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    • [특징주] 마이크로투나노, SK하이닉스 청주 20조 투자...HBM 프로브카드 공급 부각

      마이크로투나노의 주가가 오름세다. SK하이닉스가 20조원을 투입, 충북 청주시 낸드플래시 생산기지에 D램 공장을 짓는다는 소식에 영향을 받은 것으로 보인다. 최근 보도에 따르면 마이크로투나노는 SK하이닉스의 5세대 고대역폭 메모리 HBM3용 프로브카드 공급을 진행하고 있다. 25일 10시 5분 현재 마이크로투나노는 전일 대비 1.37% 상승한 18,450원에 거래 중이다. SK하이닉스는 전날 이사회를 열고 청주 M15X 공장을 D램 생산기지로 ...

      한국경제 | 2024.04.25 10:15

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      "최첨단 D램 거점은 韓"…SK하이닉스, 통큰 투자로 'HBM 왕좌' 사수

      D램은 경기 이천, 낸드플래시는 충북 청주. SK하이닉스가 창립 후 지켜온 생산 전략이다. 이 오랜 전략에 변화가 생긴 건 지난해부터였다. 생성형 인공지능(AI) 기술이 본격 확산하면서 필수 부품으로 꼽힌 고대역폭메모리(HBM) 수요가 폭발해서다. SK하이닉스는 지난해 청주 M15 공장의 빈 공간에 HBM 패키징 라인을 넣기 시작했다. 24일엔 당초 낸드플래시용 최첨단 공장으로 계획된 M15X를 ‘D램 생산기지’로 바꾸는 결단을 ...

      한국경제 | 2024.04.24 19:06 | 황정수/김채연

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      SK, 20兆 전격 투자…AI 반도체 '승부수'

      SK하이닉스가 20조원을 투입해 충북 청주시 낸드플래시 생산기지에 D램 공장을 짓는다. 낸드플래시 공장을 추가하려던 당초 계획을 접고 D램을 생산하기로 했다. ‘인공지능(AI) 붐’에 힘입어 D램을 쌓아 만드는 고대역폭메모리(HBM) 수요가 폭발하자 발 빠르게 생산 전략을 바꾼 것이다. HBM 기술뿐 아니라 생산능력에서도 경쟁사에 밀리지 않겠다는 SK하이닉스의 승부수라는 평가가 나온다. SK하이닉스는 24일 이사회를 열고 청주 ...

      한국경제 | 2024.04.24 18:25 | 황정수/박의명

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      SK키파운드리, 개선된 BCD 공정 제공...차량용 전력 반도체 분야 확대 나서

      ... transceiver IC 등 고전압/고신뢰성 제품의 설계를 가능하게 한다. 또한 고전압 BCD 공정에서 고밀도 플래시 메모리 IP 사용이 가능해 MCU 기능이 필요한 Motor Driver IC, LED driver IC, Sensor ... IC, Power Delivery controller IC 등의 차량용 반도체에도 적합한 공정 기술이다. 특히 플래시 IP 프로그래밍이 10만회까지 가능해 반복적인 데이터 변경이 필요한 고성능 제품에도 고객들이 광범위하게 사용할 수 ...

      한국경제TV | 2024.04.24 13:10

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      삼성, 메모리 초격차 굳힌다…286단 V낸드 세계 첫 양산

      ... 적층(저장공간인 셀을 쌓아 올린 것) 단수인 286단을 적용한 ‘9세대 V(vertical·수직) 낸드플래시’ 생산에 들어갔다. 286단은 기존 제품(236단)보다 50단 높은 것으로 현 기술로 구현할 수 있는 ... 없는 만큼 300단대 중후반 제품을 건너뛰고 곧바로 400단대로 직행하는 전략을 세운 것이다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장(부사장)은 “극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며 ...

      한국경제 | 2024.04.23 18:41 | 황정수/김채연

    • D램·낸드도 韓 바짝 따라와

      메모리 반도체 분야에서도 중국의 추격이 거세다. 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 최근 차세대 트랜지스터 구조인 게이트올어라운드(GAA) 설계를 활용한 3나노급 차세대 D램을 개발했다고 밝혔다. GAA는 트랜지스터 게이트(전류가 ... 11월 중국 최초로 모바일용 D램인 LPDDR5(저전력 D램)를 개발해 샤오미 스마트폰에 장착했다. 중국 최대 낸드플래시업체인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)는 2022년 말 232단 3D 낸드를 상용화했다. YMTC는 2016년 설립된 ...

      한국경제 | 2024.04.23 18:20 | 박의명

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      삼성전자, 또 해냈다…업계 최고 286단 낸드플래시 첫 양산

      삼성전자가 양산을 시작한 9세대 V낸드플래시 반도체의 적층(저장공간인 '셀'을 쌓아 올린 것) 단수가 '286단'인 것으로 확인됐다. 286단은 삼성전자의 기존 제품 대비 50단 높은 것으로 현재 적층 ... 인공지능(AI)·클라우드 서버 기업에 공급을 늘리기 위해 기술적인 한계를 돌파한 것이다. 반도체업계에선 삼성전자가 메모리반도체 경쟁력에 대한 우려를 불식하고 ‘기술 초격차’에 재시동을 걸었다는 평가가 나온다. 삼성전자는 ...

      한국경제 | 2024.04.23 17:39 | 황정수/김채연

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      삼성전자, 업계 최초 '9세대 V낸드' 양산…"AI시대 SSD 시장 선도"

      삼성전자가 업계 최초로 ‘1테라비트(Tb) TLC(Triple Level Cell) V(수직) 낸드플래시’를 양산한다. 셀(저장공간)을 최대 단수로 쌓아 올려 한 번에 채널 홀을 뚫는 최첨단 신기술로 저장 ... 인공지능(AI) 열풍으로 낸드 수요가 증가하면서 평균 판매단가도 상승세라 실적 호조가 예상된다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실장(부사장)은 "9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속·초고용량 SSD(솔리드 스테이트 ...

      한국경제TV | 2024.04.23 14:44

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      회심의 V낸드 나왔다…최대로 쌓아올려 한번에 뚫는 '삼성 기술력'

      ...) TLC(Triple Level Cell: 하나의 셀에 3비트 데이터를 기록할 수 있는 구조) V(수직) 낸드플래시’를 양산한다. 셀(저장공간)을 최대 단수로 쌓아 올려 한 번에 채널 홀(전자가 이동하는 구멍)을 뚫는 ... 있다. 인공지능(AI) 열풍으로 낸드 수요가 증가하면서 평균 판매단가도 상승세라 실적 호조가 예상된다. 삼성전자 메모리사업부 허성회 플래시개발실장(부사장)은 “낸드 제품 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 ...

      한국경제 | 2024.04.23 11:18 | 김봉구

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      삼성전자, 업계 최초 '9세대 V낸드' 양산…낸드 리더십 강화

      ... V낸드'를 양산하는 등 AI 시대에 요구되는 고용량·고성능 낸드 개발에 박차를 가할 계획이다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시(Flash)개발실장(부사장)은 "낸드플래시 제품의 세대가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 ... 콘퍼런스콜에서 2030년까지 1천단 V낸드를 개발한다고 밝힌 바 있다. SK하이닉스는 작년 8월 미국에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2023'에서 '1Tb TLC 321단 4D 낸드' 샘플을 공개하며 반도체 업계 최초로 300단 이상 ...

      한국경제 | 2024.04.23 11:02 | YONHAP