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    양자터널링 [Quantum Tunneling] 경제용어사전

    ... 아니라 확률적으로 결정된다는 양자역학의 원리에서 비롯된다. 입자는 파동처럼 퍼져 있어, 장벽 너머까지 존재 확률이 미세하게 남아 있다. 그 결과 일정 확률로 장벽을 “뚫고” 반대편으로 나타날 수 있다. 이 원리는 터널 다이오드, 플래시메모리, 양자컴퓨터, 주사터널링현미경(STM) 등 다양한 기술의 기초가 된다. 고전물리학의 한계를 넘어서는 대표적 예로, 미시 세계의 불확정성과 확률성을 보여주는 현상이다. 결국 양자터널링은 '불가능을 가능하게 만드는' 양자역학의 핵심 ...

    고대역폭 플래시메모리 [High Bandwidth Flash] 경제용어사전

    D램 대신 낸드플래시 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술로 수직 적층해, 대역폭과 저장 용량을 동시에 극대화한 차세대 메모리다. 플래시 기술이 NAND 계열임을 강조해 '고대역폭 낸드플래시'로도 ... HBM(High Bandwidth Memory)은 속도는 빠르지만 용량이 제한적이었다. HBF는 이 두 기술의 단점을 보완한 메모리로, HBM 옆에서 초고속·대용량 데이터 공급원 역할을 수행하며 AI 가속기(GPU)의 전체 성능을 끌어올린다. 이 ...

    트리플 레벨 셀 [triple level cell] 경제용어사전

    플래시 메모리는 하나의 메모리 셀에 3비트의 데이터를 저장하는 NAND 플래시 메모리 기술. 기존 SLC(Single-Level Cell) 플래시 메모리의 1비트, MLC(Multi-Level Cell) 플래시 메모리의 2비트 보다 더 많은 정보를 저장할 수 있다. 높은 저장 밀도 덕분에 제조 비용이 절감되어 저렴한 가격으로 대용량 저장 공간을 제공할 수 있어 HDD나 SDD같은 대용량 저장장치, 클라우드 스토리지, 스마트폰 같은 모바일 기기 등에서 ...