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- 트리플 레벨 셀 [triple level cell] 경제용어사전
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플래시 메모리는 하나의 메모리 셀에 3비트의 데이터를 저장하는 NAND 플래시 메모리 기술. 기존 SLC(Single-Level Cell) 플래시 메모리의 1비트, MLC(Multi-Level Cell) 플래시 메모리의 2비트 보다 더 많은 정보를 저장할 수 있다. 높은 저장 밀도 덕분에 제조 비용이 절감되어 저렴한 가격으로 대용량 저장 공간을 제공할 수 있어 HDD나 SDD같은 대용량 저장장치, 클라우드 스토리지, 스마트폰 같은 모바일 기기 등에서 ...
- 쿼드 레벨 셀 플래시 메모리 [quad-level cell flash memory] 경제용어사전
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하나의 셀에 4비트의 데이터를 저장할 수 있는 낸드(NAND) 플래시 메모리 기술의 한 유형. 이는 셀당 1비트의 데이터를 저장하는 SLC(Single-Level Cell), 2비트를 저장하는 MLC(Multi-Level Cell), 3비트를 저장하는 TLC(Triple-Level Cell)와 비교하여 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. 데이터 밀도가 높아지면서 저장 용량 당 비용이 낮아져 보다 보다 경제적이다. QLC 기술은 높은 데이터 밀도와 ...
- 해외직접제품규칙 [Foreign Direct Product Rules] 경제용어사전
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... 금지했고, 8월엔 엔비디아와 AMD의 AI(인공지능)와 수퍼컴퓨터용 고성능 그래픽카드(GPU)에도 이 규칙을 적용했다. 미 상무부는 중국에서 메모리 반도체를 생산하는 외국 기업에 대해서는 건별로 별도 심사를 거쳐 FDDR을 적용할 계획인 것으로 전해졌다. 한국 기업 가운데서는 삼성전자가 중국에 낸드플래시 생산공장과 반도체 후공정 공장을, SK하이닉스는 D램 공장, 후공정 공장, 낸드(NAND) 공장 등을 각각 운영하고 있다. 이들 기업이 중국공장의 ...
- TLC 4D 낸드플래시 [TLC 4D NAND Flash] 경제용어사전
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SK하이닉스가 세계최초로 개발한 현존 최고층인 238단 낸드 플래시로 기존 최고층(232단) 낸드플래시를 개발한 미국 마이크론을 넘어섰다. 2022년 8월 3일 SK하이닉스가 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(FMS) ... 스마트폰에 사진 음악 동영상 등을 저장하고 꺼내 볼 수 있는 것은 모두 낸드플래시 덕분이다. '단'(段)은 낸드플래시가 데이터를 저장하는 셀의 층수다. 238단이란 셀을 238겹으로 쌓아 올렸다는 의미다. 몇 층으로 셀을 쌓을 수 ...
- 96단 4D 낸드플래시 [96-layer 512 gigabit (Gb) CTF-based 4D NAND flash] 경제용어사전
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K하이닉스는 2018년 10월말 세계 최초로 CTF(charge trap flash) 구조에 PUC(peri under cell) 기술을 결합하여 개발한 96단 512기가비트(Gb) TLC(3비트 단위로 데이터 저장) 4D 낸드. 기존 3D 낸드와 비교해 한 단계 진화했다는 의미로 '4D'라는 이름을 붙였다. 3D 낸드는 메모리반도체업계의 패러다임을 바꾼 제품이다. 셀을 평면(2D)으로 배치하는 과정에서 집적도의 한계에 직면하자 이를 수직으로 쌓아 ...
- 3D 낸드 [3D vertical NAND] 경제용어사전
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3차원(3D) 낸드는 평면(2D) 낸드의 회로를 수직으로 세운 제품이다. 낸드 플래시는 메모리 반도체의 한 종류다. D램과 달리 전원이 꺼져도 데이터를 기억하기 때문에 스마트폰 등에서 동영상 음악 사진 등을 저장하는 데 쓰인다. 3차원 낸드는 평면 미세공정 기술이 10나노미터(㎚)대에서 한계를 맞으면서 이를 뛰어넘기 위해 개발됐다. 평면이 단독주택이라면, 3D는 아파트로 보면 된다. 3D 낸드는 여러 장점이 있다. 평면 낸드보다 속도가 빠르고 용량을 ...
- DXI [DRAM eXchange Index] 경제용어사전
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대만의 반도체 시장조사 회사인 D램 익스체인지(DRAMeXchange)사에서 발표하는 주요 메모리 의 가격변동을 나타내는 지수. DDR2, NAND Flash 등D램과 관련된 주요한 칩들의 가격을 합해 평균을 내서 산출된다. 변동성 이 심한 메모리 산업의 업황을 정확하게 반영하고 있는 것으로 평가되고 있다.
- 40나노 32기가 낸드플래시 메모리 [40nano 32giga NAND Flash Memory] 경제용어사전
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삼성전자가 2006년 9월 발표한 반도체 . 머리카락의 3천분의 1에 불과한 40나노 공정을 사용해 개발한 것으로 32기가 메모리 용량은 세계 인구 65억명의 5배인 328억개의 메모리 기본 소자가 엄지 손톱만한 크기에 집적돼있다. 노래 8천곡을 저장할 수 있는 용량이다.
- 낸드플래시 메모리 [NAND Flash Memory] 경제용어사전
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... 데이터의 저장 및 삭제가 자유롭다. 시스템반도체가 데이터를 우선 인식하거나 연산하면, 단기 저장장치인 D램을 거쳐 낸드플래시에 저장된다. 플래쉬메모리는 내부방식에 따라 NOR 형과 NAND형으로 나누는데, NOR형이란 셀이 병렬로 연결된 ... 직렬로 연결돼 있는 구조다. 낸드플래쉬메모리는 USB 드라이브 , 디지털 카메라나 MP3 등에 쓰이는 메모리카드 등이 있다. 한편 노어플래쉬메모리는 MMC카드나 Compact flash 메모리에 쓰인다. NAND형은 NOR형에 ...
- 16기가 낸드플래시메모리 [16G NAND Flash Memory] 경제용어사전
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2005년 9월 12일 삼성전자가 발표한 반도체 . 머리카락 두께의 2천분의 1 굵기인 50나노 기술을 이용한 새 메모리 는 엄지손톱만한 크기에 무려 164억개의 트랜지스터 를 집적하고 있다. 이 메모리 16개를 붙여서 32기가 바이트 플래시 메모리 를 만들면 고화질 영화 20편 이상의 동영상이나 MP3 음악파일 6천곡, 일간지 200년치 분량의 정보를 저장할수 있다. 엄청난 정보저장 능력덕에 16기가 플래시 메모리는 하드 디스크 ...