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    KAIST, 차세대 '초저전력' 상변화 메모리 소자 개발

    ... 수 있는 메모리 소자를 개발했다. KAIST는 전기및전자공학부 최신현 교수 연구팀이 디램 (DRAM)과 낸드(NAND) 플래시 메모리를 대체할 수 있는 '초저전력 차세대 상변화 메모리(Phase Change Memory) 소자'를 ... 꺼지면 정보가 사라지는 디램과 읽기·쓰기 속도는 상대적으로 느린 대신 전원이 꺼져도 정보를 보존하는 저장장치 낸드 플래시 메모리의 장점을 모두 가진 차세대 메모리로, 빠른 속도와 정보를 보존하는 특성을 동시에 지닌다. 하지만 기존 상변화 ...

    한국경제 | 2024.04.04 17:22 | YONHAP

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    폼팩터 연간 실적 발표(확정) 어닝서프라이즈, 매출 시장전망치 부합

    ... 마이크로프로세서, 마이크로컨트롤러 및 그래픽 프로세서뿐만 아니라 무선 주파수, 아날로그, 혼합 신호, 이미지 센서, 전기 광학, 동적 시스템 온칩 제품을 포함한 다양한 반도체 장치 유형을 테스트하기 위한 프로브 카드를 제공합니다. 랜덤 액세스 메모리, NAND 플래시 메모리 및 NOR 플래시 메모리 장치; 대학, 연구 기관, 반도체 통합 장치 제조업체, 반도체 파운드리 및 팹리스 반도체 회사를 위한 장치 특성화, 전기 시뮬레이션 모델 개발, 고장 분석 및 프로토타입 설계 디버깅을 ...

    한국경제 | 2024.02.24 06:22 | 굿모닝 로보뉴스

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    폼팩터 분기 실적 발표(잠정) 어닝서프라이즈, 매출 시장전망치 부합

    ... 마이크로프로세서, 마이크로컨트롤러 및 그래픽 프로세서뿐만 아니라 무선 주파수, 아날로그, 혼합 신호, 이미지 센서, 전기 광학, 동적 시스템 온칩 제품을 포함한 다양한 반도체 장치 유형을 테스트하기 위한 프로브 카드를 제공합니다. 랜덤 액세스 메모리, NAND 플래시 메모리 및 NOR 플래시 메모리 장치; 대학, 연구 기관, 반도체 통합 장치 제조업체, 반도체 파운드리 및 팹리스 반도체 회사를 위한 장치 특성화, 전기 시뮬레이션 모델 개발, 고장 분석 및 프로토타입 설계 디버깅을 ...

    한국경제 | 2024.02.08 06:18 | 굿모닝 로보뉴스

사전

해외직접제품규칙 [Foreign Direct Product Rules] 경제용어사전

... 금지했고, 8월엔 엔비디아와 AMD의 AI(인공지능)와 수퍼컴퓨터용 고성능 그래픽카드(GPU)에도 이 규칙을 적용했다. 미 상무부는 중국에서 메모리 반도체를 생산하는 외국 기업에 대해서는 건별로 별도 심사를 거쳐 FDDR을 적용할 계획인 것으로 전해졌다. 한국 기업 가운데서는 삼성전자가 중국에 낸드플래시 생산공장과 반도체 후공정 공장을, SK하이닉스는 D램 공장, 후공정 공장, 낸드(NAND) 공장 등을 각각 운영하고 있다. 이들 기업이 중국공장의 ...

TLC 4D 낸드플래시 [TLC 4D NAND Flash] 경제용어사전

SK하이닉스가 세계최초로 개발한 현존 최고층인 238단 낸드 플래시로 기존 최고층(232단) 낸드플래시를 개발한 미국 마이크론을 넘어섰다. 2022년 8월 3일 SK하이닉스가 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(FMS) ... 스마트폰에 사진 음악 동영상 등을 저장하고 꺼내 볼 수 있는 것은 모두 낸드플래시 덕분이다. '단'(段)은 낸드플래시가 데이터를 저장하는 셀의 층수다. 238단이란 셀을 238겹으로 쌓아 올렸다는 의미다. 몇 층으로 셀을 쌓을 수 ...

96단 4D 낸드플래시 [96-layer 512 gigabit (Gb) CTF-based 4D NAND flash] 경제용어사전

K하이닉스는 2018년 10월말 세계 최초로 CTF(charge trap flash) 구조에 PUC(peri under cell) 기술을 결합하여 개발한 96단 512기가비트(Gb) TLC(3비트 단위로 데이터 저장) 4D 낸드. 기존 3D 낸드와 비교해 한 단계 진화했다는 의미로 '4D'라는 이름을 붙였다. 3D 낸드는 메모리반도체업계의 패러다임을 바꾼 제품이다. 셀을 평면(2D)으로 배치하는 과정에서 집적도의 한계에 직면하자 이를 수직으로 쌓아 ...