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    사전 1-10 / 154건

    HBM4 [High Bandwidth Memory version 4] 경제용어사전

    HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 만든 차세대 메모리이다. HBM4는 이전 세대인 HBM3E보다 두 배 많은 데이터 전송 통로를 가지고 있어, 더 빠른 데이터 전송과 높은 성능을 제공한다. HBM3E는 12개의 D램 칩을 쌓아 24GB와 32GB 용량을 지원하지만, HBM4는 16개의 D램 칩을 쌓아 64GB 용량을 지원한다. 2024년 8월 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화되어 있으며, 6세대 제품인 HBM4는 2025년 하반기부터 ...

    트리플 레벨 셀 [triple level cell] 경제용어사전

    플래시 메모리는 하나의 메모리 셀에 3비트의 데이터를 저장하는 NAND 플래시 메모리 기술. 기존 SLC(Single-Level Cell) 플래시 메모리의 1비트, MLC(Multi-Level Cell) 플래시 메모리의 2비트 보다 더 많은 정보를 저장할 수 있다. 높은 저장 밀도 덕분에 제조 비용이 절감되어 저렴한 가격으로 대용량 저장 공간을 제공할 수 있어 HDD나 SDD같은 대용량 저장장치, 클라우드 스토리지, 스마트폰 같은 모바일 기기 등에서 ...

    쿼드 레벨 셀 플래시 메모리 [quad-level cell flash memory] 경제용어사전

    하나의 셀에 4비트의 데이터를 저장할 수 있는 낸드(NAND) 플래시 메모리 기술의 한 유형. 이는 셀당 1비트의 데이터를 저장하는 SLC(Single-Level Cell), 2비트를 저장하는 MLC(Multi-Level Cell), 3비트를 저장하는 TLC(Triple-Level Cell)와 비교하여 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. 데이터 밀도가 높아지면서 저장 용량 당 비용이 낮아져 보다 보다 경제적이다. QLC 기술은 높은 데이터 밀도와 ...

    플래시 메모리 서밋 [Flash Memory Summit] 경제용어사전

    매년 8월경 미국 캘리포니아 산타클라라에서 개최되는 세계 최대 규모의 낸드 및 낸드 기반의 스토리지(저장장치) 산업 컨퍼런스이다. 낸드 플래시 메모리와 관련된 최신 기술, 시장 동향, 제품 혁신 등을 다루기 위해 2006년에 처음으로 개최된 이후, 플래시 메모리 관련 최신 기술과 시장 동향을 공유하는 주요 플랫폼으로 자리 잡았다. 이 행사에서 업계 선도 기업과 스타트업들이 참여하여 활발한 교류와 네트워킹이 이루어진다.

    불화크립톤 [KrF] 경제용어사전

    크립톤과 불소의 화합물로, 무색의 가스이다. 반도체 제조 공정에서 노광제로 사용되는 레이저에 사용되는 가장 일반적인 가스 중 하나이다. KrF 레이저는 257nm의 파장을 가지고 있으며 이는 DRAM 및 플래시 메모리와 같은 미세한 전자 부품을 제조하는 데 사용되는 파장이다.

    3차원 구조 모바일 애플리케이션프로세서 [3D application processor] 경제용어사전

    3차원 AP는 시스템 반도체나 메모리 등 서로 다른 반도체 칩을 수직으로 적층하여 만든 모바일 애플리케이션 프로세서(AP)를 의미한다. AP는 스마트폰의 '두뇌' 역할을 하며, 중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU)가 반도체 회로 블록으로 들어가는 2차원의 구조를 가지고 있다. 그러나 신경망처리장치(NPU)와 같은 신규 코어가 추가되면서 기존 단층 구조의 한계에 직면하게 되었다. 이는 보다 많은 회로를 집적하기 위해서는 회로 선폭을 줄이거나 ...

    HBM3E [Enhanced version of High Bandwidth Memory, 3rd Generation] 경제용어사전

    HBM3E는 고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory)의 일종으로, 기존의 HBM3에 비해 더 높은 대역폭과 용량을 제공하는 고성능 메모리 기술이다. HBM3E는 초당 최대 1,280GB의 대역폭과 36GB의 용량을 제공하여 성능과 용량 모두 전작인 HBM3 (4세대 HBM) 8H 대비 50% 이상 개선된 제품이다. HBM3E는 인공지능(AI) 반도체 분야에서 주목받고 있으며, 고대역폭 메모리(HBM) 시장을 주도할 것으로 예상된다. ...

    DDR [double data rate] 경제용어사전

    컴퓨터나 기타 전자 기기에서 성능을 높이기 위해 사용되는 메모리 기술의 일종이다. DDR은 클록 신호의 상하 지점 모두에서 사이클당 2회에 걸쳐 데이터를 프로세서에 전송한다. 두 가지 비트를 모두 사용하여 데이터를 전송하기 때문에 클록 신호의 한쪽 에지만을 사용하여 데이터를 전송하는 SDR 메모리에 비해 DDR 메모리가 훨씬 속도가 빠르다. DDR 메모리는 컴퓨터, 노트북, 스마트폰, 태블릿 등의 그래픽 카드, 네트워크 카드 등에 사용된다. 2000년 ...

    왕의 법칙 경제용어사전

    ... 대부로 불리는 왕동성 전 회장이 주장한 것이다. BOE 관계자는 "반도체에 무어의 법칙, 황의 법칙이 있는 것처럼 BOE에는 '왕의 법칙'이 있다"며 왕 전 회장을 반도체의 아버지로 불리는 인텔 공동 창업자 고든 무어, 삼성전자 메모리반도체의 전성기를 이끌었던 황창규 전 삼성전자 사장의 반열로 끌어올렸다. BOE 관계자는 "2022년 말 기준 디스플레이 패널 4개 중 하나는 BOE의 제품"이라며 "전통적인 애플리케이션인 스마트폰, 태블릿, 노트북, 모니터, TV 등에서 ...

    반도체 턴키 서비스 경제용어사전

    파운드리와 메모리 반도체 공급, 첨단패키징, 테스트까지 반도체의 모든 제조 과정을 책임지는 것. 삼성전자 파운드리사업부가 2023년초 반도체 턴키 서비스를 시작했다. 삼성전자 파운드리사업부가 팹리스(반도체 설계전문 기업)의 중앙처리장치(CPU) 같은 시스템반도체를 생산하고, 여기에 삼성전자의 대표 상품인 고성능 D램을 묶어 포장(패키징)하는 등 '원스톱 서비스'를 제공하는 것이다. 2023년 8월 현재 메모리 반도체를 아우르는 턴키 서비스를 제공할 ...