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삼성, 메모리 초격차 굳힌다…286단 V낸드 세계 첫 양산
... 면적을 줄이는 ‘더미 채널 홀(Dummy Channel Hole) 제거 기술’을 활용했다. 셀의 크기가 줄면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 ‘셀 간섭 회피 기술’과 ‘셀 수명 연장 기술’을 적용했다. 그 덕분에 낸드플래시 경쟁력의 척도인 ‘비트 밀도’(bit density·단위 면적당 저장되는 비트 수)를 8세대보다 1.5배 늘렸다. 차세대 ...
한국경제 | 2024.04.23 18:41 | 황정수/김채연
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삼성, 온디바이스 AI용 D램 개발
삼성전자가 인터넷 연결 없이 기기에서 작동하는 온디바이스 인공지능(AI)에 최적화한 D램을 개발했다고 17일 발표했다. 업계 최고 속도인 10.7Gbps(초당 기가비트)를 구현하는 LPDDR5X D램이다. 전력을 적게 쓰면서도 일반 D램 못지않은 성능을 내는 게 특징인 메모리 반도체다. AI폰 등 온디바이스 AI 시장이 커지면서 저전력·대용량·고성능 LPDDR D램 수요가 커지고 있다. 온디바이스 AI를 구동하려면 D램이 ...
한국경제 | 2024.04.17 19:06 | 황정수
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삼성 "1초에 영화 20편 전송…업계 최고 속도 D램 개발 성공"
삼성전자가 업계 최고 동작속도 10.7Gbps(초당 기가비트) LPDDR5X D램 개발에 성공했다고 17일 밝혔다. 해당 속도는 1초에 20편의 풀HD급 영화(4GB)를 전송할 수 있는 수준이다. 최근 AI 시장이 본격 성장하면서 ... 전 세대 제품 대비해서는 △성능 25% △용량 30% 이상 각각 향상됐고, 모바일 D램 단일 패키지로 최대 32기가바이트(GB)를 지원한다. 삼성전자는 이번 제품에 저전력 특성을 강화하기 위해 성능과 속도에 따라 전력을 조절하는 ...
한국경제 | 2024.04.17 11:00 | 조아라
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삼성전자, 업계 최초 '9세대 V낸드' 양산…낸드 리더십 강화
... 뚫어 업계 최소 크기·두께 구현…하반기 QLC 9세대 V낸드도 양산 예정 삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작하며 메모리 초격차 기술력을 재확인했다. ... 인터페이스인 '토글(Toggle) 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps(초당 기가비트)의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD ...
한국경제 | 2024.04.23 11:02 | YONHAP
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삼성전자 반도체, 베이징모터쇼 첫 참가…中 자동차시장 공략
... 메모리·시스템LSI·파운드리 분야로 나눠 부스를 구성하고, 차량용 인포테인먼트와 첨단 운전자 보조시스템(ADAS) 등에 사용되는 최신 제품을 선보일 예정이다. 메모리 부문에서는 업계 최고 동작 속도 10.7Gbps(초당 기가비트)를 지원하는 저전력·고성능 D램 LPDDR5X를 비롯해 그래픽 메모리 GDDR7, 오토SSD, UFS 3.1 등을 전시한다. 차량 내에서 운전자에게 실시간 운행정보 제공과 고화질 멀티미디어 재생, 고사양 게임 구동 등을 가능하게 ...
한국경제 | 2024.04.18 17:23 | YONHAP
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삼성전자, 업계 최고 속도 LPDDR5X D램 개발…하반기 양산
... 솔루션 전 세대 제품보다 성능·용량 개선…응용처 확대 기대 삼성전자는 업계 최고 동작 속도 10.7Gbps(초당 기가비트)를 지원하는 LPDDR5X D램 개발에 성공했다고 17일 밝혔다. 저전력·고성능 LPDDR은 인공지능(AI) 시장 ... 전 세대 제품 대비 성능과 용량이 각각 25%, 30% 이상 향상됐고, 모바일 D램 단일 패키지로 최대 32GB(기가바이트)를 지원한다. 또 저전력 특성 강화를 위해 성능과 속도에 따라 전력을 조절하는 '전력 가변 최적화 기술'과 ...
한국경제 | 2024.04.17 11:00 | YONHAP
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25배 뻥튀기?…'5G 과장 광고' 통신사에 300억 과징금 폭탄 [1분뉴스]
한국경제 | 2023.05.25 18:12
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[우빈의 리듬파워]스트레이 키즈, 글로벌 영향력 먹고 팽창한 인기 '스노우볼'
텐아시아 | 2021.08.26 07:00
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- 3D D램 [3D DRAM] 경제용어사전
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... 포함한 전체 셀을 쌓아 올린 '적층 D램'은 2030년께 선보일 계획이다. 현재 D램은 기판에 최대 620억 개에 달하는 셀을 수평으로 배열하는데, 촘촘하게 트랜지스터를 넣다 보니 전류 간섭 현상을 피하기 어렵다. 셀을 수직으로 쌓으면 트랜지스터 간격이 넓어져 간섭 현상이 줄어든다. 같은 면적에 셀을 더 많이 넣을 수 있어 용량도 크게 늘어난다. 3D D램의 기본 용량은 100Gb(기가비트)로 현재 가장 용량이 큰 D램(36Gb)의 세 배에 이른다.
- HBM3E 12 H 경제용어사전
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삼성전자가 업계 최초로 개발한 36GB(기가바이트) 용량의 5세대 HBM(High Bandwidth Memory), 즉 HBM3E 12H(12단 적층) D램을 지칭한다. 2024년 2월 27일 개발 성공을 발표했다. 이 기술은 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술을 통해 12단까지 적층하여, 업계에서 가장 큰 용량인 36GB HBM3E를 실현하였다. HBM3E 12H는 초당 최대 1,280GB의 ...
- 32Gb DDR5 D램 경제용어사전
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... 12나노급 기술을 사용한 것으로 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다. 1983년 64Kb(킬로 비트) D램을 개발한 삼성전자는 2023년 32Gb D램 개발로 40년만에 D램의 용량을 50만배 늘리는 성과를 거뒀다. ... 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량 구현하여, 128GB(기가 바이트) 모듈을 TSV 공정없이 제작 가능하게 되었다. 기존 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈 제작 시 TSV ...