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"최첨단 D램 거점은 韓"…SK하이닉스, 통큰 투자로 'HBM 왕좌' 사수
D램은 경기 이천, 낸드플래시는 충북 청주. SK하이닉스가 창립 후 지켜온 생산 전략이다. 이 오랜 전략에 변화가 생긴 건 지난해부터였다. 생성형 인공지능(AI) 기술이 본격 확산하면서 필수 부품으로 꼽힌 고대역폭메모리(HBM) 수요가 폭발해서다. SK하이닉스는 지난해 청주 M15 공장의 빈 공간에 HBM 패키징 라인을 넣기 시작했다. 24일엔 당초 낸드플래시용 최첨단 공장으로 계획된 M15X를 ‘D램 생산기지’로 바꾸는 결단을 ...
한국경제 | 2024.04.24 19:06 | 황정수/김채연
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청주에 20조 쏟아붓는다…SK하이닉스 '초강수 베팅'
SK하이닉스가 20조원을 투입해 충북 청주시 낸드플래시 생산기지에 D램 공장을 짓는다. 낸드플래시 공장을 추가하려던 당초 계획을 접고 D램을 생산하기로 했다. ‘인공지능(AI) 붐’에 힘입어 D램을 쌓아 만드는 고대역폭메모리(HBM) 수요가 폭발하자 발 빠르게 생산 전략을 바꾼 것이다. HBM 기술뿐 아니라 생산능력에서도 경쟁사에 밀리지 않겠다는 SK하이닉스의 승부수라는 평가가 나온다. SK하이닉스는 24일 이사회를 열고 청주 ...
한국경제 | 2024.04.24 18:25 | 황정수/박의명/김채연
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삼성, 메모리 초격차 굳힌다…286단 V낸드 세계 첫 양산
... 적층(저장공간인 셀을 쌓아 올린 것) 단수인 286단을 적용한 ‘9세대 V(vertical·수직) 낸드플래시’ 생산에 들어갔다. 286단은 기존 제품(236단)보다 50단 높은 것으로 현 기술로 구현할 수 있는 ... 없는 만큼 300단대 중후반 제품을 건너뛰고 곧바로 400단대로 직행하는 전략을 세운 것이다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장(부사장)은 “극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며 ...
한국경제 | 2024.04.23 18:41 | 황정수/김채연
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SK키파운드리, 개선된 BCD 공정 제공...차량용 전력 반도체 분야 확대 나서
... transceiver IC 등 고전압/고신뢰성 제품의 설계를 가능하게 한다. 또한 고전압 BCD 공정에서 고밀도 플래시 메모리 IP 사용이 가능해 MCU 기능이 필요한 Motor Driver IC, LED driver IC, Sensor ... IC, Power Delivery controller IC 등의 차량용 반도체에도 적합한 공정 기술이다. 특히 플래시 IP 프로그래밍이 10만회까지 가능해 반복적인 데이터 변경이 필요한 고성능 제품에도 고객들이 광범위하게 사용할 수 ...
한국경제TV | 2024.04.24 13:10
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삼성전자, 업계 최초 '9세대 V낸드' 양산…"AI시대 SSD 시장 선도"
삼성전자가 업계 최초로 ‘1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) V(수직) 낸드플래시’를 양산한다. 셀(저장공간)을 최대 단수로 쌓아 올려 한 번에 채널 홀을 뚫는 최첨단 신기술로 저장 ... 인공지능(AI) 열풍으로 낸드 수요가 증가하면서 평균 판매단가도 상승세라 실적 호조가 예상된다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장(부사장)은 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속·초고용량 SSD(솔리드 스테이트 ...
한국경제TV | 2024.04.23 14:44
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삼성전자, 업계 최초 '9세대 V낸드' 양산…낸드 리더십 강화
... V낸드'를 양산하는 등 AI 시대에 요구되는 고용량·고성능 낸드 개발에 박차를 가할 계획이다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시(Flash)개발실장(부사장)은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 ... 콘퍼런스콜에서 2030년까지 1천단 V낸드를 개발한다고 밝힌 바 있다. SK하이닉스는 작년 8월 미국에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2023'에서 '1Tb TLC 321단 4D 낸드' 샘플을 공개하며 반도체 업계 최초로 300단 이상 ...
한국경제 | 2024.04.23 11:02 | YONHAP
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엔비디아·SK하닉 날아가는데…"삼성전자 뭐하냐" 한숨 [노유정의 의식주]
한국경제 | 2024.03.02 13:00
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최태원 SK 회장의 한숨...해결사 최창원 등판 [안재광의 대기만성's]
한국경제 | 2023.12.27 18:07
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펠로시 대만행에 긴장 최고조 된 '이 해협'…292만명 지켜봤다 [송영찬의 디플로마티크]
한국경제 | 2022.08.04 14:16
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- 해외직접제품규칙 [Foreign Direct Product Rules] 경제용어사전
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... 금지했고, 8월엔 엔비디아와 AMD의 AI(인공지능)와 수퍼컴퓨터용 고성능 그래픽카드(GPU)에도 이 규칙을 적용했다. 미 상무부는 중국에서 메모리 반도체를 생산하는 외국 기업에 대해서는 건별로 별도 심사를 거쳐 FDDR을 적용할 계획인 것으로 전해졌다. 한국 기업 가운데서는 삼성전자가 중국에 낸드플래시 생산공장과 반도체 후공정 공장을, SK하이닉스는 D램 공장, 후공정 공장, 낸드(NAND) 공장 등을 각각 운영하고 있다. 이들 기업이 중국공장의 ...
- TLC 4D 낸드플래시 [TLC 4D NAND Flash] 경제용어사전
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SK하이닉스가 세계최초로 개발한 현존 최고층인 238단 낸드 플래시로 기존 최고층(232단) 낸드플래시를 개발한 미국 마이크론을 넘어섰다. 2022년 8월 3일 SK하이닉스가 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(FMS) ... 스마트폰에 사진 음악 동영상 등을 저장하고 꺼내 볼 수 있는 것은 모두 낸드플래시 덕분이다. '단'(段)은 낸드플래시가 데이터를 저장하는 셀의 층수다. 238단이란 셀을 238겹으로 쌓아 올렸다는 의미다. 몇 층으로 셀을 쌓을 수 ...
- 반도체 칩과 과학법 [CHIPS and Science Act of 2022] 경제용어사전
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... 28나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m)급 이하 미세공정에는 투자할 수 없는 내용의 약정을 미 상무부 장관과 맺게 된다. 메모리 반도체 부문의 중국 투자 제한 범위도 미 상무부 장관이 정할 방침이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 중국에서 낸드플래시 같은 메모리반도체만 생산하고 있다. 법안이 시행되면 미국 내 반도체 투자를 약속한 삼성전자를 비롯해 인텔, 대만 TSMC 등이 수혜 대상이 될 것으로 예상된다. 특히 200억달러를 투자해 오하이오주에 반도체 공장을 건설하겠다고 ...