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인텔과 마이크론테크놀로지가 데이터 임시저장용 반도체인 D램과 반영구 저장장치인 낸드플래시의 장점을 합해 만든 차세대 메모리 반도체 기술. 기존 낸드플래시보다 데이터 저장속도가 1000배 이상 빠르다. 업계에서 차세대 메모리나 `뉴 메모리'로 부른다. 인텔과 마이크론이 2015년 7월 29일 이 기술을 발표하며 “메모리 기술의 돌파구”라고 했다. 두 회사는 “낸드플래시가 1989년 도입된 지 25년여 만에 새로운 메모리 카테고리가 만들어지는 것”이라고 ...

... 설립한 첫 산학연계 기업이다. 칭화대에서 100% 출자해 설립한 칭화홀딩스가 이 회사 지분 51%를 보유하고 있다. 칭화유니그룹은 2013년 이후 중국의 반도체업체 스프레드트럼과 RDA마이크로일렉트로닉스를 잇달아 인수해 중국 최대 반도체 설계기업이 됐다. 2015년 3월에는 미국 HP의 중국 내 서버·네트워킹 사업부를 인수하기도 했다. 또한 2015년 7월에는 메모리 반도체 세계 3위 기업인 미국 마이크론테크놀로지를 인수하겠다고 제안하기도 했다.

... 없어 친환경적이며, 전기적 특성을 조절할 수 있는 반도체적 성질 덕분에 현대 반도체 산업의 핵심 재료로 자리 잡았다. 실리콘은 고순도로 정제해 얇은 원판(웨이퍼) 형태로 가공되며, 이를 기반으로 수많은 트랜지스터와 전자 회로가 집적된 칩이 만들어진다. 오늘날 생산되는 CPU, D램, 플래시메모리 등 대부분의 디지털 기기 핵심 부품은 실리콘 기반이다. 실리콘은 가격, 성능, 안정성, 가공성, 공급량 등 모든 면에서 뛰어난 반도체 소재로 평가받는다.

3차원 수직구조로 집적도를 높인 V낸드에 데이터 저장 효율을 높인 3비트 기술(TLC·트리플레벨셀)을 적용한 고성능 낸드플래시다.

삼성전자가 세계 최초로 양산하고 있는 웨어러블 기기 전용 메모리반도체 패키지(ePOP). 2014년 10월 경기 고양시 킨텍스에서 열린 전자정보통신산업대전에서 처음 공개됐다. 웨어러블 메모리는 AP(애플리케이션 프로세서)와 낸드플래시, 모바일D램 등을 하나의 패키지로 묶은 것이다. AP와 낸드를 같은 패키지 안에 묶었기에 ePoP(embedded Package on Package)이라는 이름을 붙였다. 이 묶음 기술을 적용함으로써 칩 면적을 50% ...

프로세서(CPU)와 HDD나 SSD같은 메모리간에 주고받는 데이터 양이 폭증하면서 둘 사이에 작업처리가 지연되는 현상. CPU, 메모리, 프로그램 구조를 갖는 범용 컴퓨터 구조를 확립한 수학자 폰 노이만의 이름을 딴 용어이다.

D램 메모리에 연산이 가능한 프로세서 기능을 더한 미래형 반도체다. 메모리 반도체는 데이터 저장 역할을 맡고, 사람의 뇌와 같은 기능인 연산 등은 비메모리 반도체인 중앙처리장치(CPU)나 그래픽처리장치(GPU)가 담당하는 게 일반적이다. 프로세서와 메모리 기능이 완전히 분리돼 둘 사이에 정보가 오가는 과정에서 병목 현상이 잦았다 PIM은 이러한 공식을 깨고 연산도 할 수 있는 '차세대 스마트 메모리'다. 기존엔 프로세서와 메모리 기능이 완전히 분리돼 ...

운전자가 핸들과 가속페달, 브레이크 등을 조작하지 않아도 정밀한 지도, 위성항법시스템(GPS) 등 차량의 각종 센서로 상황을 파악해 스스로 목적지까지 찾아가는 자동차를 말한다. 엄밀한 의미에서 사람이 타지 않은 상태에서 움직이는 무인자동차(driverless cars)와 다르지만 실제론 혼용되고 있다. 자율주행 자동차가 실현되려면 차간 거리를 자동으로 유지해주는 HDA 기술, 차선이탈 경보 시스템(LDWS), 차선유지 지원 시스템(LKAS), ...

... (OS)가 스마트폰 시장에 새로운 반향을 일으킬 것이라고 예견한 바 있다. 크린게비엘 교수는 클라우드 OS가 확산되면 저사양 스마트폰도 고사양 스마트폰과 비슷한 역할을 수행할 수 있다고 봤다. 빠른 앱 프로세서 없이도 클라우드에 바로 접속해 앱을 실행시킬 수 있기 때문이다. 가상 공간에 앱을 저장해두는 시스템이기 때문에 큰 메모리 용량도 필요하지 않다. 크린 게비엘 교수는 “클라우드 폰이 나오면 모든 스마트폰은 '바보 폰'이 될 것”이라고 말했다.

V낸드는 종전까지 수평 구조로 만들던 2차원 셀을 3차원 수직 구조로 쌓아올려 평면구조에 비해 집적도를 획기적으로 높인 기술이다. 최근 메모리 공정이 10나노급까지 진입하면서 셀 간 간격이 좁아져 전자가 누설되는 ''간섭 협상''이 심화되는 등 미세화 기술은 한계에 도달했는데 V낸드는 이를 극복하기 위한 대안으로 떠오른 것이다. V낸드는 셀 간의 간섭이 크게 줄어 쓰기속도와 수명, 전력효율이 크게 개선한 것으로 2013년 8월 6일 삼성전자가 ...