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삼성과 마이크론이 주도한 차세대 모바일 메모리. LPDDR5X는 기존 LPDDR5보다 더 빠르고 효율적인 모바일용 저전력 고성능 D램 규격이다. 2021년 7월, 국제 반도체 표준화기구 JEDEC이 LPDDR5X를 포함한 새로운 메모리 표준(JESD209‑5B)을 발표했고, 같은 해 11월, 삼성전자가 14나노 기반 16Gb LPDDR5X 개발에 성공했다고 공식 발표했다. 이후 2024년 하반기, 삼성전자는 본격적인 양산에 들어갔고, 마이크론은 2025년 ...

... 인공지능(AI) 그래픽처리장치(GPU)다. 고성능 AI 반도체인 H100의 성능을 일부 조정한 제품으로, GPU 코어 수를 41% 줄이고 연산 성능을 28% 낮춰 중국에 합법적으로 수출할 수 있도록 개발됐다. 96GB의 HBM3 메모리와 4.0TB/s의 메모리 대역폭을 갖추고 있으며, 2023년 하반기 출시 이후 높은 수요를 기록하며 분기별 50%의 판매 증가율을 보였다. 2024년 4월 미국 정부가 H20까지 제재 대상으로 포함하며 수출이 중단됐으나, 2025년 ...

... 구글의 제미나이처럼 초대형 언어모델의 실시간 추론에 초점을 맞췄다. 아이언우드는 최대 9,216개 칩을 묶어 하나의 팟(Pod)으로 운용할 수 있고, 이 경우 42.5 엑사플롭스의 연산 성능을 자랑한다. 각 칩은 192GB 고대역폭 메모리(HBM)를 탑재하고 있으며, 대역폭은 7.2TB/s에 이른다. 추천 시스템과 대규모 임베딩 처리를 위한 전용 코어(SparseCore)도 함께 탑재됐다. 이전 세대인 트릴리움 대비 전력 소모는 절반 수준으로 줄었고, 연산량은 ...

엔비디아(NVIDIA)의 블랙웰(Blackwell) 아키텍처 기반 고성능 GPU로, 대규모 언어 모델(LLM)과 생성형 AI의 추론 및 학습에 최적화된 병렬 연산 장치. 2080억 개의 트랜지스터와 최대 192GB의 HBM3e 메모리를 탑재하여 이전 세대 대비 연산 성능과 에너지 효율을 획기적으로 향상시켰다. B200은 2024년 3월 NVIDIA GTC에서 발표된 차세대 AI GPU로, 홉퍼(Hopper) 아키텍처 기반의 H100을 계승한 제품이다. 블랙웰...

엔비디아가 개발한 차세대 고성능 GPU로, 생성형 AI 및 대규모 언어 모델(LLM) 연산에 특화된 병렬 처리 장치. HBM3e 메모리를 최초로 탑재한 GPU로, 기존 H100 대비 추론 속도와 메모리 대역폭이 대폭 향상되었다. H200은 2024년 기준 엔비디아의 플래그십 GPU로, 초거대 AI 모델과 고성능 컴퓨팅(HPC) 환경에 최적화된 구조를 갖추고 있다. 업계 최초로 고속 메모리 규격인 HBM3e를 탑재하여 대역폭과 용량 모두에서 기존 H100을 ...

... 같은 면적에 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있어 처리 속도가 빨라지고 전력 소모가 줄어든다. 2024년 12월 현재 삼성전자와 TSMC 등 글로벌 반도체 기업들이 2나노 공정 기술 개발에 총력을 기울이고 있다. 삼성전자는 2025년, TSMC는 2025년 양산을 목표로 하고 있어 치열한 경쟁이 예상된다. 한편, 2나노 공정은 주로 시스템 반도체 제조에 사용되며, 메모리 반도체에는 적용되지 않는다. 이는 높은 기술력과 비용이 요구되기 때문이다.

GDDR7은 2023년 JEDEC에 의해 표준화된 최신 세대의 그래픽 메모리로, 이전 세대인 GDDR6보다 월등히 향상된 성능을 자랑한다. 이 메모리는 초당 32기가비트(Gbps)의 동작 속도를 구현하여 GDDR6 대비 60% 이상 빠른 속도를 제공하며, 사용 환경에 따라 최대 40Gbps까지 속도가 향상될 수 있다. GDDR7의 주요 특징은 PAM3 신호 기술 도입으로 데이터 전송 효율성이 증가하고, 최대 192GB/s의 메모리 대역폭과 32Gb의 ...

... 8월 29일 “세계 최초로 10nm(나노미터, 10억분의 1m)급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램 개발에 성공했다”면서 “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년(2025년) 부터 제품을 공급해 메모리 반도체시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 발표했다. SK 하이닉스는 2025년에 1c D램을 양산할 계획이다. 삼성전자도 1c D램 개발에 박차를 가하고 있으며, 2024년 말까지 1c D램을 기반으로 한 HBM4 제품을 테스트하고 ...

HBM(고대역폭 메모리, High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램 칩을 수직으로 적층하여 높은 데이터 전송률과 성능을 제공하는 차세대 메모리 기술이다. HBM4는 JEDEC에서 2024년 7월 최종 확정한 HBM의 6세대 표준 메모리로, 핀당 최대 6.4Gbps의 데이터 전송 속도를 제공하며 인터페이스 폭이 이전 세대인 HBM3E 대비 두 배로 늘어나 전체 데이터 전송 대역폭이 크게 향상된 것이 특징이다. HBM4는 12층에서 최대 ...

플래시 메모리는 하나의 메모리 셀에 3비트의 데이터를 저장하는 NAND 플래시 메모리 기술. 기존 SLC(Single-Level Cell) 플래시 메모리의 1비트, MLC(Multi-Level Cell) 플래시 메모리의 2비트 보다 더 많은 정보를 저장할 수 있다. 높은 저장 밀도 덕분에 제조 비용이 절감되어 저렴한 가격으로 대용량 저장 공간을 제공할 수 있어 HDD나 SDD같은 대용량 저장장치, 클라우드 스토리지, 스마트폰 같은 모바일 기기 등에서 ...