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... 모두 전작인 4세대 HBM3의 8단 스택과 비교해 50% 이상 향상된 수준이다. HBM3E는 특히 인공지능(AI) 반도체 분야에서 주목받으며, 향후 고대역폭 메모리(HBM) 시장을 주도할 것으로 예상된다. SK하이닉스, 마이크론, 삼성전자,이 HBM3E 개발과 양산 경쟁을 펼치고 있으며, 2024년 2월 26일 마이크론이 양산 개시를 발표했다. 그러나 이는 SK하이닉스보다 다소 늦은 것이다. SK하이닉스는 2024년 3월 19일 발표를 통해 이미 같은 해 1월부터 ...

삼성전자가 업계 최초로 개발한 36GB(기가바이트) 용량의 5세대 HBM(High Bandwidth Memory), 즉 HBM3E 12H(12단 적층) D램을 지칭한다. 2024년 2월 27일 개발 성공을 발표했다. 이 기술은 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술을 통해 12단까지 적층하여, 업계에서 가장 큰 용량인 36GB HBM3E를 실현하였다. HBM3E 12H는 초당 최대 1,280GB의 ...

... 분야에서 전 세계적으로 독점적인 지위를 확보하고 있다. 1990년대 EUV 기술 개발을 시작하여 2000년대 상용화에 성공했으며, 이는 반도체 회로의 7나노 이하 초미세 공정 구현에 필수적인 핵심 장비로 인정받는다. 주요 고객사로는 삼성전자, SK하이닉스, TSMC, 인텔 등 글로벌 반도체 선두 기업들이 있으며, 2023년 매출 $280억$ 유로, 영업이익 $190억$ 유로를 달성하며 반도체 공급망의 핵심 병목(Bottleneck) 지점으로 기능하고 있다. 2025년 현재, ...

삼성전자가 개발중인 차세대 고효울 D램으로 입출력단자(I/O)를 늘려 기존 모바일용 D램 대비 데이터 처리 용량(대역폭)을 높인 제품이다. 프로세서에 가깝게 배치해 활용하면 일반 D램 대비 전력 효율이 70% 정도 향상되어 확장현실(XR) 기기 등에 적용될 전망이다. 2024년 4분기부터 양산을 시작할 계획이다.

2023년 9월 1일 삼성전자가 개발 성공을 발표한 D램. 12나노급 기술을 사용한 것으로 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다. 1983년 64Kb(킬로 비트) D램을 개발한 삼성전자는 2023년 32Gb D램 개발로 40년만에 D램의 용량을 50만배 늘리는 성과를 거뒀다. 삼성전자는 2023년 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한데 이어, 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공하며 D램 미세 공정 경쟁에서 ...

스마트폰, 태블릿, 노트북 등 모바일 장치 등에 탑재되는 저소비전력 D램인 LPDDR 여러개를 패키징해 제작한 모듈형 제품. 저전력 고용량 DRAM을 원하는 PC와 노트북에 사용될 것으로 보인다. 2023년 9월 26일 삼성전자가 업계 최초로 개발을 선언했다. LPCAMM은 So-DIMM 대비 탑재 면적을 최대 60% 이상 감소시켜 PC나 노트북의 부품 구성 자유도를 높여 배터리 용량 추가 확보 등 내부 공간을 보다 효율적으로 사용할 수 있다. 특히 ...

... 디스플레이의 대부로 불리는 왕동성 전 회장이 주장한 것이다. BOE 관계자는 "반도체에 무어의 법칙, 황의 법칙이 있는 것처럼 BOE에는 '왕의 법칙'이 있다"며 왕 전 회장을 반도체의 아버지로 불리는 인텔 공동 창업자 고든 무어, 삼성전자 메모리반도체의 전성기를 이끌었던 황창규 전 삼성전자 사장의 반열로 끌어올렸다. BOE 관계자는 "2022년 말 기준 디스플레이 패널 4개 중 하나는 BOE의 제품"이라며 "전통적인 애플리케이션인 스마트폰, 태블릿, 노트북, 모니터, ...

파운드리와 메모리 반도체 공급, 첨단패키징, 테스트까지 반도체의 모든 제조 과정을 책임지는 것. 삼성전자 파운드리사업부가 2023년초 반도체 턴키 서비스를 시작했다. 삼성전자 파운드리사업부가 팹리스(반도체 설계전문 기업)의 ... 비용을 절감할 수 있어서다. 삼성전자는 턴키 서비스를 앞세워 파운드리와 HBM 수주 물량도 늘려나갈 계획이다. 삼성전자는 지난 6월 미국 실리콘밸리에서 연 '삼성 파운드리포럼'에서 턴키 서비스 등을 통해 파운드리 고객사를 추가로 확보해 ...

회로 선폭 12나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m)급의 D램. 2023년 5월 18일 삼성전자가 최첨단 12㎚ 공정에서 16기가비트(Gb) 더블데이터레이트5(DDR5) D램 양산을 시작했다고 발표했다. 12㎚급 D램을 양산한 것은 삼성전자가 세계 최초다. 경쟁사들은 14㎚ 수준에 머물러 있다. 선폭이 좁을수록 반도체 성능이 개선되고 전력 효율은 높아진다. 이 제품은 14㎚ D램과 비교해 소비전력이 약 23% 줄었다. 최고 동작 속도는 7.2Gbps(초당 ...

... 화웨이, 인텔, 마이크로소프트 등이 설립했다. 2023년 5월 현재 CXL 컨소시엄에는 인텔을 비롯해, AMD, Arm, 델, 구글, IBM, 마이크로소프트, 자일링스 등 주요 글로벌 IT 업체들이 이사회 멤버로 가입됐다. 삼성전자는 SK하이닉스, 오라클, 마이크론, 멜라녹스, 엔비디아 등과 함께 컨트리뷰터 멤버로 가입했다. CXL 컨소시엄은 2019년 CXL 인터페이스 표준 규역 1.0/1.1을 처음 제안했다. 이후 하나의 포트에 하나의 지역 메모리 장치만 ...