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사전 1-10 / 118건

영구메모 경제용어사전

전원이 꺼져도 데이터를 보존하는 메모리다. 용량과 성능을 높이는 미래 영구메모리 기술 개발은 인텔 등 소수 글로벌 기업이 주도하고 있다. 2021년 3월 16일 KAIST는 정명수 전기및전자공학부 교수 연구팀이 비휘발성 메모리와 초저지연 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 하나의 메모리로 통합하는 메모리오버스토리지(MoS) 기술을 개발하는 데 성공했다고 밝혔다. 정 교수 연구팀은 인텔의 영구메모리 제품인 '옵테인' 대비 메모리 슬롯당 네 배 이상의 저장 ...

iUICC [lntergrated SIM or iSIM] 경제용어사전

iUICC는 가입자 인증과 요금 부과 등을 위해 개인정보를 저장한 소형 메모리 카드인 심(SIM)을 기기 내에서 통신 칩셋의 기능으로 구현한 기술이다. 기존에는소프트웨어 방식으로 심을 대체하는 기술이 있었지만 보안 취약성 문제로 서비스 활용에 제약이 있었다. iUICC는 이 같은 문제점을 해결하는 것은 물론 심 카드가 차지하던 공간을 절약해 기기 크기를 줄일 수 있다.

엑스큐브 [X-cube] 경제용어사전

웨이퍼(반도체 원재료)에 회로를 새긴 상태의 칩을 여러 개 얇게 쌓아 하나의 반도체로 만드는 기술이다. 로직 칩과 캐시 메모리 칩을 따로 만든 뒤 직렬 배치해 전체 칩 면적을 줄이고 자유로운 설계를 가능하게 한다. 2020년 8월 13일 삼성전자가 시스템 반도체를 3차원(3D) 형태로 쌓아 올린 'X-큐브' 기술을 적용한 테스트 칩을 생산했다고 밝혔다. 7나노미터(nm=10억분의 1m) 이하 극자외선(EUV) 공정에 이를 적용한 것은 삼성이 세계 ...

옵테인 DC퍼시스턴트 메모 경제용어사전

인텔이 2019년 4월 선보인 옵테인 메모리는 D램처럼 속도가 빠르면서 전원이 꺼져도 정보가 사라지지 않는 낸드플래시의 장점을 갖춰 퍼시스턴트(persistent·지속 가능한) 메모리로 불린다. 2019년 9월 16일(현지시간) 오라클은 자사의 신형 데이터 서버인 엑사데이터 X8M에 옵테인DC퍼시스턴트 메모리를 채택한다고 발표했다.D램, 낸드플래시와 같은 메모리 반도체가 대규모로 장착되는 데이터센터 서버에 옵테인 메모리가 적용된 적은 없었다. 오라클과 ...

1TB eUFS2.1 경제용어사전

삼성전자가 2019년 1월 30일 발표한 모바일 내장 메모리 장치. 5세대 512기가비트(Gb) 낸드플래시를 16단 적층하고 고성능 컨트롤러를 결합해 기존 제품과 동일한 크기에서 메모리 저장용량을 두 배 키웠다. 전 세계에서 1TB급 모바일 내장 메모리가 나온 것은 이번이 처음이다. 삼성전자는 2015년 1월 기존 제품과 규격이 전혀 다른 모바일용 메모리인 'eUFS 2.0'을 128GB급 용량으로 선보인 후 4년 만에 메모리 용량을 8배 키웠다. ...

512GB eUFS3.0 [embedded Universal Flash Storage 3.0] 경제용어사전

삼성전자가 2019년 2월에 양산을 시작한 차세대 모바일 메모리. 'eUFS 3.0' 제품은 기존 'eUFS 2.1' 보다 2배 이상 빠른 2100MB/s의 연속읽기 속도를 구현한다. 이는 SATA SSD보다 약 4배, 마이크로SD 카드보다는 20배 이상 빠른 속도로, 모바일 기기에 저장한 데이터를 PC(eUFS 3.0 → NVMe SSD 기준)로 전송시 Full HD급 영화 1편(3.7GB)을 3초 안에 보낼 수 있다. 삼성전자의 512GB eUFS3.0은 ...

UFS 경제용어사전

스마트폰, 태블릿, 크롬북, 차량용 엔터테인먼트 시스템이 등 모바일 기기에서 사용되는 최신 내장 메모리 규격. eMMC 플래시 스토리지 기술을 궁극적으로 대체하기 위해 반도체 분야 표준 기관인 JEDEC이 2011년에 그 기준을 설정했다. UFS 기술은 크게 내장형 스토리지(eUSF)와 마이크로SD와 유사한 착탈식 스토리지 형태로 나뉜다. 애플은 이 표준을 따르지 않고 아이폰과 아이패드에서 맞춤형 NVMe 기술을 사용하고 있다. UFS 2.1은 기존 ...

96단 4D 낸드플래시 [96-layer 512 gigabit (Gb) CTF-based 4D NAND flash] 경제용어사전

... PUC(peri under cell) 기술을 결합하여 개발한 96단 512기가비트(Gb) TLC(3비트 단위로 데이터 저장) 4D 낸드. 기존 3D 낸드와 비교해 한 단계 진화했다는 의미로 '4D'라는 이름을 붙였다. 3D 낸드는 메모리반도체업계의 패러다임을 바꾼 제품이다. 셀을 평면(2D)으로 배치하는 과정에서 집적도의 한계에 직면하자 이를 수직으로 쌓아 올리는 기술을 개발한 것이다. 2013년 삼성전자가 처음으로 24단을 쌓은 1세대 3D 낸드를 양산했다. 이후 ...

eUFS [embedded Universal Flash Storage] 경제용어사전

낸드 플래시 기반의 모바일 기기용 메모리. 기존에 저장 장치로 많이 사용되던 임베디드 멀티미디어 카드(eMMC-embedded multi media card)보다 읽고 쓰는 속도가 2-3배 빠르고 같은 크기에 더 많은 데이터를 담을수 있다. 삼성전자는 2015년 1월 모바일용 '128GB eUFS 2.0' 양산을 시작으로 2016년 2월 '256GB eUFS 2.0', 2017년 11월 '512GB eUFS 2.1'을 잇따라 발표했으며 2019년 ...

512GB eUFS2.1 경제용어사전

삼성전자가 2017년 11월 발표한 스마트폰 용 플래시 메모리. 가로 세로 11.5mm에 높이 1.0mm로 2016년 2월 발표했던 256GB eUFS2.0과 같은 크기다. 64단 3D 낸드를 8개 쌓고 데이터를 쓰고 읽는 컨트롤러와 3D 낸드 사이를 회로로 연결했다. 컨트롤러를 낸드 옆에 부착하는 기존 방식보다 크기를 줄일 수 있다. 일반적으로는 저장용량이 늘어나면 저장 셀의 크기도 커지면서 전하가 이동해야 할 거리가 길어져 읽기·쓰기 속도는 떨어지고 ...