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96단 4D 낸드플래시 [96-layer 512 gigabit (Gb) CTF-based 4D NAND flash] 경제용어사전

K하이닉스는 2018년 10월말 세계 최초로 CTF(charge trap flash) 구조에 PUC(peri under cell) 기술을 결합하여 개발한 96단 512기가비트(Gb) TLC(3비트 단위로 데이터 저장) 4D 낸드. 기존 3D 낸드와 비교해 한 단계 진화했다는 의미로 '4D'라는 이름을 붙였다. 3D 낸드는 메모리반도체업계의 패러다임을 바꾼 제품이다. 셀을 평면(2D)으로 배치하는 과정에서 집적도의 한계에 직면하자 이를 수직으로 ...

96단 3차원 낸드플래시 [3D NAND flash with 96-layer] 경제용어사전

데이터가 저장되는 3D셀을 96단 쌓아 올린 5세대 3D 낸드. 삼성전자가 2018년 5월부터 평택 공장에서 양산을 시작했으며 6월부터 이를 기반으로 한 SSD의 양산을 시작했다. 96단 3D낸드플래시는 기존 64단 3D 낸드 대비 데이터 전송 속도가 1.4배 빠르고 데이터 입력 시간도 30% 줄었다. 칩 하나에 1Tb(테라비트)까지 담을 수 있다. 최대 512Gb(기가비트)를 저장했던 64단 3D 낸드 대비 2배 가까이 많은 데이터를 저장할 ...

72단 256Gb 3D 낸드플래시 [72-layer 256 gigabit three-dimensional NAND Flash] [72-l] 경제용어사전

2017년 4월 10일 SK하이닉스가 업계 최초로 개발에 성공 했고 2017년 하반기 부터 양상을 개시하겠다고 발표한 4세대 낸드 제품을 말한다. 이 제품은 SK하이닉스 고유 기술을 적용해 개발했으며, 적층수 증가에 따른 공정 난이도 극복을 통해 현재 양산 중인 48단 3D 낸드보다 데이터를 저장하는 셀(Cell)을 1.5배 더 쌓는다. 256Gb 낸드는 칩(Chip) 하나만으로도 32GB(기가바이트) 용량의 저장장치를 만들 수 있다. SK하이...

3D 낸드 [3D vertical NAND] 경제용어사전

3차원(3D) 낸드는 평면(2D) 낸드의 회로를 수직으로 세운 제품이다. 낸드 플래시는 메모리 반도체의 한 종류다. D램과 달리 전원이 꺼져도 데이터를 기억하기 때문에 스마트폰 등에서 동영상 음악 사진 등을 저장하는 데 쓰인다. 3차원 낸드는 평면 미세공정 기술이 10나노미터(㎚)대에서 한계를 맞으면서 이를 뛰어넘기 위해 개발됐다. 평면이 단독주택이라면, 3D는 아파트로 보면 된다. 3D 낸드는 여러 장점이 있다. 평면 낸드보다 속도가 빠르고 ...

3차원 수직구조 낸드 [3D V-NAND] 경제용어사전

V낸드는 종전까지 수평 구조로 만들던 2차원 셀을 3차원 수직 구조로 쌓아올려 평면구조에 비해 집적도를 획기적으로 높인 기술이다. 최근 메모리 공정이 10나노급까지 진입하면서 셀 간 간격이 좁아져 전자가 누설되는 ''간섭 협상''이 심화되는 등 미세화 기술은 한계에 도달했는데 V낸드는 이를 극복하기 위한 대안으로 떠오른 것이다. V낸드는 셀 간의 간섭이 크게 줄어 쓰기속도와 수명, 전력효율이 크게 개선한 것으로 2013년 8월 6일 삼성전...

DXI [DRAM eXchange Index] 경제용어사전

대만의 반도체 시장조사 회사인 D램 익스체인지(DRAMeXchange)사에서 발표하는 주요 메모리 의 가격변동을 나타내는 지수. DDR2, NAND Flash 등D램과 관련된 주요한 칩들의 가격을 합해 평균을 내서 산출된다. 변동성 이 심한 메모리 산업의 업황을 정확하게 반영하고 있는 것으로 평가되고 있다.

플렉스원낸드 [Flex-OneNAND] 경제용어사전

원낸드 의 고성능을 유지하면서 두 종류의 낸드플래시인 초고속 SLC(Single Level Cell) 낸드와 대용량의 기가급 고용량 MLC(Multi Level Cell) 낸드의 특성을 통합시킨 퓨전 반도체 . 소프트웨어 를 통해 성능과 용량을 제품 제조사들이 유동적(Flexible)으로 디자인할 수 있다. 스마트폰이나 고용량 하이엔드 휴대폰 등에서 사용이 확대되고 있다.

플렉스-원낸드 [Flex-OneNAND] 경제용어사전

기존 원낸드 (OneNAND)의 고성능을 그대로 유지하면서 두 종류의 낸드플래시인 싱글레벨셀(SLC)과 멀티레벨셀(MLC)을 하나의 칩에 구현한 것으로 2007년 3월 삼성전자가 처음으로 선보였다. 기존 원낸드의 고성능을 그대로 유지하면서 두 종류의 낸드플래시인 SLC의 고성능과 MLC의 저비용 고용량 장점을 통합한 퓨전 반도체 다. 플렉스-원낸드는 삼성전자의 1호 퓨전메모리 원낸드와 2호인 원디램 에 이어 개발한 세 번째 퓨전...

원낸드 [One NAND] 경제용어사전

읽기 속도가 빠른 노어플래시 (NOR Flash)의 장점과 쓰기 속도가 빠르고 대용량 구현이 가능한 낸드 플래시의 장점을 융합한 고성능 퓨전 반도체 다. 읽기 속도(초당 108메가바이트)는 낸드플래시 대비 4배, 쓰기 속도(초당 10메가바이트)는 노어플래시 대비 46배 빠르다.

40나노 32기가 낸드플래시 메모리 [40nano 32giga NAND Flash Memory] 경제용어사전

삼성전자가 2006년 9월 발표한 반도체 . 머리카락의 3천분의 1에 불과한 40나노 공정을 사용해 개발한 것으로 32기가 메모리 용량은 세계 인구 65억명의 5배인 328억개의 메모리 기본 소자가 엄지 손톱만한 크기에 집적돼있다. 노래 8천곡을 저장할 수 있는 용량이다.