통합검색

... D램 개발로 40년만에 D램의 용량을 50만배 늘리는 성과를 거뒀다. 삼성전자는 2023년 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한데 이어, 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공하며 D램 미세 공정 경쟁에서 ... D램 대비 2배 용량 구현하여, 128GB(기가 바이트) 모듈을 TSV 공정없이 제작 가능하게 되었다. 기존 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈 제작 시 TSV 공정 사용이 필수이다. 또한 동일 128GB 모듈 기준, 16Gb ...

... 구현한다. 이는 SATA SSD보다 약 4배, 마이크로SD 카드보다는 20배 이상 빠른 속도로, 모바일 기기에 저장한 데이터를 PC(eUFS 3.0 → NVMe SSD 기준)로 전송시 Full HD급 영화 1편(3.7GB)을 3초 안에 보낼 수 있다. 삼성전자의 512GB eUFS3.0은 5세대 512Gb V낸드를 8단으로 적층하고 고성능 컨트롤러를 탑재해 이같은 성능을 구현했다. 또 연속쓰기 속도도 410MB/s로 기존 eUFS 2.1 제품보다 1.5배 ...

... eMMC 플래시 스토리지 기술을 궁극적으로 대체하기 위해 반도체 분야 표준 기관인 JEDEC이 2011년에 그 기준을 설정했다. UFS 기술은 크게 내장형 스토리지(eUSF)와 마이크로SD와 유사한 착탈식 스토리지 형태로 나뉜다. ... HS-Gear4를 처음으로 적용한 것이다. UFS3.0은 2.1버전의 사양보다 2 배의 성능에 해당하는 레인 당 최대 11.6Gb/s의 데이터 전송률을 갖춘 것으로 2 차선 방식을 적용하면 최대 속도가 23.2Gb/s까지 높아지게 된다. 또한 ...

비트 단위로 환산한 D램 생산량 증가율. 메모리 반도체 성장을 개수를 기준으로 할 경우 생길 수 있는 왜곡을 방지하기 위해 도입됐다. 각 메모리 용량(256Mb, 512Mb, 1Gb 등)을 1비트 단위로 환산해, 성장률 을 계산한다. 예를 들어 첫해에 256Mb 1개를 팔고, 이듬해에 512Mb 1개를 판매한 경우, 수량 기준 성장률은 0%지만 비트성장률은 100%가 된다.