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원낸드 의 고성능을 유지하면서 두 종류의 낸드플래시인 초고속 SLC(Single Level Cell) 낸드와 대용량의 기가급 고용량 MLC(Multi Level Cell) 낸드의 특성을 통합시킨 퓨전 반도체 . 소프트웨어 를 통해 성능과 용량을 제품 제조사들이 유동적(Flexible)으로 디자인할 수 있다. 스마트폰이나 고용량 하이엔드 휴대폰 등에서 사용이 확대되고 있다.

플래시의 제작사인 매크로미디어사에서 나온 웹애플리케이션 기술을 말한다.기존의 웹사이트제작에 사용되는 HTML기술에 비해 UI를 개선시킬수 있고 로딩속도도 단축시킬 수 있어 차세대 웹 애플리케이션으로 각광받고 있다.

D램, 플래시 메모리 등 다양한 형태의 메모리 와 비메모리를 하나의 칩에 결합시킨 것. D램의 고용량과 S램의 고속도, 플래시 메모리의 비휘발성과 논리형 반도체 (일종의 인공지능 형 반도체)의 일부 특성 및 장점까지 갖춘 차세대 신개념 반도체다.

셀 하나당 3 비트의 정보를 저장할 수 있는 차세대 낸드 플래시 기술로 하이닉스가 2008년 6월 세계최초로 개발했다. 하나의 낸드 플래시에는 수백억 개의 메모리 셀로 구성되어 있는데, 이 메모리 셀 하나당 1비트의 정보를 저장하는 방식을 SLC(Single Level Cell)라고 부른다. 현재 일반적으로 상용화된 MLC(Multi Level Cell) 기술은 메모리 셀 하나당 2 비트의 정보를 저장할 수 있으며, 이처럼 셀당 저장 용량이 ...

2007년 10월 삼성전자가 30나노 64기가비트(Gb) 낸드플래시 메모리 를 개발하면서 처음 사용한 기술. SaDPT는 60나노 선폭으로 두번 코팅 공정을 해서 30나노를 구현하는 기존 방식(DPT)으로는 제품 양산이 어려운 점을 극복하기 위해 단 한차례만 코팅 공정을 거친 뒤 산화막을 중간에 넣고 깎아내는 방식으로 이중 회로 패턴을 형성해 30나노를 구현해 낸 신기술이다.

타노스라는 신물질을 이용해 전하를 도체가 아닌 부도체에 저장시켜 플로팅게이트를 없애는 기술. 그만큼 소자 부피가 줄고 인접한 셀 간에 간섭을 최소화하기 때문에 50나노(10억분의 1미터) 이하 초미세 공정의 기술로 평가된다.

기존 원낸드 (OneNAND)의 고성능을 그대로 유지하면서 두 종류의 낸드플래시인 싱글레벨셀(SLC)과 멀티레벨셀(MLC)을 하나의 칩에 구현한 것으로 2007년 3월 삼성전자가 처음으로 선보였다. 기존 원낸드의 고성능을 그대로 유지하면서 두 종류의 낸드플래시인 SLC의 고성능과 MLC의 저비용 고용량 장점을 통합한 퓨전 반도체 다. 플렉스-원낸드는 삼성전자의 1호 퓨전메모리 원낸드와 2호인 원디램 에 이어 개발한 세 번째 퓨전 반도체다. ...

전원이 끊어진 상태에서도 정보를 유지하고 있어 전원이 공급되면 다시 저장된 정보를 사용할 수 있는 기억 매체. CD, 읽기용 기억 장치(ROM), 하드 디스크 와 플래쉬 디스크(flash disks) 등이 이에 속한다.

플래시 메모리 칩처럼 전원이 꺼지더라도 저장한 정보를 살릴 수 있으며 플래시 메모리 와 램의 빠른 동작특성 등의 장점을 모두 갖춘 메모리 반도체 를 말한다. PCM은 플래시메모리와 램의 기존 노어 플래시 및 낸드 플래시보다 저전력으로 빠르게 읽기, 쓰기를 할 수 있으며 램의 일반적인 특성인 비트 가변성도 갖추고 있다. PCM을 탑재하면 램의 소비를 줄여, 메모리 시스템의 비용과 전력소모를 획기적으로 낮출 수 있다.

읽기 속도가 빠른 노어플래시 (NOR Flash)의 장점과 쓰기 속도가 빠르고 대용량 구현이 가능한 낸드 플래시의 장점을 융합한 고성능 퓨전 반도체 다. 읽기 속도(초당 108메가바이트)는 낸드플래시 대비 4배, 쓰기 속도(초당 10메가바이트)는 노어플래시 대비 46배 빠르다.