한국경제

VCT는 셀을 구성하는 트랜지스터에서 전자가 흐르는 통로인 채널을 수직으로 세우고 이를 스위치 역할을 하는 게이트로 감싸는 기술이다. 기존 2D D램은 트랜지스터의 채널이 수평으로 형성되어 있어 전류가 옆으로 새는 누설 전류가 발생하고, 이로 인해 데이터 저장 용량이 제한되는 문제가 있었다. VCT를 활용하면 채널을 수직으로 세워 누설 전류를 줄이고, 데이터 저장 용량을 늘릴 수 있다. 삼성전자는 2025년 VCT(수직 채널 트랜지스터) 기술을 활용한 ...

... 3D D램 개발 로드맵을 발표했다. 3D D램은 D램 내부에 있는 셀을 수직으로 쌓은 한 개의 D램이라는 점에서 D램 완제품을 여러 개 쌓아 용량을 늘린 HBM과는 다른 개념이다. 로드맵에 따르면 삼성은 2025년 '수직 채널 트랜지스터(VCT)' 기술을 활용한 초기 버전의 3D D램을 선보일 계획이다. VCT는 셀을 구성하는 트랜지스터에서 전자가 흐르는 통로인 채널을 수직으로 세우고 이를 스위치 역할을 하는 게이트로 감싸는 기술이다. 커패시터를 포함한 전체 셀을 ...

반도체 미세화 한계 극복을 위해 도입한 기술로, 3나노 이하 초미세 회로에 도입될 트랜지스터(전류 흐름을 증폭하거나 스위치하는 역할) 구조다. 트랜지스터는 게이트(gate)에 전압이 가해지면 채널(channel)을 통해 전류를 흘리는데, 게이트와 채널이 4면에서 맞닿는 방식을 'GAA'라고 한다. GAA를 활용하면 반도체의 누설전류를 줄일 수 있다. 이 기술을 이용하면 중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU) 등 프로세서와 HBM을 수직으로 ...

... 소재 강국 일본이 나노셀룰로오스 제조기술 면에서 다소 앞서 있다는 평가다. 세이코PMC는 신발 기업 아식스와 함께 나노셀룰로오스를 적용해 신발창 무게를 50% 이상 줄인 러닝화를 선보였다. 오사카대는 전자종이를 개발하고 태양전지와 트랜지스터 등에 적용하는 방안을 연구하고 있다. 유럽에서는 목재 강국 핀란드에서 연구가 활발하다. 제지사 UPM은 나노셀룰로오스를 활용해 상처 치유 효과를 향상시킨 창상피복제(습윤밴드)를 내놨다. 또 다른 제지업체 스토라엔소는 우유팩을 더 가볍고 ...

핀펫(FinFET)기술과 더불어 나노미터(nm) 수준의 초미세 반도체 공정기술의 하나. 핀펫은 상어지느러미(핀)와 전계효과 트랜지스터(펫) 두 단어를 합친 것이다. 반도체 회로 선폭 미세화에 따른 전류 누설을 막기 위해 개발된 기술이다. 전류가 흐르는 통로가 위-왼쪽-오른쪽 면으로 3차원 구조다. GAA는 이 구조에 아랫면까지 더해 전류 흐름을 더 세밀하게 제어할 수 있다. 핀펫으론 불가능한 3㎚ 이하 공정 한계를 극복할 수 있는 혁신 기술이다. ...

... EUV 장비는 25대로 세계 1위 파운드리(반도체 수탁생산)업체 대만 TSMC(45~50대)의 절반 수준인 것으로 나타났다. 삼성전자는 경기 화성 EUV 전용라인과 경기 평택 2공장에 이 장비를 분산 배치했다. TSMC는 선폭(트랜지스터 게이트의 폭) 5㎚(나노미터, 1㎚=10억분의 1m) 이하 초미세공정 개발을 본격화한 2018년 이후 EUV 장비 전체 출하량(75대)의 60% 이상을 가져간 것으로 알려졌다. 나머지는 삼성전자 인텔 마이크론 SK하이닉스 등이 나눠 ...

... 비슷하다. 지금 반도체는 저장 기능과 연산 기능으로 나뉜다. 각각의 반도체가 정해진 용도에 따라 만들어지고 역할을 수행한다. 하지만 뉴로모픽 칩은 하나의 반도체가 저장과 연산은 물론 인식, 패턴 분석까지 한다. 반도체 구조도 트랜지스터나 셀이 아니라 각종 신경 기능을 담당하는 뉴런과 뉴런 사이를 연결하는 시냅스로 구성된다. 사람이 기억하는 원리처럼 신호를 주고받는 데 따른 잔상으로 데이터를 저장한다. 이 때문에 패턴을 인지해 이미지와 소리 등 비정형화된 데이터를 ...

산화공정을 이용하여 생산하는 TFT를 말한다. 기존의 a-si(armophous silicon) TFT에 비해 전자이동속도가 10배 이상 빨라 UD급 화질을 구현할 수 있으며 기존 a-si 공정프로세스와 비슷하므로 추가 설비투자 비용이 적고, 전력소모가 낮다는 장점이 있다.

구조가 물고기 지느러미(Fin) 모양을 닮았다고 해서 붙여진 명칭. 트랜지스터의 크기가 줄어들면 소스와 드레인 간 거리가 가까워져 누설 전류가 발생하는데 이를 방지하기 위해 개발된 입체(3D) 구조의 공정 기술. GAA 이전에 사용해 온 대표 기술로, 게이트와 채널이 3면에서 맞닿는다. 핀펫을 적용하면 누설 전류는 줄이고 성능을 높일 수 있다.

인텔이 2011년 5월 5일 공개한 3차원 구조의 새로운 트랜지스터 설계 기술을 말한다. 기존 트랜지스터는 반도체 원판인 실리콘 기판 위에 인쇄를 하듯이 만드는 2차원 구조였다. 하지만 인텔의 트라이게이트는 기판 위에 정육면체 형태로 세우는 3차원 입체 구조를 갖췄다. 인텔은 트라이게이트 기술을 이용하면 성능은 37% 향상되는 반면, 전력소비량을 50% 이상 줄일 수 있고 반도체 회로 간격을 더 좁힐 수 있어 집적도가 높은 대용량 칩을 쉽게 ...