한국경제

... 금지했고, 8월엔 엔비디아와 AMD의 AI(인공지능)와 수퍼컴퓨터용 고성능 그래픽카드(GPU)에도 이 규칙을 적용했다. 미 상무부는 중국에서 메모리 반도체를 생산하는 외국 기업에 대해서는 건별로 별도 심사를 거쳐 FDDR을 적용할 계획인 것으로 전해졌다. 한국 기업 가운데서는 삼성전자가 중국에 낸드플래시 생산공장과 반도체 후공정 공장을, SK하이닉스는 D램 공장, 후공정 공장, 낸드(NAND) 공장 등을 각각 운영하고 있다. 이들 기업이 중국공장의 ...

SK하이닉스가 세계최초로 개발한 현존 최고층인 238단 낸드 플래시로 기존 최고층(232단) 낸드플래시를 개발한 미국 마이크론을 넘어섰다. 2022년 8월 3일 SK하이닉스가 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(FMS) ... 스마트폰에 사진 음악 동영상 등을 저장하고 꺼내 볼 수 있는 것은 모두 낸드플래시 덕분이다. '단'(段)은 낸드플래시가 데이터를 저장하는 셀의 층수다. 238단이란 셀을 238겹으로 쌓아 올렸다는 의미다. 몇 층으로 셀을 쌓을 수 ...

... 28나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m)급 이하 미세공정에는 투자할 수 없는 내용의 약정을 미 상무부 장관과 맺게 된다. 메모리 반도체 부문의 중국 투자 제한 범위도 미 상무부 장관이 정할 방침이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 중국에서 낸드플래시 같은 메모리반도체만 생산하고 있다. 법안이 시행되면 미국 내 반도체 투자를 약속한 삼성전자를 비롯해 인텔, 대만 TSMC 등이 수혜 대상이 될 것으로 예상된다. 특히 200억달러를 투자해 오하이오주에 반도체 공장을 건설하겠다고 ...

... 불린다. 2019년 9월 16일(현지시간) 오라클은 자사의 신형 데이터 서버인 엑사데이터 X8M에 옵테인DC퍼시스턴트 메모리를 채택한다고 발표했다.D램, 낸드플래시와 같은 메모리 반도체가 대규모로 장착되는 데이터센터 서버에 옵테인 메모리가 ... 100배 빠르다”고 공언했다. 인텔 관계자는 “중장기적으로 데이터센터 서버에 들어가는 D램의 절반가량을 옵테인 메모리가 대체할 것으로 기대한다”고 말했다. 서버용 메모리 반도체 시장은 메모리 반도체 분야에서 성장 속도가 가장 빠른 ...

삼성전자가 2019년 1월 30일 발표한 모바일 내장 메모리 장치. 5세대 512기가비트(Gb) 낸드플래시를 16단 적층하고 고성능 컨트롤러를 결합해 기존 제품과 동일한 크기에서 메모리 저장용량을 두 배 키웠다. 전 세계에서 1TB급 모바일 내장 메모리가 나온 것은 이번이 처음이다. 삼성전자는 2015년 1월 기존 제품과 규격이 전혀 다른 모바일용 메모리인 'eUFS 2.0'을 128GB급 용량으로 선보인 후 4년 만에 메모리 용량을 8배 키웠다. ...

삼성전자가 2019년 2월에 양산을 시작한 차세대 모바일 메모리. 'eUFS 3.0' 제품은 기존 'eUFS 2.1' 보다 2배 이상 빠른 2100MB/s의 연속읽기 속도를 구현한다. 이는 SATA SSD보다 약 4배, 마이크로SD 카드보다는 20배 이상 빠른 속도로, 모바일 기기에 저장한 데이터를 PC(eUFS 3.0 → NVMe SSD 기준)로 전송시 Full HD급 영화 1편(3.7GB)을 3초 안에 보낼 수 있다. 삼성전자의 512GB eUFS3.0은 ...

스마트폰, 태블릿, 크롬북, 차량용 엔터테인먼트 시스템이 등 모바일 기기에서 사용되는 최신 내장 메모리 규격. eMMC 플래시 스토리지 기술을 궁극적으로 대체하기 위해 반도체 분야 표준 기관인 JEDEC이 2011년에 그 기준을 설정했다. UFS 기술은 크게 내장형 스토리지(eUSF)와 마이크로SD와 유사한 착탈식 스토리지 형태로 나뉜다. 애플은 이 표준을 따르지 않고 아이폰과 아이패드에서 맞춤형 NVMe 기술을 사용하고 있다. UFS 2.1은 기존 ...

K하이닉스는 2018년 10월말 세계 최초로 CTF(charge trap flash) 구조에 PUC(peri under cell) 기술을 결합하여 개발한 96단 512기가비트(Gb) TLC(3비트 단위로 데이터 저장) 4D 낸드. 기존 3D 낸드와 비교해 한 단계 진화했다는 의미로 '4D'라는 이름을 붙였다. 3D 낸드는 메모리반도체업계의 패러다임을 바꾼 제품이다. 셀을 평면(2D)으로 배치하는 과정에서 집적도의 한계에 직면하자 이를 수직으로 쌓아 ...

... 절반수준으로 낮아져 제품의 성능과 속도를 유지하는데 기술적 난이도가 높다. 삼성전자가 2018년 8월 7일 4비트 낸드플래시를 기반으로 하는 4테라바이트급 QLC SATA SSD를 양산하기 시작했다고 밝혔다. QLC기술을 기반으로 하는 낸드플래시로 ... 구현했다. 이는 기존 고성능 3비트 SSD와 동등 수준이다. 1Tb 4비트 V낸드는 칩 하나만으로 스마트폰에 탑재하는 고성능 128GB 메모리카드를 만들 수 있어 고성능, 고용량 스토리지 대중화에 기여를 할 것으로 기대된다.

낸드 플래시 기반의 모바일 기기용 메모리. 기존에 저장 장치로 많이 사용되던 임베디드 멀티미디어 카드(eMMC-embedded multi media card)보다 읽고 쓰는 속도가 2-3배 빠르고 같은 크기에 더 많은 데이터를 담을수 있다. 삼성전자는 2015년 1월 모바일용 '128GB eUFS 2.0' 양산을 시작으로 2016년 2월 '256GB eUFS 2.0', 2017년 11월 '512GB eUFS 2.1'을 잇따라 발표했으며 2019년 ...