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내부에 CPU와 메모리 등이 장착하고 있어 외부 위협으로부터 공인인증서(개인키 포함)를 안전하게 보호할 수 있는 스마트카드, USB토큰 등의 휴대용 저장장치를 말한다. 전자서명이 저장장치 내부에서 생성되고 저장된 전자서명 생성키는 저장장치 외부로 나오지 않기 때문에 피싱 및 해킹 등으로부터 공인인증서유출을 방지할 수 있다.

2007년 10월 삼성전자가 30나노 64기가비트(Gb) 낸드플래시 메모리 를 개발하면서 처음 사용한 기술. SaDPT는 60나노 선폭으로 두번 코팅 공정을 해서 30나노를 구현하는 기존 방식(DPT)으로는 제품 양산이 어려운 점을 극복하기 위해 단 한차례만 코팅 공정을 거친 뒤 산화막을 중간에 넣고 깎아내는 방식으로 이중 회로 패턴을 형성해 30나노를 구현해 낸 신기술이다.

D램에 비해 구조가 단순하고 작으며 생산비용도 획기적으로 줄일 수 있을 것으로 기대되는 차세대 메모리 반도체 . D램의 기억소자는 전하를 담는 역할을 하는 캐패시터와 캐패시터를 여닫는 스위치 역할을 하는 트랜지스터 로 이루어져 있다. 캐패시터가 전하를 담고 있으면 1, 전하를 담고 있지 않으면 0으로 처리되는 방식으로 데이터 를 저장한다. 반면 Z램은 트랜지스터 내부에 불필요한 양전하가 쌓이는 단점을 역이용하여 이를 0과 1상태를 표현하는 ...

... 것으로 2007년 3월 삼성전자가 처음으로 선보였다. 기존 원낸드의 고성능을 그대로 유지하면서 두 종류의 낸드플래시인 SLC의 고성능과 MLC의 저비용 고용량 장점을 통합한 퓨전 반도체 다. 플렉스-원낸드는 삼성전자의 1호 퓨전메모리 원낸드와 2호인 원디램 에 이어 개발한 세 번째 퓨전 반도체다. 이 제품은 모바일기기 업체들이 휴대폰마다 다르게 요구되는 특성에 따라 데이터 처리 속도와 메모리 용량 (2-4기가)을 적절히 조절해 쓸 수 있도록 한 ...

시스템 메모리 상의 여러 프로세스와 모듈에 대한 읽기 전용 복사본. 휘발성 증거를 포착할 때 사용된다.

전원이 끊어진 상태에서도 정보를 유지하고 있어 전원이 공급되면 다시 저장된 정보를 사용할 수 있는 기억 매체. CD, 읽기용 기억 장치(ROM), 하드 디스크 와 플래쉬 디스크(flash disks) 등이 이에 속한다.

단면의 지름이 1 나노미터 (1나노는 10억분의 1미터) 정도의 극미세선을 말한다. 레이저나 트랜지스터 , 메모리 , 화학감지용 센서(감지기) 등 다양한 분야에 응용되고 있다.

나노 기술을 이용해 만든 반도체 또는 고분자 소재를 말한다. 특히 메모리 분야에서 각광받는 기술로 나노 소자를 이용하면 분자 하나가 하나의 정보를 저장하는 메모리를 만들 수 있다.

플래시 메모리 칩처럼 전원이 꺼지더라도 저장한 정보를 살릴 수 있으며 플래시 메모리 와 램의 빠른 동작특성 등의 장점을 모두 갖춘 메모리 반도체 를 말한다. PCM은 플래시메모리와 램의 기존 노어 플래시 및 낸드 플래시보다 저전력으로 빠르게 읽기, 쓰기를 할 수 있으며 램의 일반적인 특성인 비트 가변성도 갖추고 있다. PCM을 탑재하면 램의 소비를 줄여, 메모리 시스템의 비용과 전력소모를 획기적으로 낮출 수 있다.

삼성전자가 2006년 9월 발표한 반도체 . 머리카락의 3천분의 1에 불과한 40나노 공정을 사용해 개발한 것으로 32기가 메모리 용량은 세계 인구 65억명의 5배인 328억개의 메모리 기본 소자가 엄지 손톱만한 크기에 집적돼있다. 노래 8천곡을 저장할 수 있는 용량이다.