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사전 1-10 / 40건

옵테인 DC퍼시스턴트 메모리 경제용어사전

인텔이 2019년 4월 선보인 옵테인 메모리는 D램처럼 속도가 빠르면서 전원이 꺼져도 정보가 사라지지 않는 낸드플래시의 장점을 갖춰 퍼시스턴트(persistent·지속 가능한) 메모리로 불린다. 2019년 9월 16일(현지시간) 오라클은 자사의 신형 데이터 서버인 엑사데이터 X8M에 옵테인DC퍼시스턴트 메모리를 채택한다고 발표했다.D램, 낸드플래시와 같은 메모리 반도체가 대규모로 장착되는 데이터센터 서버에 옵테인 메모리가 적용된 적은 없었다. 오라클과 ...

1TB eUFS2.1 경제용어사전

삼성전자가 2019년 1월 30일 발표한 모바일 내장 메모리 장치. 5세대 512기가비트(Gb) 낸드플래시를 16단 적층하고 고성능 컨트롤러를 결합해 기존 제품과 동일한 크기에서 메모리 저장용량을 두 배 키웠다. 전 세계에서 1TB급 모바일 내장 메모리가 나온 것은 이번이 처음이다. 삼성전자는 2015년 1월 기존 제품과 규격이 전혀 다른 모바일용 메모리인 'eUFS 2.0'을 128GB급 용량으로 선보인 후 4년 만에 메모리 용량을 8배 키웠다. ...

512GB eUFS3.0 [embedded Universal Flash Storage 3.0] 경제용어사전

... 이상 빠른 속도로, 모바일 기기에 저장한 데이터를 PC(eUFS 3.0 → NVMe SSD 기준)로 전송시 Full HD급 영화 1편(3.7GB)을 3초 안에 보낼 수 있다. 삼성전자의 512GB eUFS3.0은 5세대 512Gb V낸드를 8단으로 적층하고 고성능 컨트롤러를 탑재해 이같은 성능을 구현했다. 또 연속쓰기 속도도 410MB/s로 기존 eUFS 2.1 제품보다 1.5배 이상 높였고, 임의 읽기·쓰기 속도도 최대 1.3배 빠른 6만3000·6만8000 IO...

PUC [peri under cell] 경제용어사전

셀(cell) 작동을 관장하는 주변부 회로인 페리를 데이터 저장 영역인 셀 아래에 배치해 공간 효율을 높이는 기술. 아파트 옥외 주차장을 지하주차장으로 구조를 편경해 공간효율을 극대화하는 것에 비유할 수 있다. 옥외 주차장 대신 지하 주차장을 지으면 건물 구조가 단순해지는 원리다. SK하이닉스가 2018년 10월말 96단4D낸드플래시를 개발할때 세계최초로 PUC기술을 적용했다.

96단 4D 낸드플래시 [96-layer 512 gigabit (Gb) CTF-based 4D NAND flash] 경제용어사전

K하이닉스는 2018년 10월말 세계 최초로 CTF(charge trap flash) 구조에 PUC(peri under cell) 기술을 결합하여 개발한 96단 512기가비트(Gb) TLC(3비트 단위로 데이터 저장) 4D 낸드. 기존 3D 낸드와 비교해 한 단계 진화했다는 의미로 '4D'라는 이름을 붙였다. 3D 낸드는 메모리반도체업계의 패러다임을 바꾼 제품이다. 셀을 평면(2D)으로 배치하는 과정에서 집적도의 한계에 직면하자 이를 수직으로 쌓아 ...

4비트 QLC SSD [4bit quald-level cell SSD] 경제용어사전

... 8개에서 16개로 늘어나면서 각 단위당 전하량이 절반수준으로 낮아져 제품의 성능과 속도를 유지하는데 기술적 난이도가 높다. 삼성전자가 2018년 8월 7일 4비트 낸드플래시를 기반으로 하는 4테라바이트급 QLC SATA SSD를 양산하기 시작했다고 밝혔다. QLC기술을 기반으로 하는 낸드플래시로 만들어진 세계첫 SSD제품이다. 삼성전자는 4세대(64단) 1Tb 4비트 V낸드 칩 32개를 이용해 업계 최대인 4TB SSD를 만들었고, 기존 고성능 3비트 ...

96단 3차원 낸드플래시 [3D NAND flash with 96-layer] 경제용어사전

데이터가 저장되는 3D셀을 96단 쌓아 올린 5세대 3D 낸드. 삼성전자가 2018년 5월부터 평택 공장에서 양산을 시작했으며 6월부터 이를 기반으로 한 SSD의 양산을 시작했다. 96단 3D낸드플래시는 기존 64단 3D 낸드 ... 30% 줄었다. 칩 하나에 1Tb(테라비트)까지 담을 수 있다. 최대 512Gb(기가비트)를 저장했던 64단 3D 낸드 대비 2배 가까이 많은 데이터를 저장할 수 있다. 단수는 1.5배가량 늘었지만 전체 칩의 높이는 20% 올라가는 ...

eUFS [embedded Universal Flash Storage] 경제용어사전

낸드 플래시 기반의 모바일 기기용 메모리. 기존에 저장 장치로 많이 사용되던 임베디드 멀티미디어 카드(eMMC-embedded multi media card)보다 읽고 쓰는 속도가 2-3배 빠르고 같은 크기에 더 많은 데이터를 담을수 있다. 삼성전자는 2015년 1월 모바일용 '128GB eUFS 2.0' 양산을 시작으로 2016년 2월 '256GB eUFS 2.0', 2017년 11월 '512GB eUFS 2.1'을 잇따라 발표했으며 2019년 ...

512GB eUFS2.1 경제용어사전

삼성전자가 2017년 11월 발표한 스마트폰 용 플래시 메모리. 가로 세로 11.5mm에 높이 1.0mm로 2016년 2월 발표했던 256GB eUFS2.0과 같은 크기다. 64단 3D 낸드를 8개 쌓고 데이터를 쓰고 읽는 컨트롤러와 3D 낸드 사이를 회로로 연결했다. 컨트롤러를 낸드 옆에 부착하는 기존 방식보다 크기를 줄일 수 있다. 일반적으로는 저장용량이 늘어나면 저장 셀의 크기도 커지면서 전하가 이동해야 할 거리가 길어져 읽기·쓰기 속도는 떨어지고 ...

72단 256Gb 3D 낸드플래시 [72-layer 256 gigabit three-dimensional NAND Flash] [72-l] 경제용어사전

... 4월 10일 SK하이닉스가 업계 최초로 개발에 성공 했고 2017년 하반기 부터 양상을 개시하겠다고 발표한 4세대 낸드 제품을 말한다. 이 제품은 SK하이닉스 고유 기술을 적용해 개발했으며, 적층수 증가에 따른 공정 난이도 극복을 통해 ... 48단 256Gb 3D 낸드를 양산한 데 이어 이번에 72단 256Gb 3D 낸드 개발까지 신속하게 완료해 3D 낸드 시장에서 업계 최고 수준 제품 경쟁력을 확보하게 됐다. 이 72단 256Gb 3D 낸드플래시는 72층 빌딩 약 40억개를 ...