검색

플래시 메모리는 하나의 메모리 셀에 3비트의 데이터를 저장하는 NAND 플래시 메모리 기술. 기존 SLC(Single-Level Cell) 플래시 메모리의 1비트, MLC(Multi-Level Cell) 플래시 메모리의 2비트 보다 더 많은 정보를 저장할 수 있다. 높은 저장 밀도 덕분에 제조 비용이 절감되어 저렴한 가격으로 대용량 저장 공간을 제공할 수 있어 HDD나 SDD같은 대용량 저장장치, 클라우드 스토리지, 스마트폰 같은 모바일 기기 등에서 ...

하나의 셀에 4비트의 데이터를 저장할 수 있는 낸드(NAND) 플래시 메모리 기술의 한 유형. 이는 셀당 1비트의 데이터를 저장하는 SLC(Single-Level Cell), 2비트를 저장하는 MLC(Multi-Level Cell), 3비트를 저장하는 TLC(Triple-Level Cell)와 비교하여 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. 데이터 밀도가 높아지면서 저장 용량 당 비용이 낮아져 보다 보다 경제적이다. QLC 기술은 높은 데이터 밀도와 ...

매년 8월경 미국 캘리포니아 산타클라라에서 개최되는 세계 최대 규모의 낸드 및 낸드 기반의 스토리지(저장장치) 산업 컨퍼런스이다. 낸드 플래시 메모리와 관련된 최신 기술, 시장 동향, 제품 혁신 등을 다루기 위해 2006년에 처음으로 개최된 이후, 플래시 메모리 관련 최신 기술과 시장 동향을 공유하는 주요 플랫폼으로 자리 잡았다. 이 행사에서 업계 선도 기업과 스타트업들이 참여하여 활발한 교류와 네트워킹이 이루어진다.

크립톤과 불소의 화합물로, 무색의 가스이다. 반도체 제조 공정에서 노광제로 사용되는 레이저에 사용되는 가장 일반적인 가스 중 하나이다. KrF 레이저는 257nm의 파장을 가지고 있으며 이는 DRAM 및 플래시 메모리와 같은 미세한 전자 부품을 제조하는 데 사용되는 파장이다.

... 금지했고, 8월엔 엔비디아와 AMD의 AI(인공지능)와 수퍼컴퓨터용 고성능 그래픽카드(GPU)에도 이 규칙을 적용했다. 미 상무부는 중국에서 메모리 반도체를 생산하는 외국 기업에 대해서는 건별로 별도 심사를 거쳐 FDDR을 적용할 계획인 것으로 전해졌다. 한국 기업 가운데서는 삼성전자가 중국에 낸드플래시 생산공장과 반도체 후공정 공장을, SK하이닉스는 D램 공장, 후공정 공장, 낸드(NAND) 공장 등을 각각 운영하고 있다. 이들 기업이 중국공장의 ...

SK하이닉스가 세계최초로 개발한 현존 최고층인 238단 낸드 플래시로 기존 최고층(232단) 낸드플래시를 개발한 미국 마이크론을 넘어섰다. 2022년 8월 3일 SK하이닉스가 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(FMS) ... 스마트폰에 사진 음악 동영상 등을 저장하고 꺼내 볼 수 있는 것은 모두 낸드플래시 덕분이다. '단'(段)은 낸드플래시가 데이터를 저장하는 셀의 층수다. 238단이란 셀을 238겹으로 쌓아 올렸다는 의미다. 몇 층으로 셀을 쌓을 수 ...

... 28나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m)급 이하 미세공정에는 투자할 수 없는 내용의 약정을 미 상무부 장관과 맺게 된다. 메모리 반도체 부문의 중국 투자 제한 범위도 미 상무부 장관이 정할 방침이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 중국에서 낸드플래시 같은 메모리반도체만 생산하고 있다. 법안이 시행되면 미국 내 반도체 투자를 약속한 삼성전자를 비롯해 인텔, 대만 TSMC 등이 수혜 대상이 될 것으로 예상된다. 특히 200억달러를 투자해 오하이오주에 반도체 공장을 건설하겠다고 ...

... 불린다. 2019년 9월 16일(현지시간) 오라클은 자사의 신형 데이터 서버인 엑사데이터 X8M에 옵테인DC퍼시스턴트 메모리를 채택한다고 발표했다.D램, 낸드플래시와 같은 메모리 반도체가 대규모로 장착되는 데이터센터 서버에 옵테인 메모리가 ... 100배 빠르다”고 공언했다. 인텔 관계자는 “중장기적으로 데이터센터 서버에 들어가는 D램의 절반가량을 옵테인 메모리가 대체할 것으로 기대한다”고 말했다. 서버용 메모리 반도체 시장은 메모리 반도체 분야에서 성장 속도가 가장 빠른 ...

삼성전자가 2019년 1월 30일 발표한 모바일 내장 메모리 장치. 5세대 512기가비트(Gb) 낸드플래시를 16단 적층하고 고성능 컨트롤러를 결합해 기존 제품과 동일한 크기에서 메모리 저장용량을 두 배 키웠다. 전 세계에서 1TB급 모바일 내장 메모리가 나온 것은 이번이 처음이다. 삼성전자는 2015년 1월 기존 제품과 규격이 전혀 다른 모바일용 메모리인 'eUFS 2.0'을 128GB급 용량으로 선보인 후 4년 만에 메모리 용량을 8배 키웠다. ...

삼성전자가 2019년 2월에 양산을 시작한 차세대 모바일 메모리. 'eUFS 3.0' 제품은 기존 'eUFS 2.1' 보다 2배 이상 빠른 2100MB/s의 연속읽기 속도를 구현한다. 이는 SATA SSD보다 약 4배, 마이크로SD 카드보다는 20배 이상 빠른 속도로, 모바일 기기에 저장한 데이터를 PC(eUFS 3.0 → NVMe SSD 기준)로 전송시 Full HD급 영화 1편(3.7GB)을 3초 안에 보낼 수 있다. 삼성전자의 512GB eUFS3.0은 ...