한국경제

... 그래픽카드(GPU)에도 이 규칙을 적용했다. 미 상무부는 중국에서 메모리 반도체를 생산하는 외국 기업에 대해서는 건별로 별도 심사를 거쳐 FDDR을 적용할 계획인 것으로 전해졌다. 한국 기업 가운데서는 삼성전자가 중국에 낸드플래시 생산공장과 반도체 후공정 공장을, SK하이닉스는 D램 공장, 후공정 공장, 낸드(NAND) 공장 등을 각각 운영하고 있다. 이들 기업이 중국공장의 설비의 유지나 업그레이드에 필요한 제조 설비를 중국에 반입할 경우 일정 기준 이상일 ...

SK하이닉스가 세계최초로 개발한 현존 최고층인 238단 낸드 플래시로 기존 최고층(232단) 낸드플래시를 개발한 미국 마이크론을 넘어섰다. 2022년 8월 3일 SK하이닉스가 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2022'에서 신제품을 공개했으며 2023년 상반기 양산을 시작할 예정이다. 2020년 12월 176단 낸드를 개발한 지 1년7개월 만에 차세대 기술개발에 성공한 것으로 이번 238단은 단수가 높아진 것은 물론, 세계 ...

... 28나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m)급 이하 미세공정에는 투자할 수 없는 내용의 약정을 미 상무부 장관과 맺게 된다. 메모리 반도체 부문의 중국 투자 제한 범위도 미 상무부 장관이 정할 방침이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 중국에서 낸드플래시 같은 메모리반도체만 생산하고 있다. 법안이 시행되면 미국 내 반도체 투자를 약속한 삼성전자를 비롯해 인텔, 대만 TSMC 등이 수혜 대상이 될 것으로 예상된다. 특히 200억달러를 투자해 오하이오주에 반도체 공장을 건설하겠다고 ...

인텔이 2019년 4월 선보인 옵테인 메모리는 D램처럼 속도가 빠르면서 전원이 꺼져도 정보가 사라지지 않는 낸드플래시의 장점을 갖춰 퍼시스턴트(persistent·지속 가능한) 메모리로 불린다. 2019년 9월 16일(현지시간) 오라클은 자사의 신형 데이터 서버인 엑사데이터 X8M에 옵테인DC퍼시스턴트 메모리를 채택한다고 발표했다.D램, 낸드플래시와 같은 메모리 반도체가 대규모로 장착되는 데이터센터 서버에 옵테인 메모리가 적용된 적은 없었다. 오라클과 ...

... 2017년 인수한 하만인터내셔널을 통해 노이즈캔슬링 헤드폰 'AKG N700NCBT'를 출시했다. 스마트폰과 짝을 이루는 무선 이어폰에도 이 기술이 적용되기 시작했다. 소니가 2019년 7월 선보인 무선 이어폰 'WF-1000XM3'가 대표적이다. 사용자의 행동 패턴을 감안해 자동으로 음악의 볼륨과 소음을 조절해준다. 하만 계열사인 JBL도 최근 스포츠 브랜드 언더아머와 협업해 노이즈캔슬링 기능을 갖춘 무선 이어폰 'JBL 언더아머 플래시'를 선보였다.

삼성전자가 2019년 1월 30일 발표한 모바일 내장 메모리 장치. 5세대 512기가비트(Gb) 낸드플래시를 16단 적층하고 고성능 컨트롤러를 결합해 기존 제품과 동일한 크기에서 메모리 저장용량을 두 배 키웠다. 전 세계에서 1TB급 모바일 내장 메모리가 나온 것은 이번이 처음이다. 삼성전자는 2015년 1월 기존 제품과 규격이 전혀 다른 모바일용 메모리인 'eUFS 2.0'을 128GB급 용량으로 선보인 후 4년 만에 메모리 용량을 8배 키웠다. ...

삼성전자가 2019년 2월에 양산을 시작한 차세대 모바일 메모리. 'eUFS 3.0' 제품은 기존 'eUFS 2.1' 보다 2배 이상 빠른 2100MB/s의 연속읽기 속도를 구현한다. 이는 SATA SSD보다 약 4배, 마이크로SD 카드보다는 20배 이상 빠른 속도로, 모바일 기기에 저장한 데이터를 PC(eUFS 3.0 → NVMe SSD 기준)로 전송시 Full HD급 영화 1편(3.7GB)을 3초 안에 보낼 수 있다. 삼성전자의 512GB ...

스마트폰, 태블릿, 크롬북, 차량용 엔터테인먼트 시스템이 등 모바일 기기에서 사용되는 최신 내장 메모리 규격. eMMC 플래시 스토리지 기술을 궁극적으로 대체하기 위해 반도체 분야 표준 기관인 JEDEC이 2011년에 그 기준을 설정했다. UFS 기술은 크게 내장형 스토리지(eUSF)와 마이크로SD와 유사한 착탈식 스토리지 형태로 나뉜다. 애플은 이 표준을 따르지 않고 아이폰과 아이패드에서 맞춤형 NVMe 기술을 사용하고 있다. UFS 2.1은 기존 ...

셀(cell) 작동을 관장하는 주변부 회로인 페리를 데이터 저장 영역인 셀 아래에 배치해 공간 효율을 높이는 기술. 아파트 옥외 주차장을 지하주차장으로 구조를 편경해 공간효율을 극대화하는 것에 비유할 수 있다. 옥외 주차장 대신 지하 주차장을 지으면 건물 구조가 단순해지는 원리다. SK하이닉스가 2018년 10월말 96단4D낸드플래시를 개발할때 세계최초로 PUC기술을 적용했다.

K하이닉스는 2018년 10월말 세계 최초로 CTF(charge trap flash) 구조에 PUC(peri under cell) 기술을 결합하여 개발한 96단 512기가비트(Gb) TLC(3비트 단위로 데이터 저장) 4D 낸드. 기존 3D 낸드와 비교해 한 단계 진화했다는 의미로 '4D'라는 이름을 붙였다. 3D 낸드는 메모리반도체업계의 패러다임을 바꾼 제품이다. 셀을 평면(2D)으로 배치하는 과정에서 집적도의 한계에 직면하자 이를 수직으로 쌓아 ...