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    톈옌-504 [天衍-5] [Tianyan-504] 경제용어사전

    ... 차이나텔레콤 퀀텀정보과학기술그룹(CTQG)*이 공동 개발한 이 시스템은 2024년 12월 5일 공개됐다. 첨단 성능과 특징 톈옌-504는 중국 내에서 가장 많은 504큐비트를 탑재한 양자컴퓨터로, 초전도 기술 기반으로 제작됐다. 큐비트 수명, 게이트 충실도, 회로 깊이 등에서 IBM과 구글 등 글로벌 양자컴퓨팅 선도 기업들의 시스템과 견줄 수 있는 성능을 보유했다는 평가를 받고 있다. 개발진은 “톈옌-504는 단순한 큐비트 확장을 넘어 안정성과 연산 정확도에서 새로운 기준을 제시했다”며 ...

    수직 채널 트랜지스터 [Vertical Channel Transistor] 경제용어사전

    VCT는 셀을 구성하는 트랜지스터에서 전자가 흐르는 통로인 채널을 수직으로 세우고 이를 스위치 역할을 하는 게이트로 감싸는 기술이다. 기존 2D D램은 트랜지스터의 채널이 수평으로 형성되어 있어 전류가 옆으로 새는 누설 전류가 발생하고, 이로 인해 데이터 저장 용량이 제한되는 문제가 있었다. VCT를 활용하면 채널을 수직으로 세워 누설 전류를 줄이고, 데이터 저장 용량을 늘릴 수 있다. 삼성전자는 2025년 VCT(수직 채널 트랜지스터) 기술을 활용한 ...

    3D D램 [3D DRAM] 경제용어사전

    ... 로드맵에 따르면 삼성은 2025년 '수직 채널 트랜지스터(VCT)' 기술을 활용한 초기 버전의 3D D램을 선보일 계획이다. VCT는 셀을 구성하는 트랜지스터에서 전자가 흐르는 통로인 채널을 수직으로 세우고 이를 스위치 역할을 하는 게이트로 감싸는 기술이다. 커패시터를 포함한 전체 셀을 쌓아 올린 '적층 D램'은 2030년께 선보일 계획이다. 현재 D램은 기판에 최대 620억 개에 달하는 셀을 수평으로 배열하는데, 촘촘하게 트랜지스터를 넣다 보니 전류 간섭 현상을 피하기 ...