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코스피, 금리·중동발 충격 단기적…"조정 시 매수" [주간전망]
... 재고재축적 사이클과 이에 힘입은 한국 수출 개선 기대를 높이고 있다. 대만의 IT 시장조사업체 트렌드포스는 4분기 디램(DRAM), 낸드(NAND) 플래시 반도체 가격이 반등할 것으로 전망했다. 디램 평균판매단가(ASP)는 3분기에 전분기 대비 0~5% 하락했으나 4분기에 3~8% 상승할 것으로 예상된다. 낸드 플래시 ASP는 3분기에 전분기 대비 5~10% 하락했으나 4분기에 8~13% 상승할 것으로 예상된다. 최근 삼성전자와 SK하이닉스 등 메모리 ...
한국경제 | 2023.10.22 08:00 | 차은지
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SK하이닉스, 세계 최고층 321단 낸드 쌓았다…2025년 양산
SK하이닉스가 세계 최고층 321단 '4D 낸드 플래시' 기술을 공개했다. SK하이닉스는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(Flash Memory Summit, FMS) 2023'에서 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 개발 단계의 샘플을 전시했다. 낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체로, 셀을 ...
한국경제 | 2023.08.09 07:07 | 조아라
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자신만만했던 SK하이닉스…'세계 2위' 타이틀 日에 내줬다 [황정수의 반도체 이슈 짚어보기]
SK하이닉스가 낸드플래시 세계 2위(시장점유율 기준) 자리를 일본 키오시아에 다시 내줬다. SK하이닉스의 시장점유율(자회사 솔리다임 합산)은 2분기 19.9%에서 3분기 18.5%로 하락했다. 일본 키오시아 점유율은 2분기 15.6%에서 ... 부담이 될 것"이라며 "내년에 고난의 시기를 겪을 것"이라고 평가했다. 관건은 낸드플래시 업황의 반전 시기다. 시장에선 내년 하반기가 돼야 낸드플래시를 포함한 메모리반도체 시장이 반등할 수 있을 것으로 ...
한국경제 | 2022.11.27 09:54 | 황정수
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남기중 다원넥스뷰 대표 "中·대만 이어 日 고객사도 논의중"
... 사업화된 제품군들이 HBM, FC-BGA 등 모두 첨단 반도체 시장을 기반으로 하고 있어 성장의 지속성을 담보하고 있고, 세계 최대 메모리 반도체 생산 국가인 국내 시장을 이점으로 시장 횡전개에 필요한 강력한 양산 Reference Site를 갖추고 있으며, 특히 신흥 시장인 국내 DRAM용 프로브 카드 시장과 중국 Nand Flash 시장을 양산 전단계에서 선점하여 당사의 제품으로 제조 표준화에 성공함으로써 높은 진입 장벽을 구축하고 있습니다. 또한 ...
한국경제TV | 2024.06.11 15:06
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KAIST, 차세대 '초저전력' 상변화 메모리 소자 개발
... 수 있는 메모리 소자를 개발했다. KAIST는 전기및전자공학부 최신현 교수 연구팀이 디램 (DRAM)과 낸드(NAND) 플래시 메모리를 대체할 수 있는 '초저전력 차세대 상변화 메모리(Phase Change Memory) 소자'를 ... 꺼지면 정보가 사라지는 디램과 읽기·쓰기 속도는 상대적으로 느린 대신 전원이 꺼져도 정보를 보존하는 저장장치 낸드 플래시 메모리의 장점을 모두 가진 차세대 메모리로, 빠른 속도와 정보를 보존하는 특성을 동시에 지닌다. 하지만 기존 상변화 ...
한국경제 | 2024.04.04 17:22 | YONHAP
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[한경유레카] 에이팩트 오후 강세..유레카 수익률 18% 달성
... 수 있습니다. 19일 오후 에이팩트가 강세다. 에이팩트는 오후 13시 32분 전일대비 21% 오른 3,310원에 거래되고 있다. 에이팩트는 반도체 제조 후공정 중 테스트 외주 사업을 수행하는 기업으로, 주요 사업은 DRAM, NAND Flash, MCP 등 메모리 테스트 및 EOL(End of Line) 공정에 집중되어 있다. AI알고리즘들의 투자의견을 종합한 한경유레카는 에이팩트에 대해 12월 13일에 매수의견을 제시했다. 오늘까지 보유했다면 수익률은 18.6%이다. ...
한국경제 | 2023.12.19 13:34
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- 트리플 레벨 셀 [triple level cell] 경제용어사전
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플래시 메모리는 하나의 메모리 셀에 3비트의 데이터를 저장하는 NAND 플래시 메모리 기술. 기존 SLC(Single-Level Cell) 플래시 메모리의 1비트, MLC(Multi-Level Cell) 플래시 메모리의 2비트 보다 더 많은 정보를 저장할 수 있다. 높은 저장 밀도 덕분에 제조 비용이 절감되어 저렴한 가격으로 대용량 저장 공간을 제공할 수 있어 HDD나 SDD같은 대용량 저장장치, 클라우드 스토리지, 스마트폰 같은 모바일 기기 등에서 ...
- 쿼드 레벨 셀 플래시 메모리 [quad-level cell flash memory] 경제용어사전
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하나의 셀에 4비트의 데이터를 저장할 수 있는 낸드(NAND) 플래시 메모리 기술의 한 유형. 이는 셀당 1비트의 데이터를 저장하는 SLC(Single-Level Cell), 2비트를 저장하는 MLC(Multi-Level Cell), 3비트를 저장하는 TLC(Triple-Level Cell)와 비교하여 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. 데이터 밀도가 높아지면서 저장 용량 당 비용이 낮아져 보다 보다 경제적이다. QLC 기술은 높은 데이터 밀도와 ...
- 해외직접제품규칙 [Foreign Direct Product Rules] 경제용어사전
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... 금지했고, 8월엔 엔비디아와 AMD의 AI(인공지능)와 수퍼컴퓨터용 고성능 그래픽카드(GPU)에도 이 규칙을 적용했다. 미 상무부는 중국에서 메모리 반도체를 생산하는 외국 기업에 대해서는 건별로 별도 심사를 거쳐 FDDR을 적용할 계획인 것으로 전해졌다. 한국 기업 가운데서는 삼성전자가 중국에 낸드플래시 생산공장과 반도체 후공정 공장을, SK하이닉스는 D램 공장, 후공정 공장, 낸드(NAND) 공장 등을 각각 운영하고 있다. 이들 기업이 중국공장의 ...