한국경제

가입자의 전화번호, 신상 등의 정보를 담은 메모리 카드로 사용자 인증 과 국제 로밍, 전자상거래 등 다양한 기능을 1장의 카드에 구현한 것. 은행업무, 증권, 교통카드, 각종 제휴카드 등 다양한 부가서비스로 가능케 한다. 3세대 이동통신 (WCDMA) 단말기 뒷부분 건전지 부근에 장착된다. 일반적으로 가입자 정보를 탑재한 SIM(subscriber identity module) 카드와 UICC(universal IC card)가 ...

내부에 CPU와 메모리 등이 장착하고 있어 외부 위협으로부터 공인인증서(개인키 포함)를 안전하게 보호할 수 있는 스마트카드, USB토큰 등의 휴대용 저장장치를 말한다. 전자서명이 저장장치 내부에서 생성되고 저장된 전자서명 생성키는 저장장치 외부로 나오지 않기 때문에 피싱 및 해킹 등으로부터 공인인증서유출을 방지할 수 있다.

그래픽 카드 메모리 의 한 종류의 GDDR4에서 한 단계 업그레이드 된 것이다. 기존 GDDR3는 1개 핀에서 최대 속도 2.4Gbps(1초당 2.4기가비트)까지, GDDR4는 3Gbps까지 구현할 수 있었지만 GDDR5는 핀 1개당 5Gbps의 최고 동작 속도를 구현할 수 있어 고사양 그래픽 정보 처리에 적합하다.

2007년 10월 삼성전자가 30나노 64기가비트(Gb) 낸드플래시 메모리 를 개발하면서 처음 사용한 기술. SaDPT는 60나노 선폭으로 두번 코팅 공정을 해서 30나노를 구현하는 기존 방식(DPT)으로는 제품 양산이 어려운 점을 극복하기 위해 단 한차례만 코팅 공정을 거친 뒤 산화막을 중간에 넣고 깎아내는 방식으로 이중 회로 패턴을 형성해 30나노를 구현해 낸 신기술이다.

D램에 비해 구조가 단순하고 작으며 생산비용도 획기적으로 줄일 수 있을 것으로 기대되는 차세대 메모리 반도체 . D램의 기억소자는 전하를 담는 역할을 하는 캐패시터와 캐패시터를 여닫는 스위치 역할을 하는 트랜지스터 로 이루어져 있다. 캐패시터가 전하를 담고 있으면 1, 전하를 담고 있지 않으면 0으로 처리되는 방식으로 데이터 를 저장한다. 반면 Z램은 트랜지스터 내부에 불필요한 양전하가 쌓이는 단점을 역이용하여 이를 0과 1상태를 표현하는 ...

... 것으로 2007년 3월 삼성전자가 처음으로 선보였다. 기존 원낸드의 고성능을 그대로 유지하면서 두 종류의 낸드플래시인 SLC의 고성능과 MLC의 저비용 고용량 장점을 통합한 퓨전 반도체 다. 플렉스-원낸드는 삼성전자의 1호 퓨전메모리 원낸드와 2호인 원디램 에 이어 개발한 세 번째 퓨전 반도체다. 이 제품은 모바일기기 업체들이 휴대폰마다 다르게 요구되는 특성에 따라 데이터 처리 속도와 메모리 용량 (2-4기가)을 적절히 조절해 쓸 수 있도록 한 ...

시스템 메모리 상의 여러 프로세스와 모듈에 대한 읽기 전용 복사본. 휘발성 증거를 포착할 때 사용된다.

전원이 끊어진 상태에서도 정보를 유지하고 있어 전원이 공급되면 다시 저장된 정보를 사용할 수 있는 기억 매체. CD, 읽기용 기억 장치(ROM), 하드 디스크 와 플래쉬 디스크(flash disks) 등이 이에 속한다.

단면의 지름이 1 나노미터 (1나노는 10억분의 1미터) 정도의 극미세선을 말한다. 레이저나 트랜지스터 , 메모리 , 화학감지용 센서(감지기) 등 다양한 분야에 응용되고 있다.

나노 기술을 이용해 만든 반도체 또는 고분자 소재를 말한다. 특히 메모리 분야에서 각광받는 기술로 나노 소자를 이용하면 분자 하나가 하나의 정보를 저장하는 메모리를 만들 수 있다.