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    사전 301-310 / 352건

    시스템온칩시스템반도체 [system-on-chip] 경제용어사전

    여러 기능을 가진 시스템을 하나의 칩에 모아 담은 비메모리 반도체 . 메모리 ㆍ프로세서ㆍ 소프트웨어 등을 하나로 통합한 것으로 칩 하나로 복잡한 여러 기능을 일괄 처리한다. 컴퓨터의 CPU가 대표적이며 디지털 멀티미디어 방송(DMB)용 칩을 비롯, 카메라 폰 칩, 방송ㆍ통신 멀티미디어 칩 등으로 더욱 특화, 전문화 돼가고 있다. 이를 사용하면 각종 시스템의 크기를 줄일 수 있고 조립 과정을 단순화시킬 수 있다. 또 제조 비용 절감도 ...

    개별반도체 [discrete] 경제용어사전

    트랜지스터 ㆍ다이오드ㆍ저항ㆍ콘덴서 등 제품 내에서 단일한 기능을 하는 소형 전자 반도체 부품을 말한다. 한편 이들을 한곳에 집약시켜 복합적인 기능을 할 수 있게 구현한 것이 집적회로(IC)이다.

    범핑 기술 경제용어사전

    가장 작은 반도체 패키지 를 만드는 마이크로 기술로 기존의 골드와이어를 이용한 리드프레임 방식이 아닌 웨이퍼 자체를 가공해 패키지를 만드는 첨단기술이다. 칩에 전류를 흐르게 하는 입출력단자 역할을 하는 범프는 재료에 따라 골드와 솔더로 구분된다. 종래의 칩단위로 가공하는 와이어 본딩(Wire Bonding) 방식의 칩과는 달리, 웨이퍼 자체로 가공함으로써 하나의 칩에 최소 수백개에서 수천개에 이르는 범프를 만드는 기술이다.

    노어플래시 [NOR Flash] 경제용어사전

    ...렬 구조로 각 셀이 어드레스라인과 데이터 라인으로 연결돼 있는 플래시로 인텔이 최초로 개발했다. 필요로 하는 셀에 바로 접근할 수 있어 데이터의 읽기 속도가 NAND 플래시보다 빠르다. 반면 NOR 플래시는 데이터 및 어드레스 라인이 있어 회로가 복잡하고 차지하는 공간이 넓기 때문에 반도체 를 집적하기가 힘들며 많은 전류가 필요하다. 그러나 전원 공급이 끊겨도 데이터가 유지되기 때문에 MP3 , 휴대전화 운용체계 등에 많이 사용된다.

    F램 [Ferroelectric RAM] 경제용어사전

    전기를 흘려주면 자석처럼 플러스와 마이너스 전극을 띠게 되는 '' 강유전체 ''란 물질을 소재로 만든 메모리 반도체 다. D램의 정보 저장 기능, S램의 빠른 정보 처리 속도, 플래시 메모리 의 정보 보존 기능 등의 장점을 두루 갖추고 있다. 미국의 램트론사가 지난 95년 세계 최초로 64Kb 제품을 양산했으며 삼성전자는 2002년 32Mb 제품을 개발한 상태다. D램과 플래시 메모리를 이을 차세대 메모리로 급부상하고 있다.

    P램 [phase change RAM] 경제용어사전

    ... ''게르마늄 안티몬 텔룰라이드''라는 물질이 일정 온도에서 비결정질에서 결정질로 바뀌는 특성을 이용해 개발된 메모리 다. F램( 강유전체 메모리), M램(강자성메모리) 등과 함께 대표적인 신개념 차세대 비휘발성 메모리 반도체 로 꼽힌다. 전원이 끊겨도 저장된 정보가 지워지지 않는 플래시 메모리 의 장점과 빠른 처리 속도를 자랑하는 D램의 장점을 모두 갖고 있다. 휴대전화에 P램을 탑재하면 종전에 비해 예비동작 없이 바로 데이터 를 읽고,배터리 ...

    상보성 금속산화물 반도체 [Complementary Metal-Oxide Semiconductor] 경제용어사전

    렌즈로 들어오는 빛에너지를 감지해 전기에너지로 변환시키는 부품으로 동작속도는 늦지만 소비전력이 적어 휴대용계산기, 전자시계, 초소형컴퓨터에 사용된다. CCD에 비해 전력소모 및 가격 경쟁력을 가지고 있으나 노이즈가 많아 130만 화소 이상의 제품에는 거의 사용되지 않는다.

    황의 법칙 [Hwang''s Law] 경제용어사전

    황창규 삼성전자 반도체 사장이 2002년 한 반도체 학술회의에서 발표한 것. 휴대전화, 디지털 카메라 등 첨단 모바일 기기의 성장으로 메모리 반도체의 집적도가 매년 두 배씩 올라간다는 법칙이다. 이는 인텔 창업자인 고든 무어가 주창한 반도체 성장론인 무어의 법칙 (Moore''s Law: 1년 6개월에서 2년에 반도체의 집적도가 2배로 늘어난다)을 능가하는 것이다. ''메모리 신성장론'으로도 불린다.

    16기가 낸드플래시메모리 [16G NAND Flash Memory] 경제용어사전

    2005년 9월 12일 삼성전자가 발표한 반도체 . 머리카락 두께의 2천분의 1 굵기인 50나노 기술을 이용한 새 메모리 는 엄지손톱만한 크기에 무려 164억개의 트랜지스터 를 집적하고 있다. 이 메모리 16개를 붙여서 32기가 바이트 플래시 메모리 를 만들면 고화질 영화 20편 이상의 동영상이나 MP3 음악파일 6천곡, 일간지 200년치 분량의 정보를 저장할수 있다. 엄청난 정보저장 능력덕에 16기가 플래시 메모리는 하드 디스크 ...

    플래시러시 [Flash Rush] 경제용어사전

    2005년 9월 12일 삼성전자 반도체 총괄 황창규 사장이 처음 사용한 용어. 전세계 IT업체들이 플래시 메모리 를 찾아 삼성으로 모여드는 현상을 일컫는다. 미국 서부개척 시대 때 금을 찾아 서부로 몰려들었던 현상인 ''골드 러시''를 빗대어 한 말이다.