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읽기 속도가 빠른 노어플래시 (NOR Flash)의 장점과 쓰기 속도가 빠르고 대용량 구현이 가능한 낸드 플래시의 장점을 융합한 고성능 퓨전 반도체 다. 읽기 속도(초당 108메가바이트)는 낸드플래시 대비 4배, 쓰기 속도(초당 10메가바이트)는 노어플래시 대비 46배 빠르다.

삼성전자가 2006년 9월 발표한 반도체 . 머리카락의 3천분의 1에 불과한 40나노 공정을 사용해 개발한 것으로 32기가 메모리 용량은 세계 인구 65억명의 5배인 328억개의 메모리 기본 소자가 엄지 손톱만한 크기에 집적돼있다. 노래 8천곡을 저장할 수 있는 용량이다.

낸드플래시, S램, 로직을 하나의 칩에 집적한 반도체 . 메모리 와 로직을 하나의 칩에 집적해 시스템 사양에 적합한 소프트까지 제공해주는 퓨전 메모리 의 일종으로, 휴대전화에 주로 쓰이는 노어플래시 를 대체할 것으로 기대된다. 1기가 원낸드 는 2개의 고속 S램을 버퍼 메모리로 활용, 노어보다 67배 빠른 초당 10MB의 쓰기 속도와 낸드보다 4배 빠른 초당 108MB의 읽기 속도를 구현해 실시간 읽기·쓰기를 할 수 있으며 지우기도 ...

... 사라지는 D램이나 S램과 달리 전원이 없는 상태에서도 메모리 에 데이터가 계속 저장되는 플래쉬메모리의 일종. 데이터의 저장 및 삭제가 자유롭다. 시스템반도체가 데이터를 우선 인식하거나 연산하면, 단기 저장장치인 D램을 거쳐 낸드플래시에 저장된다. 플래쉬메모리는 내부방식에 따라 NOR 형과 NAND형으로 나누는데, NOR형이란 셀이 병렬로 연결된 방식이고, NAND형이란 셀이 직렬로 연결돼 있는 구조다. 낸드플래쉬메모리는 USB 드라이브 , 디지털 카메라나 ...

재료 스스로 저항하는 성질을 가지는 실리콘 옥사이드를 이용해 기억을 저장하는 메모리 반도체. 낸드에 비해 속도가 20배 이상 빠르고 수명은 10배 이상 길다. 인텔이 의욕적으로 내놓은 3D 크로스포인트는 P램의 일종이다

2005년 9월 12일 삼성전자가 발표한 반도체 . 머리카락 두께의 2천분의 1 굵기인 50나노 기술을 이용한 새 메모리 는 엄지손톱만한 크기에 무려 164억개의 트랜지스터 를 집적하고 있다. 이 메모리 16개를 붙여서 32기가 바이트 플래시 메모리 를 만들면 고화질 영화 20편 이상의 동영상이나 MP3 음악파일 6천곡, 일간지 200년치 분량의 정보를 저장할수 있다. 엄청난 정보저장 능력덕에 16기가 플래시 메모리는 하드 ...

... 반도체 에서 기가란 10억개의 트랜지스터 가 집적된 것을 말한다. 8기가반도체는 80억개 이상의 트랜지스터를 집적한 것으로, 하나의 반도체에 신문 6만 4천장에 해당하는 정보를 저장할 수 있다. 8기가비트(Giga-bit) 낸드플래시는 16기가바이트(Giga-Byte)의 메모리 카드를 제작할 수 있는데 이는 신문지 100만장 이상, 단행본 2만권이상, DVD級 영화 10편, MP3 음악파일 4,000곡을 저장할 수 있는 수준이다. 세계에서 최초로 삼성전자가 ...

여러 종류의 메모리 칩을 1개의 패키지 에 쌓아올린 다중칩으로 응용 제품에 따라 필요한 메모리를 조합, 다양한 기능을 구현하며 휴대폰 등 모바일기기의 공간 효율화에도 크게 기여할 수 있는 메모리 반도체 를 말한다. 휴대폰 등 모바일 기기에 주로 사용되며 기존에 낸드 노어 플래시, D램, S램, U t램 등이 각각 사용되던 것을 하나의 패키지로 복합화한 것이기 때문에 휴대폰의 다기능 소형화 추세에 맞춰 시장이 급성장하고 있다.

정보를 저장하는 용도로 사용되는 메모리 반도체(D램, 낸드플래스 등) 와 달리 정보를 처리하기 위해 제작된 반도체. ''시스템 반도체''라고 불리기도 한다. 주로 연산, 추론 등 정보 처리 목적으로 쓰인다. 컴퓨터의 두뇌로 불리는 중앙처리장치(CPU), 스마트폰에서 CPU 역할을 하는 애플리케이션프로세서(AP), 자동차에 들어가 다양한 기능을 조정하는 차량용 반도체, 전력용 반도체, 이미지센서, AI반도체 등이 대표적이다. 해외에선 비메모리 ...