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    전체뉴스 31-40 / 23,520건

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      "최첨단 D램 거점은 韓"…SK하이닉스, 통큰 투자로 'HBM 왕좌' 사수

      D램은 경기 이천, 낸드플래시는 충북 청주. SK하이닉스가 창립 후 지켜온 생산 전략이다. 이 오랜 전략에 변화가 생긴 건 지난해부터였다. 생성형 인공지능(AI) 기술이 본격 확산하면서 필수 부품으로 꼽힌 고대역폭메모리(HBM) 수요가 폭발해서다. SK하이닉스는 지난해 청주 M15 공장의 빈 공간에 HBM 패키징 라인을 넣기 시작했다. 24일엔 당초 낸드플래시용 최첨단 공장으로 계획된 M15X를 ‘D램 생산기지’로 바꾸는 결단을 ...

      한국경제 | 2024.04.24 19:06 | 황정수/김채연

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      브로드컴(AVGO) 수시 보고

      ... SoC; 맞춤형 터치 컨트롤러; 직렬 연결 소형 컴퓨터 시스템 인터페이스, 독립 디스크 컨트롤러 및 어댑터의 중복 어레이; 주변 부품 상호 연결 익스프레스 스위치; 파이버 채널 호스트 버스 어댑터; 채널 기반 SoC 읽기; 맞춤형 플래시 컨트롤러; 전치 증폭기; 및 광커플러, 산업용 광섬유, 모션 제어 인코더 및 하위 시스템. 이 회사의 제품은 기업 및 데이터 센터 네트워킹, 홈 연결, 셋톱 박스, 광대역 액세스, 통신 장비, 스마트폰 및 기지국, 데이터 센터 서버 ...

      한국경제 | 2024.04.24 19:05 | 굿모닝 로보뉴스

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      청주에 20조 쏟아붓는다…SK하이닉스 '초강수 베팅'

      SK하이닉스가 20조원을 투입해 충북 청주시 낸드플래시 생산기지에 D램 공장을 짓는다. 낸드플래시 공장을 추가하려던 당초 계획을 접고 D램을 생산하기로 했다. ‘인공지능(AI) 붐’에 힘입어 D램을 쌓아 만드는 고대역폭메모리(HBM) 수요가 폭발하자 발 빠르게 생산 전략을 바꾼 것이다. HBM 기술뿐 아니라 생산능력에서도 경쟁사에 밀리지 않겠다는 SK하이닉스의 승부수라는 평가가 나온다. SK하이닉스는 24일 이사회를 열고 청주 ...

      한국경제 | 2024.04.24 18:25 | 황정수/박의명/김채연

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      SK키파운드리, 개선된 BCD 공정 제공...차량용 전력 반도체 분야 확대 나서

      ... 구현해 전기차에 사용되는 BMS IC, Isolated gate driver IC, DC-DC IC, CAN/LIN transceiver IC 등 고전압/고신뢰성 제품의 설계를 가능하게 한다. 또한 고전압 BCD 공정에서 고밀도 플래시 메모리 IP 사용이 가능해 MCU 기능이 필요한 Motor Driver IC, LED driver IC, Sensor controller IC, Power Delivery controller IC 등의 차량용 반도체에도 적합한 공정 ...

      한국경제TV | 2024.04.24 13:10

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      삼성, 메모리 초격차 굳힌다…286단 V낸드 세계 첫 양산

      삼성전자가 최고 적층(저장공간인 셀을 쌓아 올린 것) 단수인 286단을 적용한 ‘9세대 V(vertical·수직) 낸드플래시’ 생산에 들어갔다. 286단은 기존 제품(236단)보다 50단 높은 것으로 현 기술로 구현할 수 있는 최고 단수다. 삼성전자가 메모리반도체 경쟁력 저하에 대한 우려를 떨쳐내고 ‘기술 초격차’에 재시동을 걸었다는 평가가 나온다. ▶본지 4월 11일자 A19면 참조 삼성전자는 ...

      한국경제 | 2024.04.23 18:41 | 황정수/김채연

    • D램·낸드도 韓 바짝 따라와

      ... “중국은 인력, 자원, 기술력 등 모든 역량을 갖추고 있다”고 말했다. CXMT는 지난해 11월 중국 최초로 모바일용 D램인 LPDDR5(저전력 D램)를 개발해 샤오미 스마트폰에 장착했다. 중국 최대 낸드플래시업체인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)는 2022년 말 232단 3D 낸드를 상용화했다. YMTC는 2016년 설립된 신생 업체인데, 삼성전자 SK하이닉스와 비슷한 시기에 200단이 넘는 3D 낸드를 생산한 것이다. 삼성전자는 23일 ...

      한국경제 | 2024.04.23 18:20 | 박의명

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      미국에 반격 나선 중국…'저가 칩' 미친듯 찍는다

      올 1분기 중국은 D램, 낸드플래시 등 다양한 형태의 반도체를 981억 개 제조했다. 지난해 같은 기간보다 40% 많은 수치다. 미국의 대중 제재 전인 2019년 1분기보다 세 배 늘었다. 23일 중국 국가통계국(NBS)에 따르면 지난달 생산량은 362억 개(전년 동기 대비 28.4% 증가)로 월간 기준 사상 최대치를 기록했다. 대부분은 ‘레거시 칩’으로 불리는 범용 반도체다. 2011년 양산을 시작한 28㎚(나노미터&m...

      한국경제 | 2024.04.23 18:20 | 박의명

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      삼성전자, 또 해냈다…업계 최고 286단 낸드플래시 첫 양산

      삼성전자가 양산을 시작한 9세대 V낸드플래시 반도체의 적층(저장공간인 '셀'을 쌓아 올린 것) 단수가 '286단'인 것으로 확인됐다. 286단은 삼성전자의 기존 제품 대비 50단 높은 것으로 현재 적층 기술로 구현할 수 있는 최고 단수다. 고용량·고성능 제품을 원하는 인공지능(AI)·클라우드 서버 기업에 공급을 늘리기 위해 기술적인 한계를 돌파한 것이다. 반도체업계에선 삼성전자가 메모리반도체 경쟁력에 ...

      한국경제 | 2024.04.23 17:39 | 황정수/김채연

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      삼성전자, 업계 최초 '9세대 V낸드' 양산…"AI시대 SSD 시장 선도"

      삼성전자가 업계 최초로 ‘1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) V(수직) 낸드플래시’를 양산한다. 셀(저장공간)을 최대 단수로 쌓아 올려 한 번에 채널 홀을 뚫는 최첨단 신기술로 저장 용량을 키울 뿐 아니라 생산성까지 높인 게 핵심이다. 삼성전자는 업계 최초로 9세대 V낸드 양산을 시작한다고 23일 밝혔다. 하나의 셀에 3비트(bit) 데이터를 기록할 수 있는 TLC 제품이다. 업계 최소 크기 셀과 최소 ...

      한국경제TV | 2024.04.23 14:44

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      회심의 V낸드 나왔다…최대로 쌓아올려 한번에 뚫는 '삼성 기술력'

      삼성전자가 업계 최초로 ‘1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell: 하나의 셀에 3비트 데이터를 기록할 수 있는 구조) V(수직) 낸드플래시’를 양산한다. 셀(저장공간)을 최대 단수로 쌓아 올려 한 번에 채널 홀(전자가 이동하는 구멍)을 뚫는 최첨단 신기술로 저장 용량을 키울 뿐 아니라 생산성까지 높인 게 핵심이다. 삼성전자는 업계 최초로 9세대 V낸드 양산을 시작한다고 23일 밝혔다. 업계 최소 크기 셀과 ...

      한국경제 | 2024.04.23 11:18 | 김봉구