한국경제

... 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 최근 차세대 트랜지스터 구조인 게이트올어라운드(GAA) 설계를 활용한 3나노급 차세대 D램을 개발했다고 밝혔다. GAA는 트랜지스터 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿는 면을 늘려 ... 샤오미 스마트폰에 장착했다. 중국 최대 낸드플래시업체인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)는 2022년 말 232단 3D 낸드를 상용화했다. YMTC는 2016년 설립된 신생 업체인데, 삼성전자 SK하이닉스와 비슷한 시기에 200단이 ...

한국경제 | 2024.04.23 18:20 | 박의명

올 1분기 중국은 D램, 낸드플래시 등 다양한 형태의 반도체를 981억 개 제조했다. 지난해 같은 기간보다 40% 많은 수치다. 미국의 대중 제재 전인 2019년 1분기보다 세 배 늘었다. 23일 중국 국가통계국(NBS)에 따르면 지난달 생산량은 362억 개(전년 동기 대비 28.4% 증가)로 월간 기준 사상 최대치를 기록했다. 대부분은 ‘레거시 칩’으로 불리는 범용 반도체다. 2011년 양산을 시작한 28㎚(나노미터&m...

한국경제 | 2024.04.23 18:20 | 박의명

... 알리고 있다. 이 변호사는 경찰에서 산업기술유출수사대와 디지털포렌식 전문가로 활약했다. 세종 특허팀은 최근 골프존의 300억원대 스크린골프 저작권 침해소송 항소심에서 1심 패소 판결을 뒤집었다. 산업기술보호센터는 국내 반도체 회사에서 마이크론사로 이직한 D램 반도체 연구원의 전직 금지 사건에서 국내 반도체 회사를 대리해 지난해 가처분 결정을 받아내기도 했다. 현재 국내 대기업의 반도체 세정 장비 기술 유출 형사사건도 수행 중이다. 박시온 기자

한국경제 | 2024.04.23 16:12 | 박시온

한화투자증권은 23일 유진테크에 대해 범용 D램에서의 수익성 회복이 본격적으로 확인되기 시작해 메모리업체들의 전공정 투자 모멘텀에 대피해야 한다며 목표주가를 기존 5만원에서 5만7000원으로 올렸다. 투자의견은 ‘매수’를 유지했다. 김광진 한화투자증권 연구원은 “메모리업체들은 지난 2년간 보수적으로 투자를 집행했고 고대역폭메모리(HBM) 및 DDR5로의 제품 전환으로 인한 생산량 축소로 생산능력이 실질적으로 2022년 ...

한국경제 | 2024.04.23 08:54 | 한경우

... 데이터센터를 운영하며 클라우드 서비스를 제공하는 MS는 서버용 메모리반도체 시장의 ‘큰손’이다. 경 사장과 곽 사장이 고대역폭메모리(HBM), 컴퓨트익스프레스링크(CXL), 서버용 데이터 저장장치(SSD) 등 차세대 D램·낸드플래시 관련 ‘MS 맞춤형 제품’ 개발 방안을 제시할 것이란 전망도 나온다. 통신·클라우드 협력 MS가 한국 기업에 적극적으로 세일즈해야 할 분야도 적지 않다. MS의 AI 서비스와 ...

한국경제 | 2024.04.21 18:25 | 황정수

... 데이터센터를 운영하며 클라우드 서비스를 제공하는 MS는 서버용 메모리반도체 시장의 ‘큰손’이다. 경 사장과 곽 사장이 고대역폭메모리(HBM), 컴퓨트익스프레스링크(CXL), 서버용 데이터 저장장치(SSD) 등 차세대 D램·낸드플래시 관련 ‘MS 맞춤형 제품’ 개발 방안을 제시할 것이란 전망도 나온다. 통신·클라우드 협력 MS가 한국 기업에 적극적으로 세일즈해야 할 분야도 적지 않다. MS의 AI 서비스와 ...

한국경제 | 2024.04.21 18:24 | 황정수

... 파운드리 사업에서 각각 SK하이닉스, TSMC와 경쟁하고 있다. SK하이닉스는 TSMC의 첨단 파운드리 공정을 활용해 HBM의 두뇌 역할을 하는 ‘베이스 다이’ 성능을 개선할 계획이다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 칩을 쌓아 올리는 식으로 만드는데, 베이스 다이 성능을 끌어올리려면 첨단 파운드리 공정으로 제작해야 한다. SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었지만, HBM4부터는 TSMC의 첨단 공정을 활용할 예정이다. ...

한국경제 | 2024.04.19 18:49 | 박의명

... "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자 간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 말했다. 양사는 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(base die) 성능 개선에 나선다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(core die)를 쌓아 올린 뒤 이를 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결해 제조한다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 통제하는 역할을 수행한다. SK하이닉스는 5세대 HBM인 HBM3E까지는 ...

한국경제 | 2024.04.19 09:14 | YONHAP

... 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것”이라고 강조했다. 양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선에 나선다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술(D램 칩에 미세 구멍을 뚫어 전극을 연결하는 기술)로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 제어하는 역할을 수행한다. SK하이닉스는 ...

한국경제 | 2024.04.19 09:12 | 조아라

삼성전자가 이르면 내년 차세대 고대역폭메모리(HBM) 16단 적층 제품을 출시한다. 인공지능(AI)용 메모리 반도체인 HBM은 D램을 여러 개 쌓아 만드는데, 현재 상용화된 제품은 8단이다. 삼성전자는 HBM3E 제품을 12단으로 개발하는 데 성공했으며 HBM4는 16단으로 만들기로 했다. 윤재윤 삼성전자 D램 개발실 상무는 18일 삼성전자 반도체 뉴스룸 인터뷰에서 “고온 열 특성에 최적화된 비전도성 필름(NCF) 조립 기술과 최첨단 ...

한국경제 | 2024.04.18 18:55 | 박의명