통합검색

수지, 유리섬유, 충진재, 기타 화학물질로 구성된 절연층에 동박을 적층한 것으로 인쇄회로기판(PCB)의 핵심 소재이다. 전기 신호를 전달하는 구리층과 절연 및 기계적 강도를 제공하는 소재층으로 구성된다. 주로 스마트폰, 컴퓨터, 자동차, 5G 통신 장비 등 전자기기와 반도체 패키징에 사용된다.

미국의 반도체 업체인 인텔의 전설적인 엔지니어이자 CEO. 1961년 3월 5일 출생으로 산호세 주립대학교(San Jose State University)에서 전기공학 학사 학위를 취득하고 18세 때인 1979년 인텔에 입사해 i486 마이크로프로세서 설계와 USB, 와이파이 등의 글로벌 표준 기술 개발을 주도했다. 2009년 인텔을 떠나 VMware의 CEO로 부임, 회사를 클라우드 및 사이버 보안 분야의 선도 기업으로 성장시켰으며, 2021년 ...

DRAM 반도체 제품은 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c 등등의 별도의 명칭을 이용해 제품 새대를 표현한다 10나노급 1세대- 1x : 18nm 공정과 동급 10나노급 2세대- 1y : 16nm 공정과 동급 10나노급 3세대- 1z : 15nm 공정과 동급 10나노급 4세대- 1a (alpha) : 14nm 공정과 동급 10나노급 5세대 1b (beta) : 12~13nm 공정과 동급 10나노급 6세대- 1c (gamma) : 11~12nm ...

2나노미터(nm) 공정은 반도체 칩 내부 회로의 선폭이 2나노미터인 초미세 공정 기술로 인공지능(AI) 반도체와 같은 고성능 칩 제조에 필수적이다. 2나노미터 공정의 핵심은 반도체 칩 내부 회로의 선폭을 2나노미터 수준으로 줄이는 것이다. 1나노미터는 10억분의 1미터로, 머리카락 두께의 약 10만분의 1에 해당하는 극도로 작은 크기다. 이러한 초미세 공정은 반도체의 성능과 효율을 크게 향상시킨다. 회로 선폭이 좁을수록 같은 면적에 더 많은 트랜지스터를 ...

제반도체표준화기구(JEDEC)에서 규정한 그래픽 D램의 표준 규격 명칭. 그래픽을 빠르게 처리하는 데 특화한 규격으로, GDDR3부터 GDDR5, GDDR5X, GDDR6를 거쳐 GDDR7까지 세대를 거듭하며 발전해왔다. 각 세대마다 속도와 전력 효율성이 향상되어, 최신 세대일수록 더 빠른 데이터 전송 속도와 높은 대역폭을 자랑한다. 최근에는 그래픽 처리를 넘어 AI, 자율주행 등 다양한 분야에서도 활용되고 있어, 고성능 메모리로서의 중요성이 더욱 ...

GDDR3는 2002년에 JEDEC(국제 반도체 표준 협의 기구)에 의해 표준화된 그래픽 메모리로, 초당 6.4GB의 데이터 전송률을 자랑한다. 이는 기존의 DDR SDRAM보다 4배 이상 빠른 성능을 제공하며, 주로 그래픽 카드에 사용되어 게임이나 그래픽 작업에서 뛰어난 성능을 발휘한다. 2003년 출시된 GDDR3는 625MHz의 클럭 속도와 2.5GT/s의 전송 속도로 19.9GB/s의 대역폭을 제공했다. 이 성능은 당시 최첨단 그래픽 카드에 ...

1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c 등의 알파벳은 반도체 미세 공정의 발전 단계를 나타내는 중요한 지표이다. 각각 18nm, 16nm, 14nm, 14nm, 12nm, 10nm 공정과 동급으로 10나노급 1세대부터 6세대까지를 의미한다. 10나노미터(nm)는 10억 분의 1미터로, 반도체 회로 선폭의 크기를 나타내는 단위이다. 반도체 회로 선폭이 작을수록 반도체 칩의 크기가 작아지고, 성능이 향상되며, 전력 소모가 감소한다. 반도체 미세 공정의 ...

... 29일 “세계 최초로 10nm(나노미터, 10억분의 1m)급 6세대(1c) 공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램 개발에 성공했다”면서 “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년(2025년) 부터 제품을 공급해 메모리 반도체시장의 성장을 이끌어 갈 것”이라고 발표했다. SK 하이닉스는 2025년에 1c D램을 양산할 계획이다. 삼성전자도 1c D램 개발에 박차를 가하고 있으며, 2024년 말까지 1c D램을 기반으로 한 HBM4 제품을 테스트하고 2025년 ...

박막 증착은 절연된 반도체, 유리, 세라믹 등의 기판 위에 극도로 얇은 피막을 형성하는 공정이다. 주로 웨이퍼 위에 진공 증착이나 스퍼터링 등의 기법을 사용해 물리적 또는 화학적 반응을 통해 박막을 입히게 된다. 박막의 두께와 굴절률은 반도체의 품질과 직결된다. 나노미터 단위의 정밀한 제어가 필요한 만큼, 박막 증착 기술의 발전이 곧 반도체 성능 향상으로 이어진다. 박막 증착 방식은 크게 물리적 증착법(PVD)과 화학적 증착법(CVD)으로 나뉜다. ...

HBM(High Bandwidth Memory)과 같은 고집적 반도체 패키징에서 핵심적인 역할을 수행하는 첨단 기술이다. 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에주입하는 방식으로, 기존의 필름 방식에 비해 공정 시간을 단축하고 생산성을 높일 수 있다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이다. 또한 칩과 칩 사이의 접합 강도를 높여, ...