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... 있는 핵심 기술로 주목받고 있다. CNT 펠리클의 또 다른 장점은 뛰어난 내구성이다. 차세대 하이-NA EUV 장비에서 요구되는 600W 이상의 고출력에도 견딜 수 있어, 기존 펠리클의 한계를 극복할 수 있을 것으로 보인다. 2024년 10월 삼성전자는 에프에스티와 공동 개발한 CNT 펠리클이 94% 이상의 EUV 투과율을 달성했다고 발표했다. 이는 기존 펠리클보다 5~6% 높은 수치로, 2nm 이하 공정에서 큰 성능 향상을 가져올 것으로 기대된다

... 성과급으로 지급하는 제도. 이전에는 PS(Profit Sharing)으로 불렸으며 매년 1회 지급되는 성과급으로, 소속 회사의 연간 경영 실적이 목표를 초과 달성했을 때 초과 이익의 20% 한도 내에서 연봉의 최대 50%까지 지급된다. 삼성전자, SK하이닉스, LG디스플레이 등 국내 대기업에서 주로 시행되고 있으며, 기업의 경영 성과에 따라 지급 여부와 규모가 결정된다. 예를 들어, 삼성전자는 매년 1월 말경 OPI를 지급하는데, 2023년에는 반도체 사업부(DS)가 연봉의 ...

전자공학분야 세계 최대 학회인 국제전기전자공학협회(IEEE)가 1983년부터 사회와 산업 발전에 공헌한 역사적 업적에 대해 시상하는 프로그램. '글로벌 ICT 분야의 노벨상'으로 불리는 IEEE 마일스톤은 해당 업적이 등장한 지 ... 등재됐지만 미국·유럽·일본 같은 기술 강국이 90% 이상을 차지하고 있다. 2024년 6월 13일 SK텔레콤이 한국전자통신연구원(ETRI), 삼성전자, LG전자와 함께 한 CDMA 대규모 상용화가 국내 기업 최초의 IEEE 마일스톤에 ...

삼성전자, 현대차, 기아 등 대기업들이 해외 법인에서 벌어들인 돈을 본사 배당 형태로 한국으로 들여오는 것을 말한다. 2023년 국내 기업의 자본 리쇼어링 규모는 435억5천만달러(약 59조원)로 2022년 144억1천만달러의 ... 다양한 인센티브를 주고 있다. 자본 리쇼어링으로 들여온 자금 중 일부를 국내에 투자하는 행위가 유턴으로 인정되면 최근 자본 리쇼어링 규모가 크게 확대된 전기전자, 자동차, 이차전지 대기업들도 유턴 인센티브를 받을 수 있게 된다.

... 기술로, 고대역폭메모리(HBM)와 같이 CPU나 GPU 등 기능이 다른 반도체를 수직으로 연결할 수 있다. 또한, AP에 필요한 메모리도 적층할 수 있어 AP와 메모리 간의 간격이 줄어들고, 신호 전달 속도를 높일 수 있다. 삼성전자는 2나노미터(nm) 공정에 하이브리드 본딩 기술을 적용하여 3D 적층 구조의 AP 기술을 확보할 계획이다. 이를 통해 현재 4마이크로미터(μm) 수준의 입출력 단자 간격을 절반 수준인 2마이크로미터(μm) 이하로 줄일 계획이며, ...

... 출발한 미국의 제재가 중국의 '테크 독립'을 자극했다는 분석도 나온다. AI 선두업체인 화웨이, 바이두, 텐센트의 2023년 연구개발(R&D) 투자액 합계는 2496억위안(약 47조5000억원)으로 한국의 'AI 빅3'로 꼽히는 삼성전자와 LG전자, 네이버의 합산 투자액(34조원)을 압도한다. 미국의 제재에도 불구하고 SMIC는 화웨이 최신 스마트폰과 데이터센터에 들어갈 5나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m)급 칩 양산을 준비 중이고, BYD는 유럽과 신흥국을 공략해 ...

VCT는 셀을 구성하는 트랜지스터에서 전자가 흐르는 통로인 채널을 수직으로 세우고 이를 스위치 역할을 하는 게이트로 감싸는 기술이다. 기존 2D D램은 트랜지스터의 채널이 수평으로 형성되어 있어 전류가 옆으로 새는 누설 전류가 ... 제한되는 문제가 있었다. VCT를 활용하면 채널을 수직으로 세워 누설 전류를 줄이고, 데이터 저장 용량을 늘릴 수 있다. 삼성전자는 2025년 VCT(수직 채널 트랜지스터) 기술을 활용한 초기 버전 3D D램을 선보일 계획이다.

... 3차원 D램이라고도 한다. 대용량 데이터를 빠르게 처리할 수 있어 '인공지능(AI) 시대 게임체인저'로 불린다. 삼성전자는 2024년 3월26~28일 미국에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘(MEMCON) 2024'에서 3D D램 개발 ... 한 개의 D램이라는 점에서 D램 완제품을 여러 개 쌓아 용량을 늘린 HBM과는 다른 개념이다. 로드맵에 따르면 삼성은 2025년 '수직 채널 트랜지스터(VCT)' 기술을 활용한 초기 버전의 3D D램을 선보일 계획이다. VCT는 ...

... 모두 전작인 4세대 HBM3의 8단 스택과 비교해 50% 이상 향상된 수준이다. HBM3E는 특히 인공지능(AI) 반도체 분야에서 주목받으며, 향후 고대역폭 메모리(HBM) 시장을 주도할 것으로 예상된다. SK하이닉스, 마이크론, 삼성전자,이 HBM3E 개발과 양산 경쟁을 펼치고 있으며, 2024년 2월 26일 마이크론이 양산 개시를 발표했다. 그러나 이는 SK하이닉스보다 다소 늦은 것이다. SK하이닉스는 2024년 3월 19일 발표를 통해 이미 같은 해 1월부터 ...

삼성전자가 업계 최초로 개발한 36GB(기가바이트) 용량의 5세대 HBM(High Bandwidth Memory), 즉 HBM3E 12H(12단 적층) D램을 지칭한다. 2024년 2월 27일 개발 성공을 발표했다. 이 기술은 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술을 통해 12단까지 적층하여, 업계에서 가장 큰 용량인 36GB HBM3E를 실현하였다. HBM3E 12H는 초당 최대 1,280GB의 ...