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한국경제 뉴스

  • D램·낸드도 한국 바짝 따라와

    메모리 반도체 분야에서도 중국의 추격이 거세다. 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 최근 차세대 트랜지스터 구조인 게이트올어라운드(GAA) 설계를 활용한 3나노급 차세대 D램을 개발했다고 밝혔다. GAA는 트랜지스터 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿는 면을 늘려 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하는 ‘게임 체인저’로 평가받는 기술이다. 세계에서 GAA 기술을 상용화한 곳은 삼성전자가 유일하다. ...

    한국경제 | 2024.04.23 18:20 | 상하이=박의명

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    "상따했다가 물렸어요"…하루 만에 17% 폭락 '피눈물'

    ... 기판에 쓰인 플라스틱 등 유기 소재 대신 유리를 사용한 기판이다. 유기기판보다 데이터 처리량이 약 8배 많지만, 전력 소비는 절반가량 낮아 '꿈의 기판'으로 불린다. 인공지능(AI)이 급격히 확산하며 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있는 유리기판이 차세대 기판으로 관심을 끌었다. 이규하 NH투자증권 연구원은 "제이앤티씨는 글로벌 유리기판 소재 업체로 발돋움할 것"이라며 "제이앤티씨는 이미 글로벌 업체들과 공급을 논의하고 ...

    한국경제 | 2024.04.11 07:35 | 진영기

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    'HBM 실수' 되풀이 안한다…삼성, 3D D램으로 135조 시장 반격

    ... 미세공정 기술이다. 네덜란드 ASML이 만든 극자외선(EUV) 노광장비를 활용해 칩에 회로를 보다 세밀하게 그리는 식으로 단위 면적당 용량을 끌어올렸다. 이 덕분에 최신 규격 D램인 DDR5에는 전작보다 3배 많은 620억 개의 트랜지스터(셀 안에서 전자 흐름을 제어하는 장치)가 수평으로 들어간다. 그러자 또 다른 숙제가 생겼다. 빽빽하게 셀을 욱여넣다 보니 전류 누설, 트랜지스터 간 간섭 같은 부작용이 생긴 것. 삼성전자가 지난달 26~28일 열린 글로벌 반도체 학회 ...

    한국경제 | 2024.04.02 18:26 | 황정수/김채연/박의명

전체 뉴스

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    케이던스 디자인 시스템즈 분기 실적 발표(잠정) 어닝쇼크, 매출 시장전망치 상회

    ... 및 경로, 최적화 및 다중 패터닝 준비와 같은 물리적 구현 도구; 실리콘 제조를 위한 준비가 된 것으로 디자인을 승인하기 위해 제품을 승인합니다. 또한 아날로그, 혼합 신호, 맞춤형 디지털, 메모리 및 무선 주파수 설계를 위한 트랜지스터 수준까지 회로의 도식 및 물리적 표현을 생성하기 위한 맞춤형 IC 설계 및 시뮬레이션 제품을 제공합니다. 인쇄 회로 기판 및 IC 패키지를 개발하고 전자기, 전열 및 기타 다중 물리학 효과를 분석하기 위한 시스템 설계 및 분석 제품. ...

    한국경제 | 2024.04.23 05:05 | 굿모닝 로보뉴스

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    케이던스 디자인 시스템즈 이사(director) 6억3880만원어치 지분 매도

    ... 및 경로, 최적화 및 다중 패터닝 준비와 같은 물리적 구현 도구; 실리콘 제조를 위한 준비가 된 것으로 디자인을 승인하기 위해 제품을 승인합니다. 또한 아날로그, 혼합 신호, 맞춤형 디지털, 메모리 및 무선 주파수 설계를 위한 트랜지스터 수준까지 회로의 도식 및 물리적 표현을 생성하기 위한 맞춤형 IC 설계 및 시뮬레이션 제품을 제공합니다. 인쇄 회로 기판 및 IC 패키지를 개발하고 전자기, 전열 및 기타 다중 물리학 효과를 분석하기 위한 시스템 설계 및 분석 제품. ...

    한국경제 | 2024.04.18 06:28 | 굿모닝 로보뉴스

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    반도체장비 제조업체 상위 5곳 작년 총매출 감소…ASML 1위

    ... KLA(-8%)의 매출은 전년 대비 감소했다. 특히 ASML은 심자외선(DUV)과 극자외선(EUV) 장비 매출 호조에 힘입어 글로벌 1위를 기록했다. 지난해 파운드리 부문 매출은 게이트올어라운드(GAA·Gate All Around) 트랜지스터 아키텍처의 증가와 사물인터넷(IoT), 인공지능(AI), 클라우드, 자동차, 5G 등 여러 부문에 걸친 '성숙 공정'(Mature Node) 기기에 대한 투자 강화로 전년 대비 16% 증가했다. 메모리 부문의 매출은 전반적인 ...

    한국경제 | 2024.04.09 11:58 | YONHAP

사전

수직 채널 트랜지스터 [Vertical Channel Transistor] 경제용어사전

VCT는 셀을 구성하는 트랜지스터에서 전자가 흐르는 통로인 채널을 수직으로 세우고 이를 스위치 역할을 하는 게이트로 감싸는 기술이다. 기존 2D D램은 트랜지스터의 채널이 수평으로 형성되어 있어 전류가 옆으로 새는 누설 전류가 발생하고, 이로 인해 데이터 저장 용량이 제한되는 문제가 있었다. VCT를 활용하면 채널을 수직으로 세워 누설 전류를 줄이고, 데이터 저장 용량을 늘릴 수 있다. 삼성전자는 2025년 VCT(수직 채널 트랜지스터) 기술을 활용한 ...

3D D램 [3D DRAM] 경제용어사전

... 3D D램 개발 로드맵을 발표했다. 3D D램은 D램 내부에 있는 셀을 수직으로 쌓은 한 개의 D램이라는 점에서 D램 완제품을 여러 개 쌓아 용량을 늘린 HBM과는 다른 개념이다. 로드맵에 따르면 삼성은 2025년 '수직 채널 트랜지스터(VCT)' 기술을 활용한 초기 버전의 3D D램을 선보일 계획이다. VCT는 셀을 구성하는 트랜지스터에서 전자가 흐르는 통로인 채널을 수직으로 세우고 이를 스위치 역할을 하는 게이트로 감싸는 기술이다. 커패시터를 포함한 전체 셀을 ...

GAA [gate-all-around] 경제용어사전

반도체 미세화 한계 극복을 위해 도입한 기술로, 3나노 이하 초미세 회로에 도입될 트랜지스터(전류 흐름을 증폭하거나 스위치하는 역할) 구조다. 트랜지스터는 게이트(gate)에 전압이 가해지면 채널(channel)을 통해 전류를 흘리는데, 게이트와 채널이 4면에서 맞닿는 방식을 'GAA'라고 한다. GAA를 활용하면 반도체의 누설전류를 줄일 수 있다. 이 기술을 이용하면 중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU) 등 프로세서와 HBM을 수직으로 ...