통합검색

2023년 9월 1일 삼성전자가 개발 성공을 발표한 D램. 12나노급 기술을 사용한 것으로 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다. 1983년 64Kb(킬로 비트) D램을 개발한 삼성전자는 2023년 32Gb D램 개발로 40년만에 D램의 용량을 50만배 늘리는 성과를 거뒀다. 삼성전자는 2023년 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한데 이어, 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공하며 D램 미세 공정 경쟁에서 ...

2세대 10나노급(1y) 16기가비트(Gb) 칩을 6개 탑재한 제품으로 기존 '8GB 모바일 D램' 보다 용량을 1.5배 높여 역대 최대 용량을 구현한 것이다. 삼성전자는 2019년 3월14일 이 제품의 양산 체제에 돌입한다고 발표 했다. 일반적인 울트라 슬림 노트북 1대에 들어가는 D램 모듈이 8GB다. 스마트폰에서 이보다 높은 용량의 D램 모듈이 필요한 이유는 폴더블과 같이 화면이 2배 이상 넓어진 초고해상도 스마트폰에서도 다양한 어플리케이션을 ...

... 데이터(41.6기가바이트)를 단 1초에 전송할 수 있다. 전력 소비량도 30%가량 줄었다. 최신 CPU와 함께 사용할 경우, 더 높은 속도와 대역폭을 지원한다. 이러한 이유로 DDR5는 게임, 그래픽 작업 등 대규모 데이터 처리가 필요한 작업에 적합하다. 삼성전자가 2018년 2월 16Gb DDR5 D램을 세계 최초로 개발한데 이어 SK하이닉스가 11월 15일 2세대 10나노급(1y) 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발했다고 발표하기도 했다.

삼성전자가 2018년 7월 17일 세계최초로 개발했다고 발표한 최신 반도체. 기존의 플래그십 스마트폰에 탑재된 모바일 D램(LPDDR4X, 4,266Mb/s)보다 1.5배 빠른 6400Mb/s의 동작 속도를 구현한 제품으로 이는 1초에 풀HD급 영화(3.7GB) 약 14편 용량인 51.2GB의 데이터를 전송할 수 있는 속도다. 신제품은 1.1V에서 6400Mb/s로 동작하는 제품과 1.05V에서 5500Mb/s로 동작하는 2개 라인업으로 구성해...

... D램이다. 기존 GDDR5 대비 최고 속도가 두 배 빠르며, 동작 전압도 10% 이상 낮다. 2017년 4월 23일 SK하이닉스가 세계 최고 속도의 GDDR6(Graphics DDR6) 그래픽 D램을 개발했다고 발표 했다. 이 제품은 20나노급 8Gb(기가비트) GDDR6로, 업계 최고인 핀(Pin)당 16Gbps(Gb/sec)의 데이터 처리속도를 구현했다. 최고급 그래픽 카드에서 많이 채용하는 384개의 정보입출구(I/O)를 활용해 초당 최대 768GB(기가바이트: 16Gbps ...

V낸드는 종전까지 수평 구조로 만들던 2차원 셀을 3차원 수직 구조로 쌓아올려 평면구조에 비해 집적도를 획기적으로 높인 기술이다. 최근 메모리 공정이 10나노급까지 진입하면서 셀 간 간격이 좁아져 전자가 누설되는 ''간섭 협상''이 심화되는 등 미세화 기술은 한계에 도달했는데 V낸드는 이를 극복하기 위한 대안으로 떠오른 것이다. V낸드는 셀 간의 간섭이 크게 줄어 쓰기속도와 수명, 전력효율이 크게 개선한 것으로 2013년 8월 6일 삼성전자가 ...

... tunnel junction)이라는 자성 물질구조에서 자성보유 여부에 따라 0과 1로 데이터를 저장한다. 전력 공급 없이도 정보를 보관할 수 있고 반복 기록 및 재생이 거의 무한하며 속도 S램 수준의 초고속 동작이 가능하며 기존 메모리들보다 소비 전력이 낮다. STT램은 기술적, 물리적 한계로 여겨지고 있는 40 나노미터 이하인 30나노급과 20나노급 이하의 초미세 공정이 가능해 테라비트 (Tb)급까지 집적도를 올릴 수 있는 차세대 유력 메모리다.