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- 노광장비 [lithography equipment] [phot] 경제용어사전
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... 노광 기술은 크게 EUV(극자외선)와 DUV(심자외선) 두 가지로 나뉜다. EUV 노광장비: 초미세 공정의 핵심 EUV 노광장비는 7나노 이하의 첨단 반도체 제조에 필수적이며, 주로 비메모리 반도체(파운드리) 공정에서 활용된다. DRAM 제조에서도 EUV 기술은 4세대10나노급 공정에서 사용되고 있다. (SK하이닉스는 2021년 7월부터 EUV를 활용한 LPDDR4 모바일 DRAM(4세대 10나노급)을 양산하기 시작했다). 현재 EUV 기술을 바탕으로 7나노 이하의 ...
- 반도체 제품 세대 명칭 경제용어사전
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DRAM 반도체 제품은 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c 등등의 별도의 명칭을 이용해 제품 새대를 표현한다 10나노급 1세대- 1x : 18nm 공정과 동급 10나노급 2세대- 1y : 16nm 공정과 동급 10나노급 3세대- 1z : 15nm 공정과 동급 10나노급 4세대- 1a (alpha) : 14nm 공정과 동급 10나노급 5세대 1b (beta) : 12~13nm 공정과 동급 10나노급 6세대- 1c (gamma) : 11~12nm ...
- GDDR4 SDRAM [Graphics Double Data Rate 4 Synchronous Dynamic Random-Access Memory] 경제용어사전
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GDDR4(Graphics Double Data Rate 4) SDRAM은 2005년 JEDEC에 의해 표준화된 그래픽 메모리로, GDDR3의 후속 버전이다. 삼성전자가 2005년 10월 세계 최초로 개발에 성공했으며, 주로 고성능 그래픽 카드에 사용되었다. GDDR4는 600-1000MHz의 클럭 속도와 2.4-3.2GT/s의 전송 속도를 제공하며, 이는 64-128GB/s의 대역폭을 가능하게 한다. 또한, GDDR3에 비해 낮아진 1.5V의...
- GDDR3 SDRAM [Graphics Double Data Rate 3 SDRAM] 경제용어사전
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GDDR3는 2002년에 JEDEC(국제 반도체 표준 협의 기구)에 의해 표준화된 그래픽 메모리로, 초당 6.4GB의 데이터 전송률을 자랑한다. 이는 기존의 DDR SDRAM보다 4배 이상 빠른 성능을 제공하며, 주로 그래픽 카드에 사용되어 게임이나 그래픽 작업에서 뛰어난 성능을 발휘한다. 2003년 출시된 GDDR3는 625MHz의 클럭 속도와 2.5GT/s의 전송 속도로 19.9GB/s의 대역폭을 제공했다. 이 성능은 당시 최첨단 그래픽 카...
- 1c D램 [sixth generation of DRAM] 경제용어사전
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1c D램은 10나노미터(nm) 중반의 회로 선폭을 가진 6세대 D램을 뜻한다. 1c D 램의 c는 10나노미터(nm) 급 D 램의 세대를 나타내는 알파벳으로 이전 세대인 1b D램(5세대)보다 미세한 공정으로 제작되며, 성능은 높고 전력 소비는 적다. 1c 기술을 적용한 DDR5의 동작 속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로, 이전 세대인 1b DDR5보다 11% 더 빠르며 전력 효율이 9% 이상 향상되었다. SK하이닉스는 2024년 8월 29...
- 불화크립톤 [KrF] 경제용어사전
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크립톤과 불소의 화합물로, 무색의 가스이다. 반도체 제조 공정에서 노광제로 사용되는 레이저에 사용되는 가장 일반적인 가스 중 하나이다. KrF 레이저는 257nm의 파장을 가지고 있으며 이는 DRAM 및 플래시 메모리와 같은 미세한 전자 부품을 제조하는 데 사용되는 파장이다.
- 3D D램 [3D DRAM] 경제용어사전
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3D D램은 데이터 저장 공간인 셀을 지금처럼 수평으로 배치하는 게 아니라 수직으로 쌓아 단위 면적당 용량을 세 배 키운 제품으로 3차원 D램이라고도 한다. 대용량 데이터를 빠르게 처리할 수 있어 '인공지능(AI) 시대 게임체인저'로 불린다. 삼성전자는 2024년 3월26~28일 미국에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘(MEMCON) 2024'에서 3D D램 개발 로드맵을 발표했다. 3D D램은 D램 내부에 있는 셀을 수직으로 쌓은 한 개의 D...
- LLW D램 [low latency wide DRAM] 경제용어사전
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삼성전자가 개발중인 차세대 고효울 D램으로 입출력단자(I/O)를 늘려 기존 모바일용 D램 대비 데이터 처리 용량(대역폭)을 높인 제품이다. 프로세서에 가깝게 배치해 활용하면 일반 D램 대비 전력 효율이 70% 정도 향상되어 확장현실(XR) 기기 등에 적용될 전망이다. 2024년 4분기부터 양산을 시작할 계획이다.
- LPCAMM [Low Power Compression Attached Memory Module] 경제용어사전
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스마트폰, 태블릿, 노트북 등 모바일 장치 등에 탑재되는 저소비전력 D램인 LPDDR 여러개를 패키징해 제작한 모듈형 제품. 저전력 고용량 DRAM을 원하는 PC와 노트북에 사용될 것으로 보인다. 2023년 9월 26일 삼성전자가 업계 최초로 개발을 선언했다. LPCAMM은 So-DIMM 대비 탑재 면적을 최대 60% 이상 감소시켜 PC나 노트북의 부품 구성 자유도를 높여 배터리 용량 추가 확보 등 내부 공간을 보다 효율적으로 사용할 수 있다. 특히 ...
- 12nm DRAM 경제용어사전
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회로 선폭 12나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m)급의 D램. 2023년 5월 18일 삼성전자가 최첨단 12㎚ 공정에서 16기가비트(Gb) 더블데이터레이트5(DDR5) D램 양산을 시작했다고 발표했다. 12㎚급 D램을 양산한 것은 삼성전자가 세계 최초다. 경쟁사들은 14㎚ 수준에 머물러 있다. 선폭이 좁을수록 반도체 성능이 개선되고 전력 효율은 높아진다. 이 제품은 14㎚ D램과 비교해 소비전력이 약 23% 줄었다. 최고 동작 속도는 7.2Gbp...