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... 나간다. 이름에서 알 수 있듯이 'Massive Ordnance Penetrator(MOP)'라고 불리는 이 무기는 땅속 깊숙이 파고들어 두꺼운 콘크리트 벙커나 핵시설, 미사일 기지 같은 것들을 박살낼 수 있게 설계됐다. 보통 B-2 스텔스 폭격기에 실어서 날려보내는데, 워낙 무겁고 크다 보니 다른 비행기로는 운반이 어렵다. 지상에서 수십 미터 아래에 있는 시설도 뚫고 들어가 파괴할 수 있기 때문에 북한이나 이란처럼 지하에 군사시설을 숨겨놓는 국가들을 겨냥한 ...

과학기술정보통신부가 주도하는 민·관 합작 고성능 컴퓨팅(HPC) 인프라로, AI 연구·개발, 산업 혁신, 스타트업 성장을 지원하는 국가 AI 허브. H100·H200·B200 GPU 기반 1엑사플롭스 연산 자원을 제공해 대규모 언어 모델(LLM) 훈련, 데이터 분석, 산학연 협력을 촉진한다. 국가 AI 컴퓨팅 센터는 과학기술정보통신부가 국내 AI 생태계 경쟁력 강화를 위해 민·관 합작 SPC로 운영하는 고성능 컴퓨팅(HPC) 인프라다. 대학, 연구소, ...

... 대규모 언어 모델(LLM)과 생성형 AI의 추론 및 학습에 최적화된 병렬 연산 장치. 2080억 개의 트랜지스터와 최대 192GB의 HBM3e 메모리를 탑재하여 이전 세대 대비 연산 성능과 에너지 효율을 획기적으로 향상시켰다. B200은 2024년 3월 NVIDIA GTC에서 발표된 차세대 AI GPU로, 홉퍼(Hopper) 아키텍처 기반의 H100을 계승한 제품이다. 블랙웰(Blackwell) 아키텍처(GB100)를 기반으로 하며, 두 개의 GPU 다이를 ...

... 환경에 최적화된 구조를 갖추고 있다. 업계 최초로 고속 메모리 규격인 HBM3e를 탑재하여 대역폭과 용량 모두에서 기존 H100을 능가하며, 특히 LLM과 생성형 AI 모델의 추론 속도를 최대 2배까지 향상시킨다. 한국 정부는 2025년 하반기부터 H200 및 B200 GPU 총 1만 장을 도입해 국가 AI 컴퓨팅 센터를 구축하고, 이를 통해 산학연 연구기관에 연산 자원을 제공할 계획이다. 본격적인 서비스는 2025년 10월부터 시작될 예정이다.

... 방송, 데이터, 통신 서비스를 제공해왔다. 2025년 현재, 텔레샛은 '라이트스피드(Lightspeed)'라는 이름의 저궤도(LEO) 위성 네트워크 구축 프로젝트를 추진 중이다. '라이트스피드'는 주로 항공, 해양, 정부기관, 대기업용 초고속 저지연 통신 서비스를 목표로 하며, 2026년부터 위성 발사를 시작할 계획이다. 스타링크(Spacex)처럼 소비자 대상(B2C)보다는 기업과 기관 대상(B2B) 시장에 집중하는 차별화 전략을 펼치고 있다.

C본더는 반도체 패키징 공정에서 칩과 기판을 고온과 압력으로 접합하는 장비다. 'Thermocompression Bonder'의 약자로, 열압착 방식으로 미세 솔더볼이나 마이크로 범프를 본딩하는 데 사용된다. TC본더는 반도체와 기판 사이의 전기적·기계적 연결을 형성해 고성능 패키징에 필수적인 공정을 수행한다. 특히 미세화된 반도체 패키지에서 보이드와 크랙 발생을 최소화하는 역할을 한다. 고도의 정밀한 정렬 기술을 바탕으로 패키지 신뢰성을 높이...

인플루엔자는 인플루엔자 바이러스(Influenza virus A, B, C)에 의해 발생하는 급성 호흡기 질환으로 일반적으로 독감이라고도 불린다. 인플루엔자의 주요 특징으로 갑작스러운 고열과 심한 전신 증상을 꼽는다. 38°C 이상의 발열, 두통, 근육통, 심한 피로감 등이 주요 증상으로, 일반 감기와는 확연히 구분된다. 인플루엔자는 전염성이 높고 위험하다. 주로 감염자의 기침이나 재채기를 통해 공기 중으로 전파되며, 노인, 만성질환자, 영유아, ...

DRAM 반도체 제품은 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c 등등의 별도의 명칭을 이용해 제품 새대를 표현한다 10나노급 1세대- 1x : 18nm 공정과 동급 10나노급 2세대- 1y : 16nm 공정과 동급 10나노급 3세대- 1z : 15nm 공정과 동급 10나노급 4세대- 1a (alpha) : 14nm 공정과 동급 10나노급 5세대 1b (beta) : 12~13nm 공정과 동급 10나노급 6세대- 1c (gamma) : 11~12nm ...

1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c 등의 알파벳은 반도체 미세 공정의 발전 단계를 나타내는 중요한 지표이다. 각각 18nm, 16nm, 14nm, 14nm, 12nm, 10nm 공정과 동급으로 10나노급 1세대부터 6세대까지를 의미한다. 10나노미터(nm)는 10억 분의 1미터로, 반도체 회로 선폭의 크기를 나타내는 단위이다. 반도체 회로 선폭이 작을수록 반도체 칩의 크기가 작아지고, 성능이 향상되며, 전력 소모가 감소한다. 반도체 미세 공정의 ...

1c D램은 10나노미터(nm) 중반의 회로 선폭을 가진 6세대 D램을 뜻한다. 1c D 램의 c는 10나노미터(nm) 급 D 램의 세대를 나타내는 알파벳으로 이전 세대인 1b D램(5세대)보다 미세한 공정으로 제작되며, 성능은 높고 전력 소비는 적다. 1c 기술을 적용한 DDR5의 동작 속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로, 이전 세대인 1b DDR5보다 11% 더 빠르며 전력 효율이 9% 이상 향상되었다. SK하이닉스는 2024년 8월 29일 ...