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    사전 31-40 / 57건

    미세화 경제용어사전

    ... 줄이는 작업. 선폭이 줄어들면 전자 이동이 쉬워져 전력소비가 줄고 작동 속도도 빨라진다. 더 많은 반도체를 만들 수 있어 생산단가도 낮아진다. 한 장의 웨이퍼(기판)에서 만들 수 있는 반도체 숫자가 늘어나기 때문이다. 삼성전자에 따르면 20나노 D램은 25나노보다 웨이퍼 한 장에서 찍어낼 수 있는 제품 수가 30% 이상 늘어난다. 하지만 선폭이 너무 좁아지면 전기적 간섭현상으로 데이터 저장 때 오류가 발생하는 등의 기술적 어려움이 발생하기도 한다.

    PIM [processor-in-memory] 경제용어사전

    D램 메모리에 연산이 가능한 프로세서 기능을 더한 미래형 반도체다. 메모리 반도체는 데이터 저장 역할을 맡고, 사람의 뇌와 같은 기능인 연산 등은 비메모리 반도체인 중앙처리장치(CPU)나 그래픽처리장치(GPU)가 담당하는 게 일반적이다. 프로세서와 메모리 기능이 완전히 분리돼 둘 사이에 정보가 오가는 과정에서 병목 현상이 잦았다 PIM은 이러한 공식을 깨고 연산도 할 수 있는 '차세대 스마트 메모리'다. 기존엔 프로세서와 메모리 기능이 완전히 분리돼 ...

    실리콘관통전극 [through silicon via] 경제용어사전

    D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다 얇게 깎은 뒤 수백 개의 미세 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 전극으로 연결하는 기술로 거대역폭 메모리에 주로 쓰인다. 기존의 와이어 본딩 방식은 칩을 회로기판에 심은 뒤 전기선을 연결하는 것이지만, 실리콘 관통전극 방식은 칩을 쌓은 뒤 그 실리콘 기판을 뚫고 전극으로 연결하는 것이다. TSV는 기존 와이어 본딩 방식에 비해 전송거리가 줄어 동작 속도는 두 배 빠르면서 소비전력은 절반 수준으로 줄였다. ...

    모바일D램 [mobile DRAM] 경제용어사전

    스마트폰, 태블릿 PC 등의 모바일 기기에서 주로 사용되는 DRAM. 저전력소요 및 고성능이 모바일 DRAM의 특징이다. 모바일D램은 낸드플래시 보다 1000배 이상 빠른 속도로 데이터를 저장하고 삭제할 수 있어 데이터 를 저장했다가 일이 끝나면 바로 데이터를 지우고 다음 데이터를 받을 준비를 한다. 이 때문에 모바일D램 용량이 늘어나면 스마트폰에서 '멀티 태스킹'을 원활히 할 수 있다. 영화 보면서 카카오톡 하다 전화를 받아도 반응 속도가 ...

    스택과 트렌치 [stack and trench] 경제용어사전

    반도체 D램 개발의 방식을 뜻한다. 스택은 회로를 고층으로 쌓는 것이고 트렌치는 지하로 파고들어가는 형식이라고 볼 수 있다. 삼성은 1987년 4메가D램을 개발할 때 스택 방식을 채택했다. 일본 도시바는 이때 트렌치 방식을 사용했는데 훗날 생산성 저하로 D램부문의 경쟁력을 잃게 됐다.

    DDR4 [double data rate 4] 경제용어사전

    DDR은 동작속도 등으로 규정한 D램 반도체 의 규격으로 정확히는 DDR SDRAM이라 한다 PC용 DDR RAM은 DDR1, DDR2, DDR3, DDR4 등으로 나뉜다. 뒤에 붙은 숫자가 높아질 때마다 동작 속도가 2배씩 증가한다. DDR2는 DDR1보다 2배 정도 빠르며, DDR4는 DDR1보다 8배 정도 빠르다. 각 DDR 메모리를 사용하려면 그 규격을 지원하는 메인보드가 필요하다. 가령, DDR3 메인보드에서는 DDR4 RAM을 사용할 ...

    STT-M [Spin Transfer Torque-Magnetic RAM] 경제용어사전

    D램과 낸드플래시의 특성을 모두 가지고 있어 전력이 끊겨도 데이터 가 사라지지 않는 차세대 메모리 이다. STT-MD램과 구조가 비슷하지만 커패시터 대신 복잡한 구조의 자성층을 형성시키는 메모리다. 이 자성체가 돌면서 ... 기술적 한계로 여겨지는 10 나노미터 (㎚) 이하에서도 집적이 가능하며 처리 속도가 빠르고 전력 소모가 적다는 장점이 있다. 2011년 7월 하이닉스와 도시바가 2014년 M 양산을 목표로 합작사를 설립하기도 했다. .

    버스D램 [Rambus DRAM] 경제용어사전

    1992년 미국의 반도체 설계 전문업체인 버스 사가 개발한 것으로 초고속 데이터베이스 전송용 메모리 제품을 말한다. 버스D램의 데이터 전송속도는 초당 500MB로 기존의 범용 16메가 D램의 초당 전송속도인 20MB보다 월등히 빠른 것이다. 특히 그래픽 전송에서 탁월한 성능을 발휘해 고속 동화상처리에 적합하다.

    STT- [Spin Transfer Torque RAM] 경제용어사전

    자기적 성질을 이용한 차세대 메모리 로 D램과 낸드플래시의 장점을 고루 갖춘 메모리 솔루션이다. 커패시터에 전자를 가둬서 0과 1의 신호로 데이터 를 보관하는 DRAM과 달리 STT-은 자기터널접합(MTJ, magnetic tunnel junction)이라는 자성 물질구조에서 자성보유 여부에 따라 0과 1로 데이터를 저장한다. 전력 공급 없이도 정보를 보관할 수 있고 반복 기록 및 재생이 거의 무한하며 속도 S 수준의 초고속 동작이 가능하며 ...

    DXI [DRAM eXchange Index] 경제용어사전

    대만의 반도체 시장조사 회사인 D램 익스체인지(DRAMeXchange)사에서 발표하는 주요 메모리 의 가격변동을 나타내는 지수. DDR2, NAND Flash 등D램과 관련된 주요한 칩들의 가격을 합해 평균을 내서 산출된다. 변동성 이 심한 메모리 산업의 업황을 정확하게 반영하고 있는 것으로 평가되고 있다.