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      사전 1-10 / 23건

      키옥시아 [Kioxia] 경제용어사전

      키옥시아(Kioxia Holdings Corp.)는 일본 도쿄에 본사를 둔 NAND 플래시 메모리 및 SSD 전문 반도체 기업으로, 도시바(Toshiba)의 메모리 사업부가 2018년 분사·매각되면서 설립된 회사다. 도시바 메모리(Toshiba Memory)라는 사명으로 출범한 뒤, 2019년 일본어 '기억(記憶, kioku)'을 어원으로 한 조어인 '키옥시아(Kioxia)'로 사명을 변경하며 독자 브랜드를 구축했다. 키옥시아는 삼성전자, SK...

      고대역폭 플래시메모리 [High Bandwidth Flash] 경제용어사전

      HBF는 낸드플래시(NAND) 다이를 TSV 등 3D 적층·고밀도 패키징 기술로 수직 연결해 병렬 데이터 경로를 늘리고, HBM 옆에서 대역폭에 근접한 데이터 공급과 대용량을 동시에 노리는 차세대 메모리(또는 메모리-인접 스토리지) 계층이다. HBF는 'D램(HBM) 대체'가 아니라 HBM을 보완하는 대용량 계층이라는 점이 핵심이다. HBM은 대역폭이 뛰어나지만 용량 확대에 제약이 있고, 기존 NAND는 용량은 크지만 메모리 버스 관점에서 지연시간·대역폭이 ...

      트리플 레벨 셀 [triple level cell] 경제용어사전

      플래시 메모리는 하나의 메모리 셀에 3비트의 데이터를 저장하는 NAND 플래시 메모리 기술. 기존 SLC(Single-Level Cell) 플래시 메모리의 1비트, MLC(Multi-Level Cell) 플래시 메모리의 2비트 보다 더 많은 정보를 저장할 수 있다. 높은 저장 밀도 덕분에 제조 비용이 절감되어 저렴한 가격으로 대용량 저장 공간을 제공할 수 있어 HDD나 SDD같은 대용량 저장장치, 클라우드 스토리지, 스마트폰 같은 모바일 기기 등에서 ...

      쿼드 레벨 셀 플래시 메모리 [quad-level cell flash memory] 경제용어사전

      하나의 셀에 4비트의 데이터를 저장할 수 있는 낸드(NAND) 플래시 메모리 기술의 한 유형. 이는 셀당 1비트의 데이터를 저장하는 SLC(Single-Level Cell), 2비트를 저장하는 MLC(Multi-Level Cell), 3비트를 저장하는 TLC(Triple-Level Cell)와 비교하여 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. 데이터 밀도가 높아지면서 저장 용량 당 비용이 낮아져 보다 보다 경제적이다. QLC 기술은 높은 데이터 밀도와 ...

      해외직접생산품규칙 [Foreign Direct Product Rules] 경제용어사전

      ... 메모리 반도체를 생산하는 외국 기업에 대해서는 건별로 별도 심사를 거쳐 FDDR을 적용할 계획인 것으로 전해졌다. 한국 기업 가운데서는 삼성전자가 중국에 낸드플래시 생산공장과 반도체 후공정 공장을, SK하이닉스는 D램 공장, 후공정 공장, 낸드(NAND) 공장 등을 각각 운영하고 있다. 이들 기업이 중국공장의 설비의 유지나 업그레이드에 필요한 제조 설비를 중국에 반입할 경우 일정 기준 이상일 경우에는 미국 정부의 사전 허가가 필요하다는 뜻이다.

      TLC 4D 낸드플래시 [TLC 4D NAND Flash] 경제용어사전

      SK하이닉스가 세계최초로 개발한 현존 최고층인 238단 낸드 플래시로 기존 최고층(232단) 낸드플래시를 개발한 미국 마이크론을 넘어섰다. 2022년 8월 3일 SK하이닉스가 미국 산타클라라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋(FMS) 2022'에서 신제품을 공개했으며 2023년 상반기 양산을 시작할 예정이다. 2020년 12월 176단 낸드를 개발한 지 1년7개월 만에 차세대 기술개발에 성공한 것으로 이번 238단은 단수가 높아진 것은 물론, 세...

      더블 스택 [double stack] [two ] 경제용어사전

      구멍 하나를 낸 낸드(싱글 스택) 2개를 붙여 적층 단수를 높이는 기술. 투스택(two stack)이라고도 한다. SK하이닉스가 128단 낸드를 더블 스택 공정을 통해 세계 최초로 양산했고, 미국 마이크론도 2020년 11월 176단 낸드를 만들어 고객사에게 납품했다고 발표했다. 삼성전자는 2023년 양산 예정인 230단 이상의 7세대 낸드(vertical NAND)에서 '더블 스택' 공정을 도입할 계획이다.

      96단 4D 낸드플래시 [96-layer 512 gigabit (Gb) CTF-based 4D NAND flash] 경제용어사전

      K하이닉스는 2018년 10월말 세계 최초로 CTF(charge trap flash) 구조에 PUC(peri under cell) 기술을 결합하여 개발한 96단 512기가비트(Gb) TLC(3비트 단위로 데이터 저장) 4D 낸드. 기존 3D 낸드와 비교해 한 단계 진화했다는 의미로 '4D'라는 이름을 붙였다. 3D 낸드는 메모리반도체업계의 패러다임을 바꾼 제품이다. 셀을 평면(2D)으로 배치하는 과정에서 집적도의 한계에 직면하자 이를 수직으로 ...

      96단 3차원 낸드플래시 [3D NAND flash with 96-layer] 경제용어사전

      데이터가 저장되는 3D셀을 96단 쌓아 올린 5세대 3D 낸드. 삼성전자가 2018년 5월부터 평택 공장에서 양산을 시작했으며 6월부터 이를 기반으로 한 SSD의 양산을 시작했다. 96단 3D낸드플래시는 기존 64단 3D 낸드 대비 데이터 전송 속도가 1.4배 빠르고 데이터 입력 시간도 30% 줄었다. 칩 하나에 1Tb(테라비트)까지 담을 수 있다. 최대 512Gb(기가비트)를 저장했던 64단 3D 낸드 대비 2배 가까이 많은 데이터를 저장할 ...

      72단 256Gb 3D 낸드플래시 [72-layer 256 gigabit three-dimensional NAND Flash] [72-l] 경제용어사전

      2017년 4월 10일 SK하이닉스가 업계 최초로 개발에 성공 했고 2017년 하반기 부터 양상을 개시하겠다고 발표한 4세대 낸드 제품을 말한다. 이 제품은 SK하이닉스 고유 기술을 적용해 개발했으며, 적층수 증가에 따른 공정 난이도 극복을 통해 현재 양산 중인 48단 3D 낸드보다 데이터를 저장하는 셀(Cell)을 1.5배 더 쌓는다. 256Gb 낸드는 칩(Chip) 하나만으로도 32GB(기가바이트) 용량의 저장장치를 만들 수 있다. SK하이...