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퓨전메모리 [Fusion Memory] 경제용어사전

D램, 플래시 메모리 등 다양한 형태의 메모리 와 비메모리를 하나의 칩에 결합시킨 것. D램의 고용량과 S램의 고속도, 플래시 메모리의 비휘발성과 논리형 반도체 (일종의 인공지능 형 반도체)의 일부 특성 및 장점까지 갖춘 차세대 신개념 반도체다.

3중셀 기술 [3 bit per cell technology] 경제용어사전

셀 하나당 3 비트의 정보를 저장할 수 있는 차세대 낸드 플래시 기술로 하이닉스가 2008년 6월 세계최초로 개발했다. 하나의 낸드 플래시에는 수백억 개의 메모리 셀로 구성되어 있는데, 이 메모리 셀 하나당 1비트의 정보를 저장하는 방식을 SLC(Single Level Cell)라고 부른다. 현재 일반적으로 상용화된 MLC(Multi Level Cell) 기술은 메모리 셀 하나당 2 비트의 정보를 저장할 수 있으며, 이처럼 셀당 저장 용량이 ...

NVM [non-volatile memory] 경제용어사전

비휘발성 메모리 반도체 로 전원이 끊어져도 정보를 유지하고 있어 전원이 공급되면 다시 저장된 정보를 사용할 수 있는 기억장치 .

랭크 [Rank] 경제용어사전

메모리 모듈에서 개별 메모리 소자(Component)가 여럿 모여서 하나의 단위로 동작하는 것을 말한다. 예를들어, 같은 용량의 1GB 모듈이라도, 1Gb 8개가 하나의 단위로 동작하는 것을 1 Rank라고 할 경우엔 1GB 1-Rank 모듈, 1Gb 4개가 하나의 단위로 동작하는 것을 1 Rank라고 한다면 1GB 2-Rank인 모듈이 된다.

USIM카드 [Universal Subscriber Identity Module Card] 경제용어사전

가입자의 전화번호, 신상 등의 정보를 담은 메모리 카드로 사용자 인증 과 국제 로밍, 전자상거래 등 다양한 기능을 1장의 카드에 구현한 것. 은행업무, 증권, 교통카드, 각종 제휴카드 등 다양한 부가서비스로 가능케 한다. 3세대 이동통신 (WCDMA) 단말기 뒷부분 건전지 부근에 장착된다. 일반적으로 가입자 정보를 탑재한 SIM(subscriber identity module) 카드와 UICC(universal IC card)가 ...

보안토큰 [Hardware Security Module] 경제용어사전

내부에 CPU와 메모리 등이 장착하고 있어 외부 위협으로부터 공인인증서(개인키 포함)를 안전하게 보호할 수 있는 스마트카드, USB토큰 등의 휴대용 저장장치를 말한다. 전자서명이 저장장치 내부에서 생성되고 저장된 전자서명 생성키는 저장장치 외부로 나오지 않기 때문에 피싱 및 해킹 등으로부터 공인인증서유출을 방지할 수 있다.

GDDR5 [Graphics Double Data Rate, version 5] 경제용어사전

그래픽 카드 메모리 의 한 종류의 GDDR4에서 한 단계 업그레이드 된 것이다. 기존 GDDR3는 1개 핀에서 최대 속도 2.4Gbps(1초당 2.4기가비트)까지, GDDR4는 3Gbps까지 구현할 수 있었지만 GDDR5는 핀 1개당 5Gbps의 최고 동작 속도를 구현할 수 있어 고사양 그래픽 정보 처리에 적합하다.

자가정렬이중패턴 [Self-aligned Double Patterning Technology] 경제용어사전

2007년 10월 삼성전자가 30나노 64기가비트(Gb) 낸드플래시 메모리 를 개발하면서 처음 사용한 기술. SaDPT는 60나노 선폭으로 두번 코팅 공정을 해서 30나노를 구현하는 기존 방식(DPT)으로는 제품 양산이 어려운 점을 극복하기 위해 단 한차례만 코팅 공정을 거친 뒤 산화막을 중간에 넣고 깎아내는 방식으로 이중 회로 패턴을 형성해 30나노를 구현해 낸 신기술이다.

Z램 [Z RAM] 경제용어사전

D램에 비해 구조가 단순하고 작으며 생산비용도 획기적으로 줄일 수 있을 것으로 기대되는 차세대 메모리 반도체 . D램의 기억소자는 전하를 담는 역할을 하는 캐패시터와 캐패시터를 여닫는 스위치 역할을 하는 트랜지스터 로 이루어져 있다. 캐패시터가 전하를 담고 있으면 1, 전하를 담고 있지 않으면 0으로 처리되는 방식으로 데이터 를 저장한다. 반면 Z램은 트랜지스터 내부에 불필요한 양전하가 쌓이는 단점을 역이용하여 이를 0과 1상태를 표현하는 ...

플렉스-원낸드 [Flex-OneNAND] 경제용어사전

... 것으로 2007년 3월 삼성전자가 처음으로 선보였다. 기존 원낸드의 고성능을 그대로 유지하면서 두 종류의 낸드플래시인 SLC의 고성능과 MLC의 저비용 고용량 장점을 통합한 퓨전 반도체 다. 플렉스-원낸드는 삼성전자의 1호 퓨전메모리 원낸드와 2호인 원디램 에 이어 개발한 세 번째 퓨전 반도체다. 이 제품은 모바일기기 업체들이 휴대폰마다 다르게 요구되는 특성에 따라 데이터 처리 속도와 메모리 용량 (2-4기가)을 적절히 조절해 쓸 수 있도록 한 ...