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... 단결정 (單結晶) 막대기를 얇게 썬 원형 판. 120mm에서 200mm 정도의 원주상으로 결정을 성장시켜서 0.5mm에서 1.5mm 정도로 가공하며 직경이 5인치(125mm), 8인치(200mm), 12인치(300mm)의 것이 주로 사용된다. 반도체 는 웨이퍼상에 회로 패턴을 전사하여 제조한다. 보통, 1장의 웨이퍼에 같은 칩의 회로 패턴이 바둑판의 눈금처럼 여러 개 나열되어, 노광이나 에칭 등의 처리를 한 후 사각형으로 잘라내면 칩이 된다.

반도체 등의 집적회로(IC) 제조공정에서 열ㆍ전기로 원료 가스의 화학작용을 일으켜 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 기술이다. 실리콘 산화막, 실리콘 질소막, 아모르퍼스 실리콘(Amorphous Silicon) 박막 등을 만드는데 이용된다. 화학물질을 포함하는 가스에 열이나 빛으로 에너지를 가하거나 고주파로 플라스마 화해 원료물질의 반응성을 높이면 기판 위에 흡착된다.

반도체 생산시 수율의 극대화를 위해 생산 공정 중 발생하는 각종 웨이퍼 데이터 (회로 선폭, 박막 두께 등)를 분석, 관리하는 시스템.

고속·고전도율의 반도체 기판 위에 만들어진 집적회로로 마이크로파나 밀리미터파 대역에서 동작한다. 레이더뿐만 아니라 위성통신 및 이동통신의 RF 부품으로 그 사용 영역이 넓어지고 있는 마이크로파 시스템의 핵심기술이다.

테라(tera)는 1조 비트(bit)의 데이터 를 저장할 수 있는 용량이다. 현재 세계 반도체 의 대부분을 차지하는 ''기가''(giga)보다 1000배나 용량이 크다. 1기가비트 칩에 DVD급 영화 10여 편을 저장할 수 있는 데 비해 1 테라비트 칩에는 DVD급 영화 1250편을 저장할 수 있다. ''STT-M램''은 이 같은 테라급 용량을 구현할 수 있는 반도체다. D램과 달리 자기(磁氣)적 성질을 이용하기 때문에 저장용량을 무한대로 ...

일단 한번 기록하면 추가기록이 영구히 불가능한 반도체 로 특정 전자제품 또는 휴대형 기기의 중요한 정보가 위조되는 것을 막아준다. 마이크로컨트롤러(MCU)의 한 방식으로 고객이 원하는 프로그램 을 직접 기록할 수 있다.

전자 이동도가 실리콘보다 10배 이상 빨라 고속 동작에 적합한 트랜지스터 . 갈륨비소 (GaAs), 인듐인(InP) 등의 화합물 반도체 구조를 이종접합해 그 접합면에서 전자가 고속으로 이동하는 성질을 이용한다. 빠른 전송 속도 때문에 밀리미터파 대역(30㎓~300㎓)에서 주된 소자로 사용되고 있으면 향후 ㎔급까지 사용될 것으로 기대된다.

광전도성은 물질이 가시광선 과 적외선, 자외선, 감마선 같은 전자기선의 흡수에 의해 전도성을 띄게 되는 광학적이고 전기적인 현상. 빛이 반도체 같은 물질에 의해 흡수될 때, 자유전자와 정공의 수가 변화하고 반도체의 전기 전도도를 증가시키므로 반도체 및 나노소자 로서 활용이 가능하다.

불연성 무독성 가스로 냉장고 및 에어컨의 냉매, 발포, 세정, 반도체 공정의 에칭가스 등으로 다양하게 사용된다. 몬트리올의정서에 의해 사용이 규제된 CFCs와 HCFCs를 대체하는 물질이다.

폴리실리콘은 반도체 웨이퍼 및 태양광 패널 의 솔라 셀(solar cell) 기판을 만드는데 사용되는 원재료 다. 주요 성분은 Si(규소)이며 규소의 순도에 따라 태양광 패널용과 반도체용으로 나뉜다. 태양광 패널용 폴리실리콘은 6N(99.9999%)의 순도를 가진 것을, 반도체용 폴리 실리콘은 11N(99.999999999%)의 순도를 가진 것을 사용한다. 일반 실리콘에 비해 감광성이 높고 불에 잘 견디는 내화성이 뛰어나다. 세계적으로 ...