDDR을 적용할 계획인 것으로 전해졌다. 한국 기업 가운데서는 삼성전자가 중국에 낸드플래시 생산공장과 반도체 후공정 공장을, SK하이닉스는 D램 공장, 후공정 공장, 낸드(NAND) 공장 등을 각각 운영하고 있다. 이들 기업이 중국공장의 설비의 유지나 업그레이드에 필요한 제조 설비를 중국에 반입할 경우 일정 기준 이상일 ...