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스마트폰, 태블릿, 크롬북, 차량용 엔터테인먼트 시스템이 등 모바일 기기에서 사용되는 최신 내장 메모리 규격. eMMC 플래시 스토리지 기술을 궁극적으로 대체하기 위해 반도체 분야 표준 기관인 JEDEC이 2011년에 그 기준을 설정했다. UFS 기술은 크게 내장형 스토리지(eUSF)와 마이크로SD와 유사한 착탈식 스토리지 형태로 나뉜다. 애플은 이 표준을 따르지 않고 아이폰과 아이패드에서 맞춤형 NVMe 기술을 사용하고 있다. UFS 2.1은 기존 ...

K하이닉스는 2018년 10월말 세계 최초로 CTF(charge trap flash) 구조에 PUC(peri under cell) 기술을 결합하여 개발한 96단 512기가비트(Gb) TLC(3비트 단위로 데이터 저장) 4D 낸드. 기존 3D 낸드와 비교해 한 단계 진화했다는 의미로 '4D'라는 이름을 붙였다. 3D 낸드는 메모리반도체업계의 패러다임을 바꾼 제품이다. 셀을 평면(2D)으로 배치하는 과정에서 집적도의 한계에 직면하자 이를 수직으로 쌓아 ...

... 절반수준으로 낮아져 제품의 성능과 속도를 유지하는데 기술적 난이도가 높다. 삼성전자가 2018년 8월 7일 4비트 낸드플래시를 기반으로 하는 4테라바이트급 QLC SATA SSD를 양산하기 시작했다고 밝혔다. QLC기술을 기반으로 하는 낸드플래시로 ... 구현했다. 이는 기존 고성능 3비트 SSD와 동등 수준이다. 1Tb 4비트 V낸드는 칩 하나만으로 스마트폰에 탑재하는 고성능 128GB 메모리카드를 만들 수 있어 고성능, 고용량 스토리지 대중화에 기여를 할 것으로 기대된다.

낸드 플래시 기반의 모바일 기기용 메모리. 기존에 저장 장치로 많이 사용되던 임베디드 멀티미디어 카드(eMMC-embedded multi media card)보다 읽고 쓰는 속도가 2-3배 빠르고 같은 크기에 더 많은 데이터를 담을수 있다. 삼성전자는 2015년 1월 모바일용 '128GB eUFS 2.0' 양산을 시작으로 2016년 2월 '256GB eUFS 2.0', 2017년 11월 '512GB eUFS 2.1'을 잇따라 발표했으며 2019년 ...

삼성전자가 2017년 11월 발표한 스마트폰 용 플래시 메모리. 가로 세로 11.5mm에 높이 1.0mm로 2016년 2월 발표했던 256GB eUFS2.0과 같은 크기다. 64단 3D 낸드를 8개 쌓고 데이터를 쓰고 읽는 컨트롤러와 ... 읽기·쓰기 속도는 떨어지고 소비전력은 늘어난다. 삼성전자는 최신 기술로 이 같은 문제를 해결했다. 컨트롤러 성능을 높여 메모리가 읽고 쓸 공간을 빠르게 찾는 '초고속 매핑(maping) 기술'을 개발했다. 소비전력을 최소화하기 위한 초절전 ...

전원이 없어도 기억을 보존하는 낸드플래시의 성격을 지니면서 속도는 크게 향상된 메모리 반도체를 말한다. D램은 속도가 빠르지만 전원을 끄면 데이터가 날아간다는 단점이 있다. 디지털 카메라 등 배터리를 사용해 작동하는 휴대용 전자기기가 늘면서 데이터 보존이 가능한 낸드플래시 시장은 차츰 확대돼 왔다. 하지만 지금의 속도로는 가상현실(VR) 등 고용량의 데이터를 빠르게 주고받기에는 한계가 있다. D램과 낸드플래시의 단점을 해결한 것이 차세대 반도체다. ...

모바일 D램과 낸드플래시 메모리를 한 패키지로 제작한 것. 각각의 반도체를 따로 쓰는 것보다 속도가 빠르고 디자인도 얇게 할 수 있다. 얇은 스마트폰을 생산하는 데 필수적인 부품이다.

3차원(3D) 낸드는 평면(2D) 낸드의 회로를 수직으로 세운 제품이다. 낸드 플래시는 메모리 반도체의 한 종류다. D램과 달리 전원이 꺼져도 데이터를 기억하기 때문에 스마트폰 등에서 동영상 음악 사진 등을 저장하는 데 쓰인다. 3차원 낸드는 평면 미세공정 기술이 10나노미터(㎚)대에서 한계를 맞으면서 이를 뛰어넘기 위해 개발됐다. 평면이 단독주택이라면, 3D는 아파트로 보면 된다. 3D 낸드는 여러 장점이 있다. 평면 낸드보다 속도가 빠르고 용량을 ...

저항에 따라 0과 1을 기억하는 금속의 자기저항 효과를 이용한 뉴메모리. 철과 코발트가 주소재다. 속도가 빠른 D램과 전원이 꺼져도 데이터가 지워지지 않는 낸드플래시의 장점을 두루 갖췄다. 플래시메모리보다 속도가 약 1만 배 빠르고 거의 무한대의 내구성과 초저전력 특징을 가졌다. 각종 정보기술(IT) 발달로 데이터 양이 급증하면서 전송 지연과 과도한 전력 사용 문제를 동시에 풀 수 있는 차세대 메모리 기술로 꼽힌다. P램(PRAM), R램(ReRAM) ...

... DDR4로 나눠 계산하면 모두 92만3136개의 D램이 쓰인 셈이다. 각 서버에 에러를 대비해 D램 모듈이 하나씩 더 탑재되는 것까지 감안하면 103만8000개가 들어간 것으로 추정된다. 그래픽을 담당하는 그래픽처리장치(GPU) 176개나 사용했다. CPU에 GPU를 더해 사용하면 CPU만 탑재한 것보다 수십배 연산 속도가 빨라지고 발열도 적기 때문이다. 이외에 사용된 낸드 플래시 메모리를 합치면 총 106만개 이상의 반도체가 쓰인 것으로 관측된다.