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    사전 11-20 / 75건

    512GB eUFS3.0 [embedded Universal Flash Storage 3.0] 경제용어사전

    삼성전자가 2019년 2월에 양산을 시작한 차세대 모바일 메모리. 'eUFS 3.0' 제품은 기존 'eUFS 2.1' 보다 2배 이상 빠른 2100MB/s의 연속읽기 속도를 구현한다. 이는 SATA SSD보다 약 4배, 마이크로SD 카드보다는 20배 이상 빠른 속도로, 모바일 기기에 저장한 데이터를 PC(eUFS 3.0 → NVMe SSD 기준)로 전송시 Full HD급 영화 1편(3.7GB)을 3초 안에 보낼 수 있다. 삼성전자의 512GB ...

    UFS 경제용어사전

    스마트폰, 태블릿, 크롬북, 차량용 엔터테인먼트 시스템이 등 모바일 기기에서 사용되는 최신 내장 메모리 규격. eMMC 플래시 스토리지 기술을 궁극적으로 대체하기 위해 반도체 분야 표준 기관인 JEDEC이 2011년에 그 기준을 설정했다. UFS 기술은 크게 내장형 스토리지(eUSF)와 마이크로SD와 유사한 착탈식 스토리지 형태로 나뉜다. 애플은 이 표준을 따르지 않고 아이폰과 아이패드에서 맞춤형 NVMe 기술을 사용하고 있다. UFS 2.1은 기존 ...

    PUC [peri under cell] 경제용어사전

    셀(cell) 작동을 관장하는 주변부 회로인 페리를 데이터 저장 영역인 셀 아래에 배치해 공간 효율을 높이는 기술. 아파트 옥외 주차장을 지하주차장으로 구조를 편경해 공간효율을 극대화하는 것에 비유할 수 있다. 옥외 주차장 대신 지하 주차장을 지으면 건물 구조가 단순해지는 원리다. SK하이닉스가 2018년 10월말 96단4D낸드플래시를 개발할때 세계최초로 PUC기술을 적용했다.

    96단 4D 낸드플래시 [96-layer 512 gigabit (Gb) CTF-based 4D NAND flash] 경제용어사전

    K하이닉스는 2018년 10월말 세계 최초로 CTF(charge trap flash) 구조에 PUC(peri under cell) 기술을 결합하여 개발한 96단 512기가비트(Gb) TLC(3비트 단위로 데이터 저장) 4D 낸드. 기존 3D 낸드와 비교해 한 단계 진화했다는 의미로 '4D'라는 이름을 붙였다. 3D 낸드는 메모리반도체업계의 패러다임을 바꾼 제품이다. 셀을 평면(2D)으로 배치하는 과정에서 집적도의 한계에 직면하자 이를 수직으로 쌓아 ...

    4비트 QLC SSD [4bit quald-level cell SSD] 경제용어사전

    ... 수 있다. 다만 하나의 셀이 구분해야 하는 데이터의 경우의 수가 8개에서 16개로 늘어나면서 각 단위당 전하량이 절반수준으로 낮아져 제품의 성능과 속도를 유지하는데 기술적 난이도가 높다. 삼성전자가 2018년 8월 7일 4비트 낸드플래시를 기반으로 하는 4테라바이트급 QLC SATA SSD를 양산하기 시작했다고 밝혔다. QLC기술을 기반으로 하는 낸드플래시로 만들어진 세계첫 SSD제품이다. 삼성전자는 4세대(64단) 1Tb 4비트 V낸드 칩 32개를 이용해 업계 최대인 4TB ...

    96단 3차원 낸드플래시 [3D NAND flash with 96-layer] 경제용어사전

    데이터가 저장되는 3D셀을 96단 쌓아 올린 5세대 3D 낸드. 삼성전자가 2018년 5월부터 평택 공장에서 양산을 시작했으며 6월부터 이를 기반으로 한 SSD의 양산을 시작했다. 96단 3D낸드플래시는 기존 64단 3D 낸드 대비 데이터 전송 속도가 1.4배 빠르고 데이터 입력 시간도 30% 줄었다. 칩 하나에 1Tb(테라비트)까지 담을 수 있다. 최대 512Gb(기가비트)를 저장했던 64단 3D 낸드 대비 2배 가까이 많은 데이터를 저장할 수 ...

    eUFS [embedded Universal Flash Storage] 경제용어사전

    낸드 플래시 기반의 모바일 기기용 메모리. 기존에 저장 장치로 많이 사용되던 임베디드 멀티미디어 카드(eMMC-embedded multi media card)보다 읽고 쓰는 속도가 2-3배 빠르고 같은 크기에 더 많은 데이터를 담을수 있다. 삼성전자는 2015년 1월 모바일용 '128GB eUFS 2.0' 양산을 시작으로 2016년 2월 '256GB eUFS 2.0', 2017년 11월 '512GB eUFS 2.1'을 잇따라 발표했으며 2019년 ...

    512GB eUFS2.1 경제용어사전

    삼성전자가 2017년 11월 발표한 스마트폰 용 플래시 메모리. 가로 세로 11.5mm에 높이 1.0mm로 2016년 2월 발표했던 256GB eUFS2.0과 같은 크기다. 64단 3D 낸드를 8개 쌓고 데이터를 쓰고 읽는 컨트롤러와 3D 낸드 사이를 회로로 연결했다. 컨트롤러를 낸드 옆에 부착하는 기존 방식보다 크기를 줄일 수 있다. 일반적으로는 저장용량이 늘어나면 저장 셀의 크기도 커지면서 전하가 이동해야 할 거리가 길어져 읽기·쓰기 속도는 떨어지고 ...

    72단 256Gb 3D 낸드플래시 [72-layer 256 gigabit three-dimensional NAND Flash] [72-l] 경제용어사전

    ... 2016년 11월부터 48단 256Gb 3D 낸드를 양산한 데 이어 이번에 72단 256Gb 3D 낸드 개발까지 신속하게 완료해 3D 낸드 시장에서 업계 최고 수준 제품 경쟁력을 확보하게 됐다. 이 72단 256Gb 3D 낸드플래시는 72층 빌딩 약 40억개를 10원짜리 동전 면적에 구현하는 것에 비유할 수 있는 수준의 기술이다. 특히, 기존 대비 적층수를 1.5배 높이고, 기존 양산 설비를 최대한 활용해 현재 양산 중인 48단 제품보다 생산성을 30% 향상했다. ...

    차세대 메모리 반도체 경제용어사전

    전원이 없어도 기억을 보존하는 낸드플래시의 성격을 지니면서 속도는 크게 향상된 메모리 반도체를 말한다. D램은 속도가 빠르지만 전원을 끄면 데이터가 날아간다는 단점이 있다. 디지털 카메라 등 배터리를 사용해 작동하는 휴대용 전자기기가 늘면서 데이터 보존이 가능한 낸드플래시 시장은 차츰 확대돼 왔다. 하지만 지금의 속도로는 가상현실(VR) 등 고용량의 데이터를 빠르게 주고받기에는 한계가 있다. D램과 낸드플래시의 단점을 해결한 것이 차세대 반도체다. ...