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증권정보

삼성전자 005930 76,700400(+0.52%) 2024/04/26 장종료 기준

증권정보 세부내용
전일종가 고가 저가
76,300 77,900 76,500
거래량 시가 시가총액
12,184,693 77,800 458조 8,823억

한국경제는 본 정보의 정확성에 대해 보증하지 않으며, 본 정보를 이용한 투자에 대한 책임은 해당 투자자에게 귀속됩니다.

한국경제 뉴스

전체 뉴스

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    독일 간 이재용, 반도체 부품 '슈퍼을' 만나 'EUV 동맹'

    이재용 삼성전자 회장이 26일(현지 시간) 독일 오버코헨에 위치한 자이스(ZEISS) 본사를 방문해 칼 람프레히트 최고경영자(CEO) 등 경영진과 양사 협력 강화 방안을 논의했다. 이 자리에는 크리스토프 푸케 신임 ASML CEO도 ... 있다. 전작에 비해 AI 성능이 약 15배 이상 향상된 모바일 AP ‘엑시노스 2400’은 삼성의 플래그십 스마트폰 갤럭시 S24에 탑재돼 매출이 큰 폭으로 증가할 것으로 예상된다. 이미지센서 분야에서는 지난해 ...

    한국경제 | 2024.04.28 19:37 | 안옥희

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    독일 자이스 찾은 이재용 회장…첨단 반도체 장비 협력 강화

    이재용 삼성전자 회장이 칼 람프레히트 자이스(ZEISS) CEO와 만나 파운드리와 메모리 사업 경쟁력을 강화하기 위해 첨단 반도체 장비 관련 분야에서 협력을 더욱 확대하기로 약속했다. 삼성전자는 현지시간 26일 이재용 회장이 독일 오버코헨에 위치한 자이스 본사를 방문해 칼 람프레히트 CEO 등 경영진과 양사 협력 강화 방안을 논의했다고 28일 밝혔다. 자이스는 첨단 반도체 생산에 필수적인 EUV(extreme ultraviolet) 기술 관련 ...

    한국경제TV | 2024.04.28 14:01

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    이재용, 독일 광학업체 자이스 방문…첨단반도체 협력 강화키로

    자이스, ASML에 EUV 광학시스템 독점 공급…초미세 반도체 '기술 심장부' 삼성전자 "자이스와 협력으로 차세대 반도체 성능개선·공정 최적화 제고" 이재용 삼성전자 회장이 글로벌 광학 기업 자이스(ZEISS)와 반도체 분야 협력 강화 방안을 논의했다. 삼성전자는 이 회장이 지난 26일(현지시간) 독일 오버코헨에 있는 자이스 본사를 방문해 칼 람프레히트 최고경영자(CEO) 등 경영진을 ...

    한국경제 | 2024.04.28 14:00 | YONHAP

사전

3차원 구조 모바일 애플리케이션프로세서 [3D application processor] 경제용어사전

... 기술로, 고대역폭메모리(HBM)와 같이 CPU나 GPU 등 기능이 다른 반도체를 수직으로 연결할 수 있다. 또한, AP에 필요한 메모리도 적층할 수 있어 AP와 메모리 간의 간격이 줄어들고, 신호 전달 속도를 높일 수 있다. 삼성전자는 2나노미터(nm) 공정에 하이브리드 본딩 기술을 적용하여 3D 적층 구조의 AP 기술을 확보할 계획이다. 이를 통해 현재 4마이크로미터(μm) 수준의 입출력 단자 간격을 절반 수준인 2마이크로미터(μm) 이하로 줄일 계획이며, ...

레드테크 [Red Tech] 경제용어사전

... 출발한 미국의 제재가 중국의 '테크 독립'을 자극했다는 분석도 나온다. AI 선두업체인 화웨이, 바이두, 텐센트의 2023년 연구개발(R&D) 투자액 합계는 2496억위안(약 47조5000억원)으로 한국의 'AI 빅3'로 꼽히는 삼성전자와 LG전자, 네이버의 합산 투자액(34조원)을 압도한다. 미국의 제재에도 불구하고 SMIC는 화웨이 최신 스마트폰과 데이터센터에 들어갈 5나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m)급 칩 양산을 준비 중이고, BYD는 유럽과 신흥국을 공략해 ...

수직 채널 트랜지스터 [Vertical Channel Transistor] 경제용어사전

VCT는 셀을 구성하는 트랜지스터에서 전자가 흐르는 통로인 채널을 수직으로 세우고 이를 스위치 역할을 하는 게이트로 감싸는 기술이다. 기존 2D D램은 트랜지스터의 채널이 수평으로 형성되어 있어 전류가 옆으로 새는 누설 전류가 ... 제한되는 문제가 있었다. VCT를 활용하면 채널을 수직으로 세워 누설 전류를 줄이고, 데이터 저장 용량을 늘릴 수 있다. 삼성전자는 2025년 VCT(수직 채널 트랜지스터) 기술을 활용한 초기 버전 3D D램을 선보일 계획이다.