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1 나노미터 (㎚)는 ''10억분의 1''m를 뜻한다. 반도체 에서 나노는 칩 안에 있는 여러 회로간 간격을 의미한다. 즉 60나노는 회로간 간격이 60㎚란 얘기다. 이는 머리카락 굵기의 2000분의 1에 해당한다.

..., 더럽고(Dirty), 위험한(Dangerous)의 머리글자인 D자를 따서 만든 용어로 주로 제조업·광업·건축업 등이 꼽힌다. 국민소득 의 증가와 편안한 것을 추구하는 사회분위기로 인해 이들 3D업종은 만성적인 인력난을 겪고 있다. 최근 들어서는 D램 반도체 , 디지털 (정보통신), 디스플레이 (Display) 혹은 정보통신(Digital), 바이오(DNA), 디자인(Design) 분야를 ''신 3D업종''이라고 부르기도 한다.

1965년 인텔 설립자 중 한 사람인 고든 무어(Gordon Moore)가 반도체 칩의 용량이 매년 2배가 될 것으로 예측하며 만든 법칙. 무어의 법칙은 IT 전문 잡지인 에 처음 소개됐으며 지금도 CPU 업계의 기술 혁신을 평가하는 지표로 사용되고 있다. 1975년 24개월로 수정되었고 그 이후 18개월로 다시 정의됐다.

나노 기술을 이용해 만든 반도체 또는 고분자 소재를 말한다. 특히 메모리 분야에서 각광받는 기술로 나노 소자를 이용하면 분자 하나가 하나의 정보를 저장하는 메모리를 만들 수 있다.

플래시 메모리 칩처럼 전원이 꺼지더라도 저장한 정보를 살릴 수 있으며 플래시 메모리 와 램의 빠른 동작특성 등의 장점을 모두 갖춘 메모리 반도체 를 말한다. PCM은 플래시메모리와 램의 기존 노어 플래시 및 낸드 플래시보다 저전력으로 빠르게 읽기, 쓰기를 할 수 있으며 램의 일반적인 특성인 비트 가변성도 갖추고 있다. PCM을 탑재하면 램의 소비를 줄여, 메모리 시스템의 비용과 전력소모를 획기적으로 낮출 수 있다.

반도체 및 LCD 현상액인 TMAH의 핵심 원재료 . LCD 및 반도체 산업의 성장에 힘입어 지속적으로 수요가 증가하고 있다.

읽기 속도가 빠른 노어플래시 (NOR Flash)의 장점과 쓰기 속도가 빠르고 대용량 구현이 가능한 낸드 플래시의 장점을 융합한 고성능 퓨전 반도체 다. 읽기 속도(초당 108메가바이트)는 낸드플래시 대비 4배, 쓰기 속도(초당 10메가바이트)는 노어플래시 대비 46배 빠르다.

삼성전자가 2006년 9월 발표한 반도체 . 머리카락의 3천분의 1에 불과한 40나노 공정을 사용해 개발한 것으로 32기가 메모리 용량은 세계 인구 65억명의 5배인 328억개의 메모리 기본 소자가 엄지 손톱만한 크기에 집적돼있다. 노래 8천곡을 저장할 수 있는 용량이다.

낸드플래시, S램, 로직을 하나의 칩에 집적한 반도체 . 메모리 와 로직을 하나의 칩에 집적해 시스템 사양에 적합한 소프트까지 제공해주는 퓨전 메모리 의 일종으로, 휴대전화에 주로 쓰이는 노어플래시 를 대체할 것으로 기대된다. 1기가 원낸드 는 2개의 고속 S램을 버퍼 메모리로 활용, 노어보다 67배 빠른 초당 10MB의 쓰기 속도와 낸드보다 4배 빠른 초당 108MB의 읽기 속도를 구현해 실시간 읽기·쓰기를 할 수 있으며 지우기도 ...

휴대전화에서 3D게임, 동영상, MP3 플레이어, TV시청 등 다양한 미디어 기능을 1개의 칩으로 구현하는 반도체 를 말한다.