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한국경제 뉴스

  • D램·낸드도 韓 바짝 따라와

    메모리 반도체 분야에서도 중국의 추격이 거세다. 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 최근 차세대 트랜지스터 구조인 게이트올어라운드(GAA) 설계를 활용한 3나노급 차세대 D램을 개발했다고 밝혔다. GAA는 트랜지스터 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿는 면을 늘려 공정 미세화에 따른 트랜지스터 성능 저하를 극복하는 ‘게임 체인저’로 평가받는 기술이다. 세계에서 GAA 기술을 상용화한 곳은 삼성전자가 유일하다. ...

    한국경제 | 2024.04.23 18:20 | 박의명

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    '이판사판' 물불 안 가린 中…끝내 '반도체 만리장성' 쌓았다

    ... 극자외선(EUV) 노광장비가 SMIC에 마지막으로 들어간 게 2020년이다. 10나노 이하 공정은 꿈도 못 꾸게 하겠다는 미국의 ‘절명수(絶命手)’였다. 하지만 SMIC는 화웨이의 최신 스마트폰과 데이터센터에 들어갈 5나노급 칩을 조만간 양산할 것으로 알려졌다. 상하이에 짓고 있는 300㎜ 웨이퍼 라인이 이를 말해준다. 화웨이 스마트폰이 애플을 제치고 중국 1위에 오른 것도 SMIC가 제조한 첨단 애플리케이션프로세서(AP) 칩 덕분이다. SMIC가 ...

    한국경제 | 2024.04.23 18:17 | 박의명

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    삼성 "1초에 영화 20편 전송…업계 최고 속도 D램 개발 성공"

    ... 본격 성장하면서 기기 자체에서 AI를 구동하는 '온디바이스 AI(On-device AI)' 시장이 빠르게 확대되고 있어 저전력·고성능 LPDDR의 역할이 그 어느 때보다 커지고 있다. 이번 제품은 12나노급 LPDDR D램 중 가장 작은 칩으로 구현한 저전력·고성능 메모리 솔루션으로 온디바이스 AI 시대에 최적화됐다. 향후 모바일 분야를 넘어 △AI PC △AI 가속기 △서버 △전장 등 다양한 응용처에 확대 적용될 것으로 ...

    한국경제 | 2024.04.17 11:00 | 조아라

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    인텔, ASML 차세대 노광장비 첫 도입…삼성·TSMC와 경쟁 가속

    ... 2월에는 1.8나노 공정(18A)을 올 연말부터 양산에 들어간다고 밝혔다. 당초 밝힌 2025년 양산 시점보다 앞당겨진 것이다. 새로 도입한 '하이 NA EUV'가 1.8나노 공정에 투입될지는 알려지지 않았지만, 내년 2나노급 공정 양산을 목표로 하는 TSMC와 삼성전자보다 빠르다. 인텔은 올해 1분기 실적부터 새로운 회계 방식을 적용해 바뀌는 회계 기준을 적용한 2022년과 2023년 매출을 이달 초 공개한 바 있다. 인텔의 2022년과 2023년 ...

    한국경제 | 2024.04.20 08:15 | YONHAP

  • 슈프리마에이치큐, '온디바이스 AI 최적화' 삼성 LPDDR5X 개발 성공 소식에 '강세'

    ... 풀이된다. 17일 13시 16분 현재 슈프리마에이치큐는 전일 대비 6.53% 상승한 7,010원에 거래 중이다. 삼성전자는 업계 최고 동작속도인 10.7Gbps LPDDR5X D램을 개발했다고 이날 밝혔다. 이번 제품은 12나노급 LPDDR D램 중 가장 작은 칩으로 구현한 저전력·고성능 메모리 솔루션으로 온디바이스 AI 시대에 최적화됐다는 것이 삼성전자측의 설명이다. 삼성전자는 LPDDR5X D램을 애플리케이션 프로세서·모바일 ...

    한국경제 | 2024.04.17 13:25

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    성능 25%·용량 30%↑…삼성전자, LPDDR5X D램 개발

    삼성전자가 업계 최고 동작속도인 10.7Gbps(Gigabit per second) LPDDR5X(Low Power Double Data Rate 5X) D램 개발에 성공했다고 17일 밝혔다. 이번 제품은 12나노급 LPDDR D램 중 가장 작은 칩으로 구현한 저전력·고성능 메모리 솔루션으로 온디바이스 AI 시대에 최적화됐다. 향후 모바일 분야를 넘어 AI PC, AI 가속기, 서버, 전장 등 다양한 응용처에 확대 적용될 것으로 기대된다. 전 ...

    한국경제TV | 2024.04.17 11:01

사전

32Gb DDR5 D램 경제용어사전

2023년 9월 1일 삼성전자가 개발 성공을 발표한 D램. 12나노급 기술을 사용한 것으로 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다. 1983년 64Kb(킬로 비트) D램을 개발한 삼성전자는 2023년 32Gb D램 개발로 40년만에 D램의 용량을 50만배 늘리는 성과를 거뒀다. 삼성전자는 2023년 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한데 이어, 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공하며 D램 미세 공정 경쟁에서 ...

12GB LPDDR4X 모바일 D램 경제용어사전

2세대 10나노급(1y) 16기가비트(Gb) 칩을 6개 탑재한 제품으로 기존 '8GB 모바일 D램' 보다 용량을 1.5배 높여 역대 최대 용량을 구현한 것이다. 삼성전자는 2019년 3월14일 이 제품의 양산 체제에 돌입한다고 발표 했다. 일반적인 울트라 슬림 노트북 1대에 들어가는 D램 모듈이 8GB다. 스마트폰에서 이보다 높은 용량의 D램 모듈이 필요한 이유는 폴더블과 같이 화면이 2배 이상 넓어진 초고해상도 스마트폰에서도 다양한 어플리케이션을 ...

DDR5 경제용어사전

... 데이터(41.6기가바이트)를 단 1초에 전송할 수 있다. 전력 소비량도 30%가량 줄었다. 최신 CPU와 함께 사용할 경우, 더 높은 속도와 대역폭을 지원한다. 이러한 이유로 DDR5는 게임, 그래픽 작업 등 대규모 데이터 처리가 필요한 작업에 적합하다. 삼성전자가 2018년 2월 16Gb DDR5 D램을 세계 최초로 개발한데 이어 SK하이닉스가 11월 15일 2세대 10나노급(1y) 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발했다고 발표하기도 했다.